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62.
用光吸收谱和电导率测量较全面地研究了射频反应溅射淀积的a-Ge:H薄膜的电学性质:研究了射频功率和退火温度对a-Ge:H膜电学性质的影响.所得结果为a-Ge:H的应用提供了一定的依据。 相似文献
63.
用溶胶-凝胶法制备了C60-PMMA复合膜,研究了该膜的红外吸收谱,发现复合膜的红外吸收光谱在C60特征峰(1 182 cm-1和1 428 cm-1)附近,相对PMMA有明显的"红移"宽化.理论上,采用Gaussian98计算方法,得到了C60分子和带有电荷的C60的红外振动频率.研究表明:复合膜的红外谱 "红移"宽化是C60与PMMA之间的电荷转移导致C60红外特征峰红移引起的. 相似文献
64.
本文主要介绍了用辉光放电法和高频溅射法制备的a—Si_(1-x)C_x∶H薄膜的红外光谱,着重对其中几个主要吸收区进行了分析和讨论。 相似文献
65.
一种新的非晶钝化膜a—Si_xC_(1-x)∶H膜 总被引:2,自引:1,他引:1
本文介绍了一种新的钝化膜——a-Si_xC_(1-x)∶H薄膜在硅器件表面上的应用,实验结果表明:这种膜的钝化效果和a—Si∶H类似,在某些方面更好些,文中还对这种膜的钝化机理作了初步探讨。 相似文献
66.
本文通过测量掺杂a-Si:H和a-Sic:H薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明,(1)杂质激活过程是伸展指数形式,(2)在低温区掺杂效率正比于,(3)在高温区掺杂效率达到一饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型,我们解释了上述实验结果。 相似文献
67.
68.
69.
本文探讨了LP-MOVPE法在GaAs和InP衬底上生长21个周期的InGaAs/GaAs和20个周期的InGaAs/InP两种应变超晶格的条件,并用X射线衍射分析了这两种应变超晶格,分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。 相似文献
70.