用于侧扫声纳图像边缘检测的改进Canny算子

摘要： 针对侧扫声纳图像斑点噪声强的特点,提出一种改进的Canny算子进行边缘检测. 根据斑点噪声的乘性模型和瑞利分布特性,在非下采样Contourlet变换域进行局部自适应降斑. 该方法在有效抑制斑点噪声的同时可较好地保护边缘,避免了Canny算子造成的边缘模糊. 计算降斑后图像的梯度值分布,对梯度幅值进行非极大值抑制得到极大值点. 将梯度模的极大值点分成强边缘点、弱边缘点与非边缘点3 类,基于类间方差最大自适应确定区分3 类的双阈值,经双阈值处理与弱边缘连接得到边缘图. 对模拟声纳图像和实际声纳图像的边缘检测结果表明,较之Canny算子和小波模极大等边缘检测方法,该方法具有边缘检测完整、定位准确、伪边缘点较少等优点.     

利用聚乙烯废塑料合成高吸水树脂

以聚乙烯废塑料(PE)、丙烯酸(AA)为原料,用反相乳液聚合方法通过接枝共聚合成高吸水性树脂．本文详细探讨了原料用量配比、引发剂和交联剂的选择等因素对吸水率的影响．使用本文方法所得产品的吸水率达400g／g以上．     

基于子结构逻辑的不确定性语义时态查询技术研究

为解决不确定性语义时态查询及其计算资源配置的优化问题,使用子结构逻辑对时态演算机制进行了完善并构建了查询中间件原型. 基于构造性逻辑语义,构建了中间件演算流程,将时态属性映射为类型语义,使针对时间属性的运算从句法演算中剥离,在保证表达能力的前提下,仅进行语义计算,加速并优化了查询演算流程.实验结果表明:该方法与中间件原型可行、高效,具有共性,为时态信息处理提供理论与技术支撑.     

高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究

对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究, 并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较, 分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示, PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势, 但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例, 这会对器件的寿命预测带来影响。 最后给出在PBTI应力条件下, 界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。     

基于孪生神经网络的行文一致性测评研究

针对目前的篇章级行文一致性度量模型只考虑了待测作文的全文行文一致性,无法捕捉文本语义块的隐含语义特征及其之间的一致性问题,提出了一种通用的作文行文一致性测评模型. 该模型借鉴孪生神经网络的思想,创新性地同时提取作文中核心人物的性格、形象特征以及故事情节特征并进行相似度度量,从而获取文本的中心思想以及行文一致性的匹配分数;使用无监督主题模型Biterm-LDA（Latent Dirichlet Allocation）对作文进行主题特征提取,解决了对手工标注的依赖。实验结果表明提出的模型评分与人工标注结果多数一致,且优于普通神经网络模型.      

预制表面缺陷对钢滚动接触疲劳性能的影响

10Cr4Ni4Mo4V是在Cr4Mo4V的基础上研制的航空发动机轴承材料。为研究表面损伤对这两种材料疲劳性能的影响,通过含预制表面缺陷和无表面缺陷的滚动接触疲劳实验,研究了表面洛氏缺陷及其边缘突起对这两种材料接触疲劳性能的影响。通过扫描电镜分析了含表面缺陷试样疲劳发展过程及失效形貌,用X射线应力测定仪测量了试样实验前后残余应力随表面至芯部距离的分布。结果表明,表面缺陷以及缺陷边缘的突起均使材料疲劳性能劣化,10Cr4Ni4Mo4V的接触疲劳性能优于Cr4Mo4V。     

装有动力吸振器的主动悬架性能分析

带有动力吸振器的被动悬架只能改善车辆在高频段的性能,不能提高汽车在低频段的平顺性与轮胎接地性,因而在主动悬架上设计一个质量块作为动力吸振器．用最优控制规律控制主动悬架,同时用状态变量法分析主动悬架的幅频特性和时域性能．结果表明装有动力吸振器的主动悬架不仅可较好地在低频段改善车身的乘坐舒适性和操纵安全性,同时也能降低高频段汽车的振动．     

含NiMo和稀土储氢合金的电催化析氢电极

采用合金电沉积和复合镀技术,将ＮｉＭｏ合金和稀土储氢合金的微粒修饰到镍基表面作析氢反应的催化层。介绍了电极的表面形貌及电极性能的测试结果。结果表明,电极的催化活性和催化层抗氧化能力高于ＮｉＭｏ电极,说明吸附氢起到了保持电极催化活性的作用。所以,在催化层中引入稀土储氢组分,不仅提高了电极对析氢反应的催化活性,更重要的是显增强了催化层的抗氧能力,延长了电极的使用寿命。     

基于三角模糊数的创业教育质量综合评价模型

创业教育质量评价活动具有多因素、多层次,易受主观因素影响的特点,常规层次分析法具有很强的主观性;为降低主观性,用三角模糊数为指标集赋权,并在此基础上利用模糊综合评价对创业教育中质量进行评价;实证分析表明,三角模糊数与模糊综合评价相结合在创业教育质量评价中具有一定的实用价值．     

双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器

设计了一种新型的存储器结构单元——锗／硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器．对存储器样品的C—V测量结果显示了这种结构的P沟道器件有着更加优异的存储性能．数值模拟表明了该器件的编程速度在微秒量级,而保留时间长达10年（约10^8S）．这种新型的存储器结构单元有效地解决了目前硅基纳米存储器存在的工作电压和长久存储之间的矛盾,为硅基纳米存储器的实用化拓宽了道路．