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41.
采用熔盐法,以天然鳞片石墨为宿主,FeCl3与NiCl2的混合物为插层剂制备三元FeCl3-NiCl2-GICs.通过正交试验考察了石墨粒度、反应温度,保温时间及反应物配比等因素对产物阶结构及Ni元素分布的影响.提出了4个指标作为三元GICs阶结构完善程度及三元化进程的评价标准,它们分别为一阶相的体积分数V1、单个鳞片内Ni元素分布的均匀程度σ、试样中Ni元素的相对含量S和产物中Ni,Fe元素的物质的量之比与反应物中NiCl2,FeCl3即Ni,Fe元素的物质的量之比的比S′.确立了制备一阶FeCl3-NiCl2-GICs的最优工艺条件:石墨粒度为325目,保温时间为24 h,反应温度为450 ℃及石墨与氯化铁、氯化镍的配比为36∶9∶3. 相似文献
42.
提出一种基于RBF神经网络在线辨识的永磁同步电机单神经元PID矢量控制新方法,该方法针对传统的PI调节器固定参数所造成的不足,利用具有自适应能力的单神经元PID调节器和RBF神经网络相结合,实现了参数在线辨识,转速在线控制.仿真结果表明该方法控制精度高,动态特性好,适合于永磁同步电机的速度控制. 相似文献
43.
许多似乎是无法解释的地质灾变事件对我们的地球和生物圈有着重大的影响.令人疑惑的是这些灾变事件往往同时发生.通过现代银河系天文学的计算,本文试图运用密度波理论来对此加以解释.通过对旋臂引力场内的能量转移计算,我们获知了撞击事件对于太阳,地球,月球的不同程度的影响.其中,我们发现引力撞击时地球能量存在净损失,并且地球与小星体发生撞击的概率会显著升高.巧合的是,每次太阳系绕过银河系旋臂都对应于一次撞击事件.由此,银河系对日地系统所产生的影响能为地质灾变事件提供可能的解释. 相似文献
44.
近现代以来,随着西方列强的入侵以及西方现代文明的强势介入,中国历史进程出现了一种断层。正是在这样一种历史断层的处境和语境中,中国学者先于西方学者明确地提出了现代化概念与理论。只有以一种历史断层的视野来审视中国近现代以来的历史进程,才能合理地解释为什么现代化会作为一个核心主题在中国凸显出来并贯穿始终,才能正确地理解现代化概念与理论在中国语境中的独特内涵。 相似文献
45.
氧化亚铁硫杆菌浸出废旧锂离子电池中钴酸锂的电化学行为 总被引:1,自引:0,他引:1
采用自制的粉末微电极,运用开路电位法、循环伏安法、线性扫描伏安法和Tafel法,通过有无氧化亚铁硫杆菌作用来对比研究钴酸锂细菌浸出过程的电化学行为。实验结果表明:在细菌的作用下,钴酸锂在较低电位条件下就能被氧化,在溶液中的腐蚀点电位为0.420 V、致钝电位为0.776 V、钝化电位为0.802 V。无菌条件下,由于钴酸锂氧化电流小,不产生钝化膜。钴酸锂细菌浸出阳极氧化过程的反应具有不可逆性,且反应速度受吸附电化学反应及扩散步骤混合控制。细菌在无菌和有菌条件下的氧化速率分别为1.544和1.634μA/cm2,细菌的加入使电子在钴酸锂电极、溶液界面之间的迁移阻力减小。 相似文献
46.
香蕉采摘机械手抓取机构设计及仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
基于香蕉的种植特点和人工采摘特性,模拟人工采摘行为,对香蕉采摘机械手的抓取机构进行设计.利用三维软件构建了采摘机械手抓取机构的三维模型并将此模型导入到ADAMS对虚拟样机进行仿真分析,通过实验数据与仿真结果进行比较,验证了采摘机械手抓取机构设计的合理性,为香蕉采摘机械手的结构设计及仿真提供了一种可行的方法. 相似文献
47.
建立地表移动观测站实测研究是开采沉陷规律研究的最可靠手段。随着嵩山矿2204综采回采工作面的推进,即将推进至赵城水库附近下部,已属水体下采煤。为确切掌握2204工作面回采期间可能对赵城水库附近农田及其他设施产生的影响,在赵城附近区域内埋设观测桩,建立沉降观测站,实时观测赵城附近的地表沉降,获取准确可靠的沉降数据,用以探究偃龙矿区嵩山赵城区域附近的沉降规律,完善观测体系。 相似文献
48.
研究了高级加密标准(AES)中不同结构S盒实现的面积、功耗与安全性因素,为资源受限和安全性要求高的嵌入式加密应用场合提供了设计参考依据.基于仿真工具和0.25 μm,1.8 V工艺库,完成了包括查找表(LUT)、有限域分解(GF(24))、译码交错编码(DSE)等在内的5种S盒结构设计.基于功耗分析攻击,引入了S盒的功耗比率-相关系数积作为安全性指标.仿真结果表明GF结构S盒具有面积小、安全性高等特点,而DSE结构S盒具有极低功耗特性. 相似文献
49.
设计了一种结构特殊的迟滞比较器.电路为单端输入,翻转电压以及迟滞电压均由电路内部产生,通过对电路内部的参数调节即可改变翻转电压和迟滞电压的具体值.电路自身具有一个结构简单的电流源产生电路,不需要从外界获取偏置电压、仅由电源供电,因此有很强的独立性.通过0.6 μm CMOS工艺来实现,HSpice仿真结果表明:在3 V的工作电压下翻转电平可设置在100~240 mV之间,迟滞电压能精确到5 mV,瞬态响应时间小于1 μs. 相似文献
50.