高精度高压脉冲电源原理与实验研究

在脉冲电场非热效应应用中，高精度高压脉冲电源是关键技术之一。利用大功率开关器件(IGBT)配合脉冲升压变压器可以得到高精度高压脉冲电源。该电源通过复杂可编程逻辑器件(CPLD)来产生脉冲触发信号，经大功率IGBT专用驱动模块驱动，可以实现脉冲电压在0～10kV，脉冲频率在10Hz～5kHz，脉冲宽度在2～30μs以及脉冲个数在1～100内的精确控制，并可实现脉冲宽度以1μs为步长增减，可以满足脉冲电场非热效应应用的参数要求。     

电力系统的限流串联补偿原理与实现

给出电力系统限流式串联补偿系统的原理结构,论述了它的控制方法和工作特点.利用电磁暂态过程程序对其暂态过程进行了模拟计算.结果表明,它可以显著改善输电系统的稳定性,大幅度限制系统的短路电流.     

横向磁场对阴极区电子输运参量的影响

运用改进的蒙特卡罗模拟方法, 研究了横向磁场对氦气直流辉光放电阴极区电子输运过程的影响.考虑了四种碰撞.模拟结果表明,横向磁场通过改变电子与中性粒子的碰撞速率,对电子参数产生了重要影响.     

长间隙真空电弧形态演变过程观察

应用设计制作的真空电弧图像瞬态摄像系统,对长间隙下（开距４０ｍｍ）不同时刻的真空电弧图像进行了拍摄,获得了真空电弧形态演变过程．通过外加线圈对灭弧室触头间施加纵向磁场,保持了大电流下电弧为扩散型,降低了电弧电压．通过观察电流过零后的真空电弧图像,发现了真空电弧的重燃点位置,并提出了清除的措施     

真空灭弧室两种封接焊缝应力对比分析

由于焊料凝固限制了瓷壳和金属的自由收缩,在真空灭弧室整管钎焊过程中,会产生陶瓷与金属的封接应力,影响封接强度．在真空灭弧室中,常用的有立封和平封两种封接结构．应用液体焊料的能量约束方程,确定了立封结构的焊料凝固轮廓线,得到了立封焊缝的有限元模型;根据焊料用量和装配模的重力,确定了平封焊缝有限元模型．两种封接结构下的应力分析对比计算结果及标准抗拉件试验都表明,立封结构比平封结构的封接应力小,总拉力和单位面积上的抗拉极限应力都比平封的高．     

真空电弧沉积簿膜厚度分布计算

该文从离子电流密度空间分布函数的角度出发，针对自由电弧沉积和磁场控制电弧沉积两种情况，分别提出了单斑点和多斑点计算模型，进行了平面基片上真空电弧沉积的金属薄膜厚度分布的计算。计算结果表明，自由电弧沉积的膜厚分布曲线存在峰值现象，而磁控电弧沉积的膜厚分布曲线可使该峰值现象得到消除；同时，磁控电弧沉积的膜厚分布均匀性与阴极半径和基片配置距离密切相关，当两者比值选取适当时，可获得较均匀的膜厚分布；旋转基片上所获得的膜厚分布均匀性较之静止基片上获得的膜厚分布均匀性要好。理论计算值与实验测量值吻合。     

CuCr复合材料的导电性

从金属与合金材料的电阻理论出发,通过分析相结构对材料导电性的影响,计算了不同相结构模型下的电导率,并与实际测量结果比较,研究了各模型的适用性,讨论并总结了影响电导率的因素,提出了一些提高材料电导率的方法和措施．