制图规范在定向运动训练中应用的研究

定向运动的开展受很多因素的制约,其中地图是制约该运动开展的重要因素之一,本文就如何应用OCAD制图软件及制图规范的标准发挥其在定向运动训练中的作用进行探讨。旨在提高广大教师和教练员在平时训练中的效果,提高定向运动训练的整体水平。     

如何提高理论力学的教学质量和学习兴趣

根据多年的理论力学课程教学实践,发现学生在理论力学的学习过程中,普遍缺乏学习兴趣,主要原因是理论力学理论好懂、习题难做。本文对此进行了详细探讨,分析降低学生学习兴趣的原因,并关于如何提高理论力学教学质量和学习兴趣提出了几点看法,有助于提高理论力学的教学水平。     

从接受理论看《红楼梦》英译文中的创造性叛逆现象

中国四大名著之一《红楼梦》在国内外都享有盛名,许多学者都曾经对这部小说进行过翻译,其中最具有代表性的两种译本:一个是杨宪益夫妇的译本,另一个是霍克斯的译本。本文将从接受理论的角度去分析,比较这两种译本当中的一些创造性叛逆现象。     

蒜头果叶挥发油提取工艺及其成分分析研究

利用超临界CO2萃取法(SFE)对蒜头果叶挥发油进行了提取及其工艺探索,并利用气相色谱-质谱法对挥发油中化合物成分进行了分析.结果表明:SFE法的最佳工艺条件为萃取压力32 MPa,温度45℃;分离Ⅰ压力10 MPa,温度35℃;分离Ⅰ压力6 MPa,温度35℃,在此条件下进行萃取挥发油,收率为0.72%;鉴定出5种成分,占总含量的98.75%,未鉴定1种,其中含量最高的为扁桃腈,相对含量64.98%,其次为苯甲醛,相对含量13.12%.     

高于90K的钇钡铜氧系化合物的超导电性

1973年以来,对高温超导电性的研究几乎停顿不前.Bednorz和Mulle在La—Ba—Cu—O系中高于30K超导电性的发现迅速改变了这种局面。以后的发展近乎日新月异。赵忠贤等首先报道了在Y—Ba—Cu—O体系中发现高于液氮温度(77K)的超导电性并公布了材料组分。接着C.W.Chu等在Y—Ba—Cu—O多相氧化物超导体中得到了高于90K的的超导电性。最近,更多的研究组在单相YBa_2Cu_3O_(9~-y)氧化物超导体中发现了高于90K超导电性。我们在研制单相YBa_2Cu_2O_(9~-y)超导材料过程中发现,制备条件对超导性质的影响很大。我们选用分析纯钇钡铜的氧化物或碳酸盐。阳离子配比为Y∶B∶Cu=1∶2∶3。在玛瑙研钵里充分研磨以后,在管式炉内900—1100℃通氧烧结12—24小时。冷却速率对超导性质的影响是显著的。缓慢(超过6小时)冷却到室温可得到零电阻温度高于90K的超导电性,如图1所示。快速冷却的零电阻温度低于77K,如图2所     

基于数字PID控制的直流电机控制系统的设计

利用16位微机为控制器,实现直流电机数字PID闭环速度控制.通过实验,给出PID参数的整定与系统动态特性的关系.     

股静脉穿刺置管法的改良及临床应用

目的对股静脉穿刺置管方法改良并进行临床验证。方法选择2003年至2006年卧床危重心脑血管病人30例为A组,行改良的股静脉穿刺置管术,置管时不使用扩张管,穿刺点比常规的进针点位置放低4～5cm;与1999年至2002年30例(B组)行常规的股静脉穿刺置管术比较。结果A组1次穿刺成功25例,总穿刺成功率100%,误穿刺动股5例,局部血肿发生3例,局部渗血2例,比较B组穿刺成功率高,误穿股动脉发生率及局部渗血发生率低(P<0.05)。结论改良的股静脉穿刺置管方法,具有操作简捷方便、穿刺成功率高,尤其能减少误穿股动脉、局部渗血等并发症,是一种值得推广应用的股静脉穿刺方法。     

巍山某锑矿厂周围水土中锑含量的检测分析

目的：检测巍山某锑矿厂周围水和土壤中金属锑的含量,为环保部门开展环境治理工作提供参考。方法：对样品预处理（将土样用捣碎机捣碎,再用分析天平称取5．0000g用浓流酸和浓硝酸在数控消化仪中进行消化）后用AA6200型火焰原子吸收光谱仪测定锑含量。再用标准曲线法对结果进行分析比较。结果：测定表明该矿区周围池塘水有锑污染,生活用水、土壤锑的含量微少。结论：按国家GB3838—2002标准,该厂应对排出的废水进行处理,以免给环境带来影响。     

热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响

利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟（ITO）薄膜，在相同条件下制备了两种不同溅射时间（30、10min）的样品，样品在400℃的大气中进行1h退火处理．利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱，并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度；用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质，包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率．实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响，退火样品在可见光区域的透过率明显提高，且光学吸收边向长波方向移动；然而，退火前薄膜的电学性能更好．     

Co掺杂对Zn1-xCoxO稀磁半导体光学性质的影响

溶胶-凝胶法制备了Co掺杂的ZnO基稀磁半导体,研究其粉体和薄膜的结构和光学特性.X射线衍射结果表明Co2 随机替代Zn2 位置进入ZnO晶格,并引起晶格常数的变化.紫外-可见透射光谱表明样品的禁带宽度随着Co掺杂浓度的增大呈现非单调变化规律,低浓度掺杂样品的光学带隙随掺杂浓度增大而减小(红移),这是由于Co2 替代Zn2 ,局域d电子与能带电子之间的sp-d交换耦合引起的.