消失的海岛

19世纪初,有人进行极地探险考察时在西伯利亚北面的拉普帖夫海域发现了一个小岛。它长14km,宽4km,岛上生长着稀疏的耐寒植物,并栖居着一些候鸟。由于该岛气候严寒,考察者在完成测量并把它标绘在地图上以后便离开了。     

世界历史上的大地震

里斯本地震(葡萄牙,1755年11月1日,震级8级以上,死亡约7万人)这次地震是迄今为止欧洲最大的地震。地震发生在距离里斯本城几十千米的大西洋海底。里斯本城遭破坏极其严重,约7万人死亡,其中许多人是由于震后引起的海啸致死的。里斯本地震后,     

用稳态光电导和场效应的联合测量研究Ge的快表面态

文中介绍了用稳态光电导和场效应的联合测量以研究Ge的快表面态的实验方法。用这方法可以得到表面复合速度和表面态陷阱电荷密度与表面势的依赖关系,从而可以确定出快表面态的特征参量(能极位置,能级密度及对空穴和电子的俘获截面)。本文对经硫化处理的Ge表面电学性质进行了测量,结果指出,存在三组分立的快表面态: Et_1-Ei=4kT Et_2-Ei=1.4kT Et_3-Ei=-3.6kT其密度均在10~(11)/厘米~2以上,并对实验结果作了讨论。     

GaN大失配异质外延技术

1　引言以ＧａＮ及ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ合金材料为代表的Ⅲ族氮化物材料是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。其 1 .9- 6.2ｅＶ连续可变的直接带隙 ,优异的物理、化学稳定性 ,高饱和电子漂移速度 ,高击穿场强和高热导率等优越性能使其成为短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备的优选材料。目前用于ＧａＮ外延生长的主要方法有 :金属有机化学汽相淀积 (ＭＯＣＶＤ) ,分子束外延 (ＭＢＥ)和氢化物汽相外延 (ＨＶＰＥ)等。其中ＭＯＣＶＤ是使用最广泛和实用的外延生长方法 ,具有很强的工业应用背景。ＨＶＰＥ技术…     

PECVD SiO_2/InP结构的AES和XPS分析

本文介绍了经不同表面处理制成的PECVD Si为_2/InP 結构的俄歇电子能谱(AES)和X光电子能谱(XPS),分析了SiO_2/InP结构介质层、界面过渡区和体内区的化学组分和组志。并研究了表面处理对SiO_2/InP界面过渡区宽度及其化学物理结构的影响。     

从MOS非稳态Ⅰ-Ⅴ特性测量硅体陷阱参数

本文报导了从MOS结构非稳态Ⅰ-Ⅴ特性求得硅体陷阱参数的实验方法。并讨论了扫描速率、反转电压和温度的影响。     

n型GaN薄膜输运性质与发光研究

系统研究了掺Si的n型GaN的表面形貌、电学性质和光学性质。GaN薄膜采用金属有机化学气相沉积系统（MOCVD）制备,通过选择不同掺杂流量的siH4,使n型载流子浓度变化范围为3×10^16-5．4×10^18cm^-3。原子力显微镜研究发现随掺杂浓度的增加样品表面形貌变粗糙,表面位错坑密度增加,表明了晶体质量下降。变温霍尔效应获得载流子浓度随温度的变化曲线（n-1/T）,拟合得到不同Si掺杂量下,Si杂质在GaN中的电离激活能在12～22meV之间变化,它是施主波函数的相互作用增强所造成。通过研究迁移率随温度（μ-T）的关系曲线,认为载流子输运过程受不同温度下的散射机制影响。光致发光谱研究了室温下GaN薄膜带边发光和黄带,发现带边发光峰的移动是伯斯坦-莫斯效应和能带重整化效应共同作用的结果,并拟合得到了能带收缩效应系数-1．07×10^-8eV／cm,指出黄带的产生和变化与不同Si掺杂浓度下Ga空位的浓度相关。     

SiGeC/Si异质结光电探测器

ＴｈｅｂａｎｄｇａｐｏｆＳｉ-ｂａｓｅＳｉ1-ｘＧｅｘａｌｌｏｙｃａｎｃｈａｎｇｅａｌｏｎｇｗｉｔｈｃｏｎｔｅｎｔｘａｎｄｓｔｒａｉｎ ,ｔｈｅｐｅａｋｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｏｆｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙｕｓｉｎｇｔｈｉｓｍａｔｅｒｉａｌｓｃａｎｂｅｍｏｄｕｌａｔｅｄａｃｃｏｒｄ ｉｎｇｌｙｆｒｏｍ 0 .8μｍｔｏ 1 .6 μｍ .Ｓｉ-ｂａｓｅＳｉＧｅｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｓａｒｅｃｏｍｐａｔｉｂｌｅｗｉｔｈｔｈｅＳｉｖｅｒｙｌａｒｇｅ -ｓｃａｌｅｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ (ＶＬＳ…     

地球之水从何来

世界上水的总储量约有13亿km^3,平铺在地球表面上约3km高。地球表面70％被水覆盖,因此有人把地球说成是“水球”。 比较权威的地质学家对地球水的来源是这样认识的：刚刚形成的地球表面可能含有少量彗核带来的水,即彗核中的固态水。它们在闯进地球上方1000km高空时瓦解,并且很快蒸发成空气中的水汽云。但是空气中水的含量太少,不足以形成这么多的地球水。     

指数二分性与具滞量反应扩散方程的不变流形

使用指数二分性来刻划具滞具的反应扩散方程的不变流形的存在性与光滑性；并给出例子说明其在Ｈｏｐｆ分枝中的应用。