全文获取类型
收费全文 | 2442篇 |
免费 | 49篇 |
国内免费 | 105篇 |
专业分类
系统科学 | 68篇 |
丛书文集 | 127篇 |
教育与普及 | 93篇 |
理论与方法论 | 19篇 |
现状及发展 | 6篇 |
研究方法 | 1篇 |
综合类 | 2282篇 |
出版年
2024年 | 23篇 |
2023年 | 45篇 |
2022年 | 24篇 |
2021年 | 48篇 |
2020年 | 36篇 |
2019年 | 48篇 |
2018年 | 57篇 |
2017年 | 23篇 |
2016年 | 29篇 |
2015年 | 44篇 |
2014年 | 130篇 |
2013年 | 76篇 |
2012年 | 94篇 |
2011年 | 110篇 |
2010年 | 114篇 |
2009年 | 137篇 |
2008年 | 126篇 |
2007年 | 132篇 |
2006年 | 108篇 |
2005年 | 117篇 |
2004年 | 96篇 |
2003年 | 82篇 |
2002年 | 85篇 |
2001年 | 53篇 |
2000年 | 84篇 |
1999年 | 87篇 |
1998年 | 80篇 |
1997年 | 78篇 |
1996年 | 64篇 |
1995年 | 55篇 |
1994年 | 45篇 |
1993年 | 49篇 |
1992年 | 32篇 |
1991年 | 34篇 |
1990年 | 28篇 |
1989年 | 31篇 |
1988年 | 13篇 |
1987年 | 9篇 |
1986年 | 10篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 11篇 |
1983年 | 10篇 |
1982年 | 7篇 |
1981年 | 5篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 2篇 |
1978年 | 5篇 |
1964年 | 2篇 |
1959年 | 2篇 |
1958年 | 2篇 |
排序方式: 共有2596条查询结果,搜索用时 0 毫秒
31.
32.
33.
研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面. 相似文献
34.
APP市场上用户发表的评论包含着对APP软件研发团队的有用信息,尤其是软件功能请求以及具有特定应用的用户体验内容,可以应用到APP软件的版本更新设计中.为了研究海量用户评论在APP软件更新和重新设计中的参与作用,本文提出一种基于词向量表征的句向量相似性计算模型,它可以用于度量来自更新日志文本和用户评论文本中的句子的相似性.然后,本文提出了APP产品的“更新日志-用户评论”匹配算法将不同语义匹配结果划分到不同的数据集.基于真实的APP市场上采集的海量APP软件升级日志数据和用户评论数据的实验证明了本文提出方法的有效性.研究结果还发现:APP开发团队对于用户评论内容的采纳不到20%,而且采纳的内容主要集中在APP软件功能方面.用户评论中众多内容指向企业的营销活动问题,这部分内容由于研发团队在企业运营中的管理角色所限,很少能够顾及. 相似文献
35.
探究湖北海棠(Malus hupehensis(Pamp.)Rehd.)叶中主要成分3-羟基根皮苷对小鼠血糖及糖异生关键酶葡萄糖-6-磷酸酶(glucose-6-phosphatase,G-6-Pase)的影响,为稳定血糖提供可行方案.采用葡萄糖氧化酶法测定胰岛素抵抗模型HepG2细胞的葡萄糖摄取;注射链脲佐菌素建立二... 相似文献
36.
智慧社区服务平台便民服务数据普查系统,采用Trimble MX7车载移动测量系统和自主研发的SMUC城市部件普查系统等先进的技术手段,采集社区名称、类型、定位精准,基本信息确保智慧社区服务平台基础数据准确严谨,平台中能够支持商家和市民实时语音、图片、文字互动,社区便民服务机构能够融入社区服务,为社区居民提供便利. 相似文献
37.
38.
39.
邓国荣 《广西民族大学学报》2001,7(3):186-188
多功能厅系统噪声问题常常影响整个系统扩声效果和图象质量,确保较“干净”的电源向音视频系统供电;隔绝由外界噪声产生的干扰噪声;音视频系统的信号传输和正确配接是提高线路的抗干扰能力前提;建立屏蔽系统和接地网络是抑制电磁噪声基本的有效方法。 相似文献
40.
实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。 相似文献