平板显示器驱动电路的原理与应用

驱动电路的设计与制作是平板显示器中的又一重要内容。本文就平板显示器驱动电路的一般原理作了详细的分析,其中包括矩阵扫描、能量恢复电路、灰度电路以及后级匹配功率放大器等,并给出了适用于不同器件的原理框图和应用实例。     

真空静电封接过程与分析

叙述了真空静电封接技术的工艺过程 ,对封接结果做扫描电子显微镜 (SEM)断面观察 ,并对封接件断面的元素浓度的深度分布用二次离子质谱分析器 (SIMS)进行分析 ,提出了真空静电封接的类电容器结构的新模型 .     

热处理对ITO薄膜光电性能和抗蚀刻性的影响

利用不同的热处理温度对磁控溅射在玻璃基底的ITO薄膜进行退火处理.借助于原子力显微镜(AFM)、分光辐射计、四探针电阻测试仪等测试手段对不同热处理后的ITO薄膜样品进行表征,研究了不同热处理温度对ITO薄膜表面形貌、面电阻、透光率及抗刻蚀性能的影响.结果表明,随着退火温度的升高,ITO薄膜表面粗糙度增加,面电阻增大,在可见光区的透光率变大,耐刻蚀性增强.     

Si雪崩冷阴极的电子发射特性

采用离子注入和快速退火法可制备Ｓｉ浅ｐ－ｎ结阵列，通过真空清洁处理和铯氧激活后制成阵列式Ｓｉ浅ｐ－ｎ结雪崩冷阴极，其最高电子发射效率为１６％。本文介绍阵列式Ｓｉ雪崩冷阴极的制各方法，给出了Ｓｉ冷阴极的雪崩电子发射特性，讨论了影响发射稳定性的主要因素。     

中频反应磁控溅射制备氧化铝薄膜的工艺探索

采用中频反应磁控溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验,研究了反应气体(O2)含量和溅射功率与薄膜沉积速率的关系,并探讨了氧化铝薄膜制备过程中存在的"迟滞回线"问题.     

HV632PG在彩色FED集成驱动系统中的应用

论述集成场致发射显示系统的工作原理,包括HV632PG的性能以及作为列图像驱动器的接口电路、行集成驱动器STV7697芯片和FPGA控制技术等.采用HV632PG芯片研制出了彩色FED显示器样机,能显示彩色视频图像.样机亮度已达200cd/m2、对比度达600∶1,显示分辨率为480×240,电路灰度等级达256级,有效显示对角线尺寸为25英寸(635mm).     

用于神经形态计算的CsPbBr3钙钛矿忆阻器性能研究

忆阻器可以模拟生物突触行为而实现低功耗、并行计算、集成度高的神经形态计算,因此已经引起广泛关注.本文报道了一种基于溶液法制备的铯铅溴(CsPbBr3)钙钛矿忆阻器,以包裹在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)中的CsPbBr3为功能层的忆阻器表现出优异的空气稳定性,同时成功模拟了生物突触行为,包括突触可塑性(synaptic pl...     

新型Si光电发射材料的激活技术及激活装置

介绍了新型反射式Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－ｃｓａｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ的激活技术．给出了新型Ｓｉ光电发射材料的逸出功、灵敏度及其稳定性并与Ｓｉ和Ｎａ２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的性能进行比较，简要讨论了影响灵敏度和稳定性的一些因素．叙述了为制备新型Ｓｉ光电发射材料所设计并加工的碱金属源、锑源、氯源及其激活系统．     

反向混合并联Micro LED/OLED显示器件的驱动IC控制

本文提出了一种集成蓝光Micro LED和红绿光OLED,具有特殊子像素排列的新型无源驱动全彩显示器件。该器件无需巨量转移就可实现全彩化显示,且较传统全彩OLED及Micro LED器件效率更高,寿命更长。另外,将蓝色与绿色子像素反向并联,可以减少电极走线,提高器件像素密度。针对该器件的特殊结构,本文设计了一套全新的驱动方案,具体以FPGA作为主控制器,利用驱动芯片提供稳定的电流点亮LED,实现器件的全彩显示。通过仿真测试进一步验证了该器件良好工作的可行性。     

反射式GaAs负电子亲和势光电阴极的激活

本文叙述反射式ＧａＡｓ负电子亲和势（ＮＥＡ）光电阴极的激活工艺已制备出积分灵敏度为４４０～１１７７μＡ／ｌｍ的光电阴极。文中讨论了对ＮＥＡ光电阴极稳定性的影响因素，铯和氧的作用，以及ＮＥＡ的形成机理。