研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的一种新方法

提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法——摄动法.使用摄动法来求解泊松方程,使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起作用的耗尽层近似和页面电荷模型在求解过程中被避免,由此可以解得一个指数形式的亚阈值电流的表达式,从而得到关于亚阈值摆幅变化的解析表达式.通过把所建立的解析模型的计算结果和Medici仿真软件的模拟结果进行比较,可以证明该适用于分析亚阈值区工作特性的模型具有相当的准确性和可用性.     

n阱LDMOS伏安特性线性区的分析

对小电压下的LDMOS伏安特性线性区进行了分析。为了避免求解复杂的偏微分方程并且得到解析的结果,这里采用了将场区等效为积累层电阻、扩展电阻、体电阻和漏极分布电阻的串联等效电路。根据LDMOS的结构特点分别给出了各个电阻的具体计算方法。最后给出了精确的LDMOS导通电阻表达式。     

电流模式控制开关功率变换器中的呼吸现象

从电路耦合滤波的角度考虑,以Boost变换器为例揭示了在电流模式控制开关变换器中,由于存在耦合电路引起的传导和辐射干扰,使得有可能产生呼吸现象,这在功率变换电路中是一种非正常的工作状态．可以通过建立具有固定初相位的模拟干扰信号,并使其频率与变换器的开关频率相同,以便将呼吸现象(时间分叉)转换为参数分叉,分析结果与数值仿真是完全一致的,并在电路实验中得到了印证．     

新型α-Fe_2O_3-SnO_2气敏元件的研制

采用混合盐溶液共沉淀法,我们配制出残存SO_4~(2-)的α-Fe_2O_3-SnO_2气敏材料,通过控制和改善材料的微观构造,提高了不添加资金属催化剂的α-Fe_2O_3的气敏活性。研制出旁热式气敏元件、测试了静态特性。该元件具有成本低、功耗低、输出线性好,不易受乙醇干扰及机械强度高特点。     

激光损伤硅片背面对微缺陷的吸除效果

本文研究了cwCO_2激光器照射硅片背面产生辐射损伤对微缺陷的吸收效果:对MOS界面特性的影响,对表层少子寿命的影响,对PN结漏电流、晶体管电流放大系数h和击穿电压BV_(ce0)的影响:对集成电路成品率的影响。结果表明,这种方法能有效地吸除金属杂质和微缺陷,能显著提高少子寿命、改善Si/SiO_2的界面特性、降低PN结的漏电流、提高击穿电压和晶体管小电流放大系数,使KD45的成品率提高50％,     

核参数遗传选优的SVM在直线电机建模中的应用

采用遗传算法对支持向量机的径向基核参数进行优化，找出了具有较强推广能力的径向基搬参教，进而建立了直线电机结构参教与输出性能关系模型，并对模型的有效性进行了验证，为直线电机建模探索了一种有效的方法。     

开关变换器的仿真建模方法及最大Lyapunov指数计算

提出DC-DC开关变换器的两种建模方法,并对之进行了比较,以便更有效地对变换器中的各种线性、非线性现象进行数值仿真及分析计算。一种建模方法是考虑时间,将时间变量看成为一个状态变量,从而建立非自治系统模型;另一种是不考虑时间,而仅考虑电路状态变量,来建立变换器的自治系统模型。两种模型的数值仿真结果完全一致,但以这两种模型为基础,计算所得到的最大Lyapunov指数的表现是不同的,相比较而言,以自治系统模型为基础,计算所得的最大Lyapunov指数包含更多的信息,它不仅能指示混沌的产生,而且可以指示各次分叉的情况。     

加场极板LDMOS的击穿电压的分析

在LDMOS中加入电场控制极板是一种有效的提高其击穿电压的方法,本文分析了PDP选址驱动芯片的LDMOS场极板对其漏击穿电压的影响,指出了场极板的分压作用和场极板边缘效应对击穿电压的影响,给出击穿电压的计算公式,计算结果与实验能够吻合,说明了给出的公式是正确的。     

量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响

根据改进后的三角势阱场近似,并考虑量子化效应,提出了一种基于物理的阈值电压和栅电容的解析模型,给出了MOSFETs的阈值电压和栅电容的解析表达式,并与经典理论结果进行了比较。     

基于混沌搜索的600KW风力机塔架结构优化设计

采用有限元方法对风力发电机塔架进行模态分析,得出了不同结构参数下塔架的固有频率;然后采用支持向量机（the Support Vector Machine）建模方法,建立了塔架结构参数与固有频率之间的快速计算模型;以混沌搜索为寻优手段,对塔架结构进行了优化;将优化结果和正交优化结果进行了比较,并采用有限元方法对所得塔架结构进行强度校核。研究深化了风力机的仿真设计,取得了较好的效果。