电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的电导特性研究

本研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ１－ｘＣｒｘ的变温电导特性。实验结果表明，Ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０＾－６增大到７．２×１０＾－１Ω＾－１，ｃｍ＾－１，在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电。Ｃｒ＾３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ     

石墨电弧法制备C_(60)

C_(60)是碳的一种新的结构形式(碳的结构还有石墨型和金刚石型),它具有众多独特的物理化学性质,已显示出广泛的潜在应用前景,如是一种非常好的非线性光学材料,高温润滑剂,掺杂后可成为超导体,利用化学或物理方法可使 C_(60)分子在其球形笼     

罗素和康德的“构造论”比较

罗素和康德是生活在不同时代的两位哲人,虽然相距一个多世纪,但在他们的哲学中却有一个共同的课题——知识构造理论,以及大致相同的知识构造模式——“经验+逻辑”。本人认为,这是研究现代“科学主义”者不可忽视的一个问题。为了研究人类     

浅谈如何有效发挥图书馆办公室职能

论述了如何正确认识图书馆办公室所扮演的角色,提出了有效发挥图书馆办公室职能的措施。     

富勒烯-聚甲基丙烯酸甲酯复合膜溶胶-凝胶制备与结构的研究

采用溶胶-凝胶的方法，在Si（100）衬底上制备了C60-聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA ）复合膜.红外光谱分析表明，C60分子已均匀地分布在PMMA中，凝胶以后形成了C 60-PM MA复合膜.利用X射线衍射（XRD）谱研究了该复合膜的结构，结果表明，在200℃真空退火后 C60分子 趋向相互聚集并形成晶化C60颗粒，其尺寸强烈依赖于C60含量.随C60含 量的增加，晶化C6 0颗粒尺寸增大.高C60含量的复合膜中多晶状态的C60 颗粒，呈现面心 立方（fcc）结构〈111〉方向的择优排列特征；并且观察到XRD信号极强的、异常的333衍射 峰现象，对其产生机理进行了初步探讨.     

射频溅射制备碳氮薄膜及其结构分析

报道了用射频等离子体溅射的方法在高阻单晶硅衬底上制备碳氮非晶薄膜，并利用拉曼光谱和红外吸收谱对其进行的结构分析研究．分析结果表明该膜中氮主要以ＣＮ，ＣＮ键形式与碳结合．在对薄膜进行退火处理后，薄膜的红外透过率增加，同时还观察到ＣＮ单键的红外吸收峰．说明高温退火对ＣＮ单键的形成有促进作用     

论科技战略研究与经济发展方式转变

要提高经济发展的质量及防御风险的能力,必须要在科技进步上做文章,必须要在科技发展战略研究上取得重大突破。长期以来,我国经济发展与科技创新一直存在“两张皮”现象,经济发展注重招商引资和技术引进,而科技创新则往往从科技领域甚至学科本身安排创新项目,     

反应溅射生长的 a-Ge∶H/a-Si∶H 超晶格结构的 TEM 观察

自1983年 Tiedje 和 Abeles 等人报导了非晶态半导体超晶格以来,非晶态半导体超晶格以它特殊的性质和潜在的应用前景(如太阳能电池,TFT 等)越来越引起人们的注意。由于非晶态长程无序,因而非晶态超晶格不像晶态超晶格那样在界面处要求严格的晶格匹配。人们已经用辉光放电法生长了 a-Ge∶H/a-Si∶H 超晶格(?)~2,但是这种方法     

一种测定a—Si∶H隙态密度的新方法

用强场发射电流法(FEC)测量了 GD—a—si∶H 膜的隙态密度分布,得到接近 E_F 处的 N(E)为5×10~(16)/cm~3ev,N(E)的分布趋势和形状与场效应法所得结果一致.     

X射线双晶衍射研究LP－MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格

用金属有机气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格．用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线．结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数．对不同缓冲层的超晶格结构也进行了分析