LP－MOVPE生长InGaAs应变超晶格

本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。     

LP─MOCVD生长InGaAs／GaAs应变超晶格

ＬＰ─ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格崔敬忠，陈光华，张仿清，甘润今（兰州大学物理学系，兰州，７３００００）杨树人，刘宝林，陈伯军，刘式墉（国家集成光电子联合实验室吉林大学实验区，长春，１３００２３）自从Ｌ．Ｅｓａｋｉ和Ｒ．Ｔｓｕ提出超...     

氮化碳(C3N4)的研究进展

概述了新型超硬材料－－氮化碳（Ｃ３Ｎ４）的晶体结构、实验室人工合成方法、实验测试手段和结果。从而进一步探讨研究了Ｃ３Ｎ４薄膜在科学技术中潜在的应用前景和科学意义。     

射频溅射制备α－Ge／SiO2多层膜

射频溅射制备α－Ｇｅ／ＳｉＯ２多层膜崔敬忠彭军张兴旺陈光华张仿清（兰州大学物理系，兰州７３００００）由于在非晶太阳能电池和半导体器件方面的重要性，α－Ｇｅ和α－ＳｉＯ２得到了深入的研究［１，２］．近年来，用共溅射的方法制备的Ｇｅ／ＳｉＯ２纳米材料由...     

硼取代富勒烯的制备及其薄膜电学性质的研究

硼取代富勒烯的制备及其薄膜电学性质的研究①姚江宏彭军王永谦陈光华②（兰州大学物理系，兰州７３００００）Ｃ６０的发现［１］及采用简单方法大量制备的成功［２］，在物理、化学及材料科学等领域引起了人们极大兴趣和关注．考虑到Ｃ６０具有半导体性质，经过掺杂，...     

溅射a-GeCN_x∶H薄膜的红外和拉曼特性

本文首次报道了用溅射反应法制备的 a-GeCN_x∶H 薄膜的制备工艺、红外和拉曼谱的特性,并观测到因掺碳引起的新的 N-CH_n 的红外吸收峰.     

创新驱动发展战略下中小企业创新效率研究

中小企业量大面广,是中国经济结构转型升级的重点和难点,中小企业创新发展关系到中国创新驱动发展战略的成功实施。采用Bootstrap-DEA方法和Tobit模型对中小企业创新效率和影响因素进行了分析,并基于企业生命周期分阶段进行了效率测算,从微观层面深度剖析中小企业创新存在的问题和原因。结论表明,中小企业创新效率整体偏低,企业稳定期的技术效率和纯技术效率最高,初创期和稳定期效率差距较小;政府资助与企业利润对创新效率有显著促进作用,企业规模与创新效率呈显著负相关,劳动者素质的作用不明显。最后,从企业、行业和政府角度提出了相关的政策建议。     

弹性分组环技术与应用研究

弹性分组环（RPR）是一种新兴的城域网技术。本文重点阐述了RPR的几项关键技术，简要介绍了弹性分组环技术目前在国内城域网建设中的一些应用。     

GD-a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学常数的研究

本文报导了利用椭圆偏振光谱法对掺硼和未掺杂的GDa—Si_xCi(1-x):H薄膜在可见光范围内光学常数的测温结果。实验发现,折射率n与波长的关系,在5000A°附近有一光滑的峰,n值随碳含量的增加而下降;电介质常数的虚部ε_2对光子能量的关系也有一光滑的峰出现,峰值随碳含量的增加而下降.本文对这些结果进行了初步讨论。