液体仓库污染评估模型

建立了两个数学模型，利用仓库周围样品所测得的数据来评价液体仓库对土壤的污染情况，两个模型抛开传统的复杂三微分方程，分别从水平切面和坚直剖面入手，建立二维微分方程，并解出可以用代数方法确定参数的解析解，同时，给出获取确定参数所需数据的抽样方法及数据的类型和数据量。     

改进遗传交叉算子求解TSP问题

遗传算法中的交叉算子最根本的作用就是要使子代继承父代的优秀基因。本文着重考虑了用遗传算法求解TSP问题中遇到的交叉算子，根据TSP问题的特点，构造出一种能很好继承父代优秀基因的交叉算子；实例计算表明该算法收敛速度快，从而可以进一步改善遗传算法的性能。     

甾类化合物的直接GC-MS痕量分析

本文采用GC-MS分析方法,直接对甾体激素17α-甲基睾酮(17α-Methyltesterone)β-雌二醇(β-Estradiol)的混合物进行分析。未经衍生中间环节。其检出灵敏度小于1ng。     

内射余模的Baer准则

本文借助余循环余模，研究了内射余模的Ｂａｅｒ差别准则，统一了右余理想和余循环余模，并给出了余半单余代数的一个同调刻划。     

等效粒子模型在氢气氛下ZnO脱硫研究中的应用

本文用热重法研究了球形及圆柱体T305脱硫剂在氢气氛下脱除COS反应的宏观动力学。实验表明,该反应对COS为一级反应。在240～390℃的温度范围内,就粒子上的反应而言,反应初期受反应本身控制,中后期转移到颗粒扩散控制。反应活化能及产物层扩散活化能分别为19.097 kJ/mol和46.438 kJ/mol.用等效粒子模型描述动力学行为,给出了该模型的各参数估值,讨论了有氢及无氢气氛下模型参数的差异及其原因。     

蒸发与凝结现象的分子动力学研究

采用分子动力学方法研究了气液共存体系的蒸发与凝结现象,模拟验证了经典理论对界面分子碰撞流率预测的有效性,并通过对气液界面上的相变微观过程的分析统计,获得了气相分子凝结的判据,以此为依据提出了采用分子动力学方法统计凝结的新方法,模拟计算了3个不同温度下氩的凝结系数,对不同温度条件下的分子动力学模拟表明,氩的凝结系数随系统温度的升高而减小。     

硅单晶上类金刚石薄膜织构和外延取向与界面价电子结构的关系

金刚石和立方氮化硼薄膜由于其优异的性能已经获得了实际应用. 该类薄膜的特定取向对其在光学和微电子学领域的应用有特殊意义. 用固体与分子经验电子理论(EET)计算了衬底硅不同晶面与金刚石和立方氮化硼薄膜不同晶面的相对电子密度差, 从计算结果分析认为, 对所研究的薄膜, 薄膜与基底界面的电子密度差越小, 薄膜在热力学上越稳定, 界面的电子密度差是决定薄膜织构或外延取向的本质原因. 这些推断与实验事实符合得很好. 该计算方法和理论不仅为探讨金刚石和立方氮化硼在硅单晶表面上的薄膜生长机制提供了一个新视角, 还可能为其他薄膜取向的预测提供指导.     

固相合金中的C-Me偏聚理论在陶瓷中的应用

氧化锆陶瓷由于性能优异, 已得到了广泛的应用. 氧化锆陶瓷的相变影响其性能, 为控制相变进而控制性能, 相变机理的研究至关重要. 用固体与分子经验电子理论计算了c-ZrO₂、t-ZrO₂和m-ZrO₂的价电子结构, 得到形成它们强键骨架的共价键上的总共价电子对数分别为3.19184、3.45528和3.79625. 按固相合金中的C-Me偏聚理论的思想推测ZrO₂从高温到低温的相变顺序应为液相→c相→t相→m相. 从价电子结构进行的推断与实验结果完全一致, 说明合金相变的电子理论可以扩展到陶瓷材料中.     

不同的氧氩比对ZnO薄膜性能的影响

利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动.随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小.     

耗散极值原理的电热模拟实验研究

建立了具有32×16节点电阻的电热模拟装置.每个节点的4个电阻可以通过并联低阻值电阻模拟在基材中填充高导热材料.实验表明,使导热性能最优的高导热材料分布与数值模拟结果相一致,从而进一步验证了导热优化的(火积)耗散极值(最小热阻)原理.实验还证明在一般情况下导热过程的优化不宜采用最小熵产原理,因为后者属于热力学优化原理,适用于热功转换过程的优化.