非简谐振动对晶体Mo热力学性质的影响

以晶体Mo为例 ,讨论了非简谐振动对晶体的热膨胀系数、格林乃森参数的影响 .结果表明 :热膨胀系数、格林乃森参数均随温度的升高而非线性地增大 ,只有考虑到第二非简谐系数后 ,理论计算的热膨胀系数、格林乃森参数才与实验数据比较接近     

（HgS／CdS）nHgS线状超品格电子能带结构

建立了由两种不同材料构成的沿轴向的线状超晶格体系的薛定谔方程，并对(HgS／CdS)nHgS线状超晶格作具体计算，探讨了势阱和势垒宽度对电子能谱的影响。结果表明：沿轴向方向的线状超晶格系统的电子能谱存在能带结构，低能带的宽度要比高能带的宽度小；势阱宽度增大和势垒宽度减小会使带底的位置降低而带宽增大；圆柱半径在40^。A左右时，第一禁带宽度最大。     

Mo2C膜表面粗糙度随温度和时间变化规律的研究

对以碳基金属气相沉积制备的MO2C膜表面粗糙度进行了测量；在测量基础上进行统计，找出了表面高度分布并确定表面粗糙度随时间和温度的变化规律。结果表明：MO2C膜表面粗糙化属快速粗糙化，粗糙度随时间的变化具有标度函数的特征；粗糙度随基底温度升高而增大。     

MOCVD制备Mo2C膜成膜机理

对ＭＯＣＶＤ制备Ｍｏ２Ｃ膜的物理化学机理进行理论探讨。根据实验结果论证了ＭＯＣＶＤ制备Ｍｏ２Ｃ膜过程中,Ｍｏ（ＣＯ）６遵从先被基底吸附、发生相变再进行分解的两步机制;Ｍｏ（ＣＯ）６的分解过程是级联式分解,最后由Ｍｏ碳化为Ｍｏ２Ｃ膜;利用Ｇｉｂｂｓ函数最小的原理,对ＭＯＣＶＤ沉积Ｍｏ２以ＩＰ ＲＣ ＹＩＤ Ｒ ＦＫＦ ＤＭＨ ＡＤＷＲＢＩＢ ＯＶＴ ＦＪＴＦＹＦＴＨ,ＲＰＷＳＶＦ Ｂ ＤＮ ＥＡＪＤ     

Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响

以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82 Fe18)(1-x)Nbx(35A)/Ni82Fe18(150A)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜.测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(△R/R)和微结构.研究了ρ、△R/R随Nb含量的变化.探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和△R/R影响的微观机制.     

以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的零场电阻率

以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了具有不同Nb含量(x)、种子层厚度(d)和NiFe厚度(t)的(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(d A)/Ni82Fe18(t A)/Ta(30 A)纳米级坡莫合金系列膜,并对部分样品进行了中温退火.测量了样品的磁电阻曲线和微结构.从实验角度研究了零场电阻率(ρ)随x、d、t及退火的变化.结果表明,NiFeNb作为种子层能较大地提高坡莫合金薄膜的ρ;一定厚度坡莫合金薄膜的ρ极大的最佳工艺条件是x约为27.5%,d约为27.5 A;不同Nb含量、种子层厚度等工艺条件引起坡莫合金薄膜具有不同颗粒粒径分布,从而引起4s↓电子受到的内禀散射、颗粒表面和边界散射及其关系的不同,再加上织构、4s↓电子球对称性受破坏程度和薄膜均匀程度的不同导致了零场电阻率随工艺条件的变化.     

电子在磁埸中运动的对称性

本文在普遍讨论电子在磁场中运动对称性的基础上,较详细地讨论电子在二维磁场中运动的对称性,采用把一个算符分解为具有玻色子、费米子性质的产生算符和消灭算符组合的方法,同时计算出相对论和非相对论情况下电子在二维均匀磁场中的能量。此外,对具有确定宇称的三维磁场中运动电子的对称性也作了讨论。     

热力学中的共轭量对应关系

热力学公式中的变量,往往是成对地共轭出现,共扼量之间有对应关系。本文从共轭变量的角度出发,建立了普遍适用的一整套热力学关系,讨论它们的一些应用,分析产生这种普遍关系的原因。