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391.
根据羽毛异味的来源和特性,从消除异味和防止日后异味重现二方面,较详细探讨了在现在和可见的未来,羽毛灭菌除臭的手段和灭菌除臭剂的配制技术,寻找到一种相对绿色环保并且灭菌除臭效率比较高的羽毛灭菌除臭剂。 相似文献
392.
铝泡沫板是一钟新型结构材料,对于它的动态测量,尤其是瞬态性质研究是很需要的。近几年发展的SPSESI法是测量物体变形的一个重要手段,它是利用一张散斑图复合载波技术,在处理上应用Fourier变换和反变换技术就可获取物体的瞬态变形。文章利用这一近代光力学手段,对铝泡沫板在垂直冲击力作用下的瞬态弯曲变形进行了讨论。由于采用了连续激光光源和机械频闪产生脉冲光,不仅简化了分析光路又降低了所用电子仪器的等级。 相似文献
393.
用多层前馈网络进行三维储层参数反演的方法 总被引:2,自引:1,他引:2
地震反演的主要任务是依据地震资料并综合利用地质、测井等资料得到地下地层的详细信息。三维地震反演需要处理庞大的地震数据体,同时在反演过程中既要考虑模型和测井的约束,又要考虑地震在横向上的连续性。将地震反演看作是地震数据到储层参数的模糊映射,并利用神经网络建立了这种映射关系。针对网络收敛速度慢、学习时间长等缺陷,提出了一种学习率自适应调整算法。该算法使每个权都有自己的学习率,使网络的训练速度大幅度提高。利用该方法进行地震反演,抛开了褶积模型的限制,也无须已知地震子波。外推过程是在三维空间内进行的,所得的储层参数数据体保持了横向上合理自然的连续性。对该数据体进行三维可视化解释,可以直接描述储层的空间展布。 相似文献
394.
目的 对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果 计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都高,横向迁移率则较为接近。296K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107cm/s。当电场条件相同时,2H SiC同4H SiC以及6H SiC中的纵向电子平均能量相差较大。在阶跃电场强度为1000kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。结论 可以被用来设计SiC器件和电路。 相似文献
395.
本文采用红外光谱分析、X 射线衍射分析、差示扫描量热分析、热机械分析、热重分析等实验手段,研究了丙烯腈(AN)/溴乙烯(VBr)共聚纤维在加热过程中环结构的形成、环化反应的特点、环化活化能的大小及 VBr 含量对环化的影响。结果表明共聚组分 VBr 对环化时氰基的聚合(oligome-rization)有着强烈的引发作用,使环化活化能下降,以致在比较低的温度下就能进行环化反应。在DSC 图谱上,于环化放热主峰前呈现一个很宽的峰肩部分,放热范围变宽。放热过程趋于缓和。因此 AN/VBr 共聚纤维非常适合于作为碳纤维原丝。此外共聚组分 VBr 的含量对纤维的放热特性、环化度和环化序列长度都有显著影响。研究表明 VBr 含量在6%左右较为合适。含量过高,稳定化处理时纤维的环化度和环化序列长度反而有所下降。 相似文献
396.
根据重庆市建立标定地价体系的科学实践,提出城镇标准地块空间定位的技术途径为:从分析土地级别内各定级单元土地质量空间分布规律或房地产市场价格空间分布规律入手,采用定级单元总分平衡法和房地产市场价格平衡法确定标准单元,依据功能特征评价成果将标准地块定位. 相似文献
397.
398.
研究了不同的氮化工艺参数对球墨铸铁镀铁层组织结构及耐磨性的影响.低温镀铁层特殊的组织结构,使得在很低的氮化温度下,镀层仍可完全氮化.镀层中网、条纹随氮化温度升高而粘连粗化.氮化工艺对耐磨性影响的显著性大小顺序为:氮化温度、NH3流量、氮化时间.温度升高耐磨性下降;时间延长,耐磨性趋于一致.在试验条件下获得的最佳氮化工艺为:T=450℃,NH3流量为30Nl/h,τ=1h.经该工艺处理获得的镀铁氮化层的耐磨性较之未氮化镀层提高了160倍左右. 相似文献
399.
对数正态分布下序进应力加速寿命试验的统计分析 总被引:5,自引:1,他引:5
本文指出文献(1)中一个错误,讨论了寿命分布为对数正态分布时序进应力加速寿命试验下,参数的点估计和区间估计。 相似文献
400.
碳化硅、氧化锆增韧氧化铝复相陶瓷的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
在纳米氧铝粉中加入碳化硅晶须和纳米氧化铝粉,通过烧结得到细晶的氧化铝基复相陶瓷,达到了提高氧化铝陶瓷断裂韧性的目的.研究了Nano-Al2O3/SiC(w)、ZrO2复相陶瓷的烧结温度、晶粒尺寸、SiC(w)含量等对细晶Al2O3基复相陶瓷材料断裂韧性的影响.采用纳米Al2O3粉,可使烧结温度大幅度下降,在1600℃即可得到致密的细晶陶瓷材料.SiC(w)质量分数w为18%时可以得到较高的断裂韧性值,KIC=6.96MPa·m1/2.晶须增韧的机理仍然是晶须的拔出和断裂.加入ZrO2后,利用ZrO2的相变增韧的效果,可以使Al2O3基陶瓷材料的断裂韧性进一步提高. 相似文献