电力系统异构应用系统集成中的图形互操作

讨论了电力系统图形信息共享和互操作问题,对图形信息交互中涉及的关键技术问题做了进一步的研究.通过对比分析CCAPI的SVG图形中心和CIM域中心图形交换方案,建议采用图形中心方案,并进一步研究了图形中心交换方案中利用SVG定义电力系统图元,利用本体技术和语义信息模型来实现一对象多图,利用IEC61850保护逻辑节点来扩展CIM及相应图形的方法.研究结果将有助于电力信息集成的全面化,为构建更完善的电力信息一体化系统提供了技术手段.     

在大学数学教学中渗透数学文化的思考

探讨了研究数学文化对大学数学教学的意义,从数学文化的角度研究了大学生应具有的数学素质,并提出了如何在数学基础课程的教学中体现数学文化的思想、培养和提高大学生的数学素质。     

基于扩展公共信息模型的电网故障诊断系统设计

针对IEC 61970标准中现有的CIM模型难以完整地表征电网故障诊断,提出了扩展CIM模型的建议:即引入故障信息类及故障类等以适应基于不同故障信息及具有不同诊断结果形式的电网故障诊断系统.在扩展CIM模型的基础上,采用多Agent框架以处理变化时序的故障信息,使之便于基于不同故障信息的诊断子系统的集成.仿真分析表明所设计的故障诊断系统具有较好的开放性和灵活性.     

基于数值保角变换的高速永磁无刷电机齿槽效应的分析

对于一种采用永磁体表面放置式的高速无刷永磁直流电机,并且在其转子由套筒所封装的情况下,文章提供了一种改进的齿槽模型来预测其定子开槽对于气隙/套筒/永磁体区域磁场分布的影响;该方法既利用数值积分使保角变换的精度得以提高,又可以很容易地与解析模型相结合,所以不仅与经典模型在计算效率上相近,也保留了解析解的物理直观。     

掺杂的PZT95/5陶瓷粉体性能

掺杂对PZT95/5压电陶瓷粉体的性能有较大影响.采用溶胶-凝胶法制备PZT95/5粉体,选择不同掺杂物进行改性,研究其对粉体的粒度均匀性、分散性、合成纯度等性能影响.结果表明,不同掺杂物在一定程度上都可提高溶胶的分散性;掺杂Nb5+以可溶性铌盐(C10H8N2O33Nb2)液相引入时,合成粉体的分散效果和合成纯度都要比以固相Nb2O5粉体引入时好;中性掺杂物SiO2具有降低合成温度和抑制烧绿石相形成的作用,且合成粉体的粒度均匀、分散性好.     

全差分高增益运放的设计

在3．3V电源电压下采用中芯国际（SMIC）0．18μm混合信号CMOS工艺设计了一个单级全差分运算放大器．所设计的运放采用了增益提升技术,其主运放为一个带有开关电容共模反馈的全差分折叠-共源共栅运放,两个简单的连续时间共模反馈电路的运放作为辅运放用来提升主运放的开环增益．仿真结果表明,所设计的运放直流增益可达110dB,单位增益带宽为5MHz．     

斜投影光流场刚体三维运动和结构计算

本文研究从斜投影光流点及加速度恢复刚体三维运动速度、加速度及结构参数的唯一性和约束,建立了光流运动方程组,证明了利用斜投影光流场中四个光流点及其加速度可完全确定刚体的三维角速度和角加速度参数,平移速度和平移加速度不能确定但存在三个约束关系即允许有三个自由度,虽然不能确定刚体位置,但可以充分确定刚体结构形状大小。     

20V/10A UDMOSFET的研制

简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理,给出了UDMOSFET的制造工艺,重点讨论工艺难点,对测试结果进行了详细分析．     

低压UDMOSFET结构设计

对低压UDMOSFET的结构设计提出了要以提高品质因数为指向的思想,分析了对其产生影响的一些相关因素,如特征电阻和击穿电压之间的平衡,寄生电容的设计考虑,以及在满足上述条件下的面积优化．最后对20V／10A条件下UDMOSFET的结构设计给出了详细的推导和计算．     

30伏P沟VDMOS场效应管的设计

对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数,重点讨论了P沟VDMOSFET的外延层电阻率、外延层厚度、N体区扩散浓度以及各个参数之间的关系,对该类器件的实际生产有一定的指导作用.