Nd2(Co1-xFex)17-yCr y化合物的结构和磁性研究

利用X射线衍射和磁性测量研究Nd₂(Co_1-x Fe_x)_17-yCr_y化合物的结构和磁性. 实验结果表明， 这些化合物都具有Th₂Zn₁₇型结构， Cr和Fe替代Nd₂Co ₁₇化合物中Co并未改变晶体结构， 但能引起晶格膨胀. 所有化合物在室温下都表现为易面各向异性. 化合物的居里温度 随着Fe含量的增加和稳定元素Cr含量的减小而升高， 在x=0.5和y=3.3时达到最大值， 而后逐渐减小.     

Ni薄膜沿垂直于膜面的技术磁化过程

利用磁性薄膜的Hall电压V和Faraday旋光角度a与垂直于膜面的磁化强度成正此的事实,可以观測磁膜沿垂直于膜面的技术磁化过程(以下簡称磁化过程). 已有的实驗結果都表明,这个磁化过程具有可逆的一致轉动过程的特征,因此,一般認为,它是可逆的一致轉动过程.     

用转矩法测量磁膜的磁滞回线

一磁膜的厚度一般都是在10■到10~3■的数量级范围内,由于它的磁性很弱,因此一般的冲击法不能测量磁膜的磁性。 Howey(1929)曾经指出,用无定向磁强计可以测量极薄样品的磁性。但是我们的经验表明,这个方法不能用到磁膜磁性的测量。原因是相对子微弱的磁膜磁矩来说,磁化线圈的磁矩太大,以致于把这个线圈磁矩在磁强计的磁针空间产生的磁埸稳定地补偿到它此磁膜磁矩的磁埸小得多的程度是非常困难的。     

R_2Fe_(14)B中R~(3+)离子的二阶晶场

R_2F_(14)B(R=Pr,Nd,Sm,Dy,Er,Tm和Yb)中R~(3+)离子的二阶晶场参数A_(20)可由室温磁化曲线和自旋重取向转变温度估计。R_2Fe_(14)B的哈密顿量为这里,K(Fe,T)是一个铁原子的磁各向异性常数,其数值取自文献[1],其它符号具有通常的意义。交换场H_(ex)正比于m(Fe,T)和文献[2]报道的分子场系数。对于R=Gd,2μ_BH_(ex)的估计值为350K[3]。除了R=Sm以外,A_(22)项均被忽略。通过拟合室温磁化     

Gd-Co系非晶薄膜垂直于膜面的磁各向异性的起源

本文认为,被网状非磁性介质(包括空隙)包围的磁性柱状组织的形状各向异性是Gd-Co系非晶膜磁各向异性的主要来源,由于Gd的易氧化和择优再溅射,使磁性柱表面层的磁性Gd含量低于柱内部,各向异性常数K_u可近似地表为: K_u=K_aM_a~2+k_bM_b~2+K_(ab)M_aM_b,其中M_a和M_b分别为柱内部和表面层构平均磁化强度,K_a,K_b和K_(ab)是与膜结构的几何尺寸有关的系数。根据两种M_s(T)显著不同的偏压溅射Gd-Co-Mo膜的K_u(T)和M_s(T)的实验资料,用上式分别计算了它们的M_a(T)和M_b(T),结果表明,这两种膜的M_a(T)都呈现Gd含量多于平均成份2—4％的Gd-Co-Mo膜的M_s(T)特性,其中M_s(T)有低抵消点的膜还呈现出磁抵消点的特性,M_b(T)则呈现富Co膜的特性。这表明本文的模型基本正确,计算表明,这些膜的非磁性介质占20％以上,且柱的表面层厚度不很薄,用本文的模型还解释了K_u与膜的氧化程度等工艺因素的关系,另外,本文指出,用平均分子场分析所得的Co-Co和Co-Gd间的交换积分,J_(co-co)和J_(co-Gd)以及0°K下的Co的自旋值S_co(0)随对膜中非磁性介质的比体积的不同估计而明显变化;随这个比体积的增加,J_(co-co)值提高,J_(co-cd)和S_co(0)值降低。     

尋找代替坡莫系统的高導磁合金

一引言莫坡系统(～78％Ni—Fe)是当代性能最高的高导磁合金,其应用非常广泛。但在我国还缺乏镍,不能大量生产本材料,不能够满足广大部门的需要。加上目前还没有有效的代用品,所以代坡莫高导磁合金的寻找是有关研究机关和生产单位都很关心的问题。本文分析了寻找代替坡莫系统的高导磁合金的途径。得到的结论是,仅有三种合金能够部分地代替坡莫合金。这三种合金是含Si量在3到7％的Si—Fe,含Al量大约     

自旋玻璃CuMn和CuMnT(T=Ti,Pd,Pt)的磁感生各向异性

本文是文献[1]的补充,除补充了一些典型特性外,还通过一些Cu_(93.4)Mn_(6.6)及含有λ_d不同的微量添加元素Ti,Pd,Pt的Cu_(95.1)Mn_(2.0)Ti_(2.9),Cu_(96.7)Mn_(2.1)Pd_(1.2),Cu_(97.2)Mn_(2.1)Pt_(0.7)的实验结果,介绍了Mn含量对磁各向异性特性及这些微量添加元素对2％Mn-Cu有关特性的影响。本文的实验条件同文[1]。     

金属钴的磁感生各向异性与堆朵层错

本文用磁转矩、X光衍射和电镜,研究了六角金属钴的磁感生各向异性与堆朵层错的关系。结果表明,堆朵层错不是钴的磁感生各向异性的主要来源。     

金属钴的磁场冷却感生各向异性的源起

本文通过对X光Schulz反射法的统计运用,观察到经过磁场冷却的多晶钴中存在晶体织构。由此织构计算得到的磁感生各向异性常数与直接从磁转矩法测得的值一致。从而得出,此各向异性源起于晶体织构。     

Ni薄膜的居里点和第二个磁性特征温度(Ⅰ)

用惯用的不同方法测量了较薄 Ni 膜的居里点,得到了下列结果:1.用转矩法测得的“居里点”θ_L 随测量磁场增加而提高,但除一小段中间区域外,在高磁场(数千 Oe 以上)和低磁场(数百 Oe 以下),θ_L 基本上不随磁场而变。2.θ_(L∞)≈θ_p=θ_k,其中θ_(L∞)表示,在强磁场中测得的θ_L 值,也就是居里点;θ_p 和θ_k 分别表示铁磁性引起的附加负电阻ΔR和电阻在强磁场中的各向异性消失的温度。θ_(L∞)随膜厚度减少而降低。3.磁膜具有明显地不同于居里点的第二个磁性特征温度 T_0,它等于■其中和θ_R和θ_s分别为电阻和.Hall电压随温度T的变化奉与T的关系中出现的峰所对应的温度;θ_m为磁电阻效应与温度的关采中出现的峰听对应的温度;e二为强磁塌中,Hall电压随磁埸的变化率与温度的关系中出现的峰所对应的温度:θ_L0为在弱磁锡中侧得的θ_L值.T_0低于居里点.T_0和θ_L∞----T_0分别随膜厚度减少而降低和提除上述关于居里点和T_0的桔果以外,还得到了下面的桔果:1.△R(T)=CR_11----1(T),其中与R_11----1是平行于膜面的强磁踢平行和垂A于通过膜的电流方向时的电阴值之差;C是常数。C=40-100 (500-50A)。2.退磁伏态NI膜的磁化分布值到200-300~0C(相似文献