附带各类约束的单一型装配线的平衡

本文着重描述了附带各种约束的单一型装配线的平衡问题,讨论了如何在Thomopoulos无约束平衡搜寻方法的基础上,实施附带各类约束的单一型装配线的平衡过程,并给出了在计算机上成功运行的实例及其分析。     

MNT和DNT同分异构体的偶极矩实测和计算

用“溶液法”实测了o-、m-、p-MNT和2,3-、2,4-、2,5-、2,6-、3,4-以及3,5-DNT共9个化合物在CCl_4溶液中的偶极矩;用MINDO/3法计算了它们的气相偶极矩。二者符合良好,线性相关系数为0.996。     

锡在金电极上的欠电位单层沉积的分析应用

用循环伏安法研究了Sn2 在金盘电极上的欠电位沉积.在特别提纯的1 mol/L HCl支持电解质溶液中,Sn2 在金盘电极上可以产生清晰的欠电位沉积峰和本体沉积峰.基于Au/Sn欠电位体系优良的电化学特性,发展了一种选择性好、灵敏度高的电化学分析方法.Sn2 浓度在1.96×10-10～2.91×10-s mol/L范围内与峰电流有线性关系.连续7次测定1.0×10-9 mol/L Sn2 得到的相对标准偏差为5.06%.该方法已用于实际样品的测定,所得结果与原子发射光谱(ICP-AES)所得数据相吻合.     

基于 Mahalanobis距离进行人脸表情的识别

提出了利用Mahalanobis距离进行人脸表情识别的方法.首先将待分类的图像样本集进行坐标变换,使得变换以后类间离散度尽可能大而类内离散度尽可能小,即使变换以后的Fisher准则函数取得极大值,在新的坐标下求每个待分类样本到各类均值向量的Mahalanobis距离,从而将待分类的样本归到Mahalanobis距离最小的类中去,通过实验得到了平均80.25%的识别率.     

中国芯片发展状况

系统地总结和介绍了我国计算机芯片的发展现状．以及产品的开发研制情况，大致包括以下几个主要产品：星光、方舟、汉芯、众志、神芯、龙芯等系列芯片。     

高温高压和不同氧逸度控制下单晶橄榄石电导率的实验研究

在1.0-4.0 GPa,1123-1473 K和控制氧逸度(Ni NiO,Fe Fe3O4,Fe FeO和Mo MoO2等4种氧缓冲剂)的条件下,借助YJ-3000t紧装式六面顶高温高压设备和Sarltron-1260阻抗/增益-相位分析仪,就位测定了橄榄石的电导率.实验结果表明:(1)在测定的频率范围(103106Hz),样品的电导率对频率具有很强的依赖性;(2)随着温度(T)升高,电导率(σ)增大,lgσ与1/T之间符合Arrhenius关系;(3)在Fe Fe3O4氧缓冲条件下,随着压力升高,电导率降低,而活化焓和指前因子增大,并给出样品的活化能和活化体积分别为(1.25±0.08)eV和(0.105±0.025)cm3·mol-1;(4)在给定的压力和温度下,随着氧逸度增加,电导率增大,活化焓降低;(5)小极化子导电机制可为橄榄石在高温高压下的导电行为提供合理的解释.     

采用直接通信模式的CDMA通信方式

提出一种在CDMA蜂窝通信系统中采用终端间直接通信模式的无线接入方式。提案方式中，相距较近的通信终端采用小功率发射的直接通信模式，谋求减轻同信道干扰、增加系统的通信容量。通过计算机仿真证明了提案方式的可行性和有效性。     

约束最优化的改进中心算法

以最优化问题为核心，对中心算法进行了研究．该算法是解决非线性凸约束数学规划的有效算法．在此对其作了几个方面的改进．实例计算分析表明，改进后算法的收敛速度大大加快，迭代的次数大大降低．     

ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。