Multisim2001在模拟电子技术演示教学中的应用

介绍Multisim2001，给出两个典型模拟电子技术电路实例仿真分析，阐述利用Multisim2001解决演示教学中的实时动态仿真分析方法。     

ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响

主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大·制备的薄膜最低电阻率为4 5×10-4Ω·cm,可见光透射率达到80%以上·     

简评战后日本对中国的赔偿与援助问题

二战后中国政府放弃对日本的赔偿要求，日本政府对华援助是中日两国关系中的重大事件，这两个事件对日本和中国的现代化建设、对中日两国友好关系的发展，都起到了重要的促进作用。但是，日本政府对华援助则有许多自身考虑的因素。     

基于实体连接的信息组织技术

企业在实施信息化过程中，由于未规划系统和信息变动因素等存在，使得企业不得不改变原有信息系统的数据模式，但现有的信息组织技术及理论却难以解决未规划系统和信息变动对数据模式无损依赖性和无损连接性的影响，极大地影响了企业实施信息化的进程，也造成了资源浪费。针对以上问题，以关系数据理论为基础，借助E—R语义建模模型，提出了一种基于实体连接的信息组织技术，该信息组织技术具有良好的扩展性和柔性，能够适应企业信息的变化和调整。     

Bi含量对SrBi4Ti4O15铁电材料性能的影响

~~Bi含量对SrBi_4Ti_4O_(15)铁电材料性能的影响@朱骏$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @毛翔宇$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @卢网平$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @惠荣$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @陆文峰$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @陈小兵$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002~~~~~~~~     

泸定百合遵义居群与牟定居群的遗传多样性研究

采用居群遗传学的原理和方法,对泸定百合遵义居群与牟定居群展开了形态和细胞层次的调查研究.共统计2个居群的20余个形态性状,分析其核型和及变异式样,得出如下结果:①形态性状在居群内具有丰富的多态性.形态性状变异在居群间的分配量为21.16%,在居群内的分配量为78.84%.形态性状变异主要来源于居群内.②泸定百合遵义居群的核型公式为2n=24=4m(2SAT) 4st(4SAT) 16t,泸定百合牟定居群的核型公式为2n=24=4m(4SAT) 8st(4SAT) 12t.8.51%的染色体结构变异来源于居群间,91.49%的变异来源于居群内.     

H2在金属钾修饰碳纳米管上的吸附与储存

利用高压容积法、辅以卸压升温脱附排水法,测定金属钾修饰多壁碳纳米管(K~0-MWCNTs)对H_2的吸附储存容量。结果表明,在室温(～25℃)、～7.25MPa实验条件下其对氢的吸附储存容量可达3.80％(质量百分数);室温下卸至常压的脱附氢量为3.36％(占总吸附氢量的～89％),后续升温(升至673K)的脱附氢量为0.41％(占总吸附氢量的～11％)。     

鄂尔多斯蒙古族、汉族5项遗传学指标研究

调查了内蒙古鄂尔多斯蒙古族(508例)、汉族(461例)人的5项头面部形态特征.5项指标是鼻梁侧面观、鼻孔形状、下颏突出度、额头发际、头发形状.调查显示:(1)这两个人群多为非凸型鼻梁、宽型鼻孔、非突型下颏、直发,额头发际有尖率与无尖率接近.(2)在内蒙古诸人群中,这两个人群凸鼻梁率低、宽型鼻孔率高、突型下颏率低、额头发际有尖率高、直发率低.(3)5项指标彼此多不相关,仅鼻梁类型与鼻孔形状相关,鼻梁类型与下颏类型相关.     

Y^3＋,La^3＋对CaSO4：Eu^2＋发光性质的影响

用沉淀法合成了掺杂Y~(3 ),La~(3 )的CaSO_4:Eu~(2 )稀土发光材料,研究了材料的晶体结构和荧光光谱,根据实验结果,所制样品基本上属正交晶系、C_(2v)空间群,Eu离子在CaSO_4中的激发峰为基态到4f~65d(E_g),(T_(2g))激发态的跃迁;样品发射主峰位于383um,属于Eu~(2 )的~5P_(7/2)→~8S_(2/7)跃迁,说明样品中Eu离子主要以Eu~(2 )的形式存在。CaSO_4:RE(La,Y)本身没有荧光,Y~(3 ),La~(3 )掺入CaSO_4:Eu中未改变基质的晶型结构,但可增强CaSO_4:Eu中Eu~(2 )的荧光强度。     

Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。