运用改进的线性规划算法求解分片线性方程组

为了提高求解分片线性方程组的线性规划算法的计算效率,提出基于线性规划算法的改进算法。首先找出若干线性区域组成的超立方体,使得方程组函数在此超立方体上表现为凸函数或凹函数,然后在超立方体上求解一次特定的线性规划问题并判断此超立方体是否含有方程组的解。在算例中该算法需要求解的线性规划问题数目仅为线性规划算法的1/4。该算法无需在全部线性区域上求解线性规划,因此相对线性规划算法提高了计算效率,提高程度取决于方程组函数的性质。     

基于自主引擎的动漫游戏的设计与开发

游戏是动漫产业链中的一环.游戏引擎是游戏或一些交互式实时图像应用程序的核心组件,通过引擎可以制作出更多的游戏产品.本团队采用数据驱动的方法,制作游戏引擎.参照当前最新的动漫人物设计风格,进行绘制,采用CG图片制作技术绘制游戏中的动慢人物,卡通形象的表现更加意象化,给观赏者以美的享受.运用DirectX9的控件实现游戏的快速显示.     

应急管理可视化多元信息系统构建若干问题研究

基于应急管理的4R理论构建了应急管理系统功能模型和结构模型,提出了基于资源层、状态层、决策层和操作层表达的四层结构应急管理可视化多元信息系统模型,并给出了多元信息可视化表示方法示例和分层递阶可视化融合和应急决策模型.     

逆流填料式液体除湿系统传热传质过程解析解

在建立逆流填料式液体除湿系统传热传质过程的数学模型基础上,通过合理的简化处理,导出了描述这一热质传递过程的常微分方程组,得到了相应的解析解;并于精确数学模型的数值解进行了对比,二具有良好的吻合性;利用解析解分析了各参数对除湿性能的影响,所得解析解具有较好的理论及应用价值。     

透射电镜在磁性斯格明子领域的应用

介绍了透射电镜研究磁性斯格明子的原理,以及利用透射电镜结合温度、电流、磁场等外场原位技术协同调控拓扑磁畴结构的方法.该调控方法不仅可以高分辨率表征静态磁性斯格明子的自旋组态,还可以原位、实时展示外场调控的动力学过程,具有在实空间、原位、实时、高分辨率解析斯格明子演变的优势.综述了该方法在中心对称块体、对称性破缺材料和铁...     

黄土高原小流域综合治理效益多维灰色动态评价

构建了黄土高原小流域综合治理效益评价指标体系,以砖窑沟流域为例,选择1989、1998、2010年3个时期,采用多维灰色评估模型进行小流域综合治理效益评价。结果表明,高灰类和低灰类的土地面积均为上升趋势,但高灰类上升缓慢,中灰类呈迅速下降趋势。同时,划分了综合治理效益发展趋势类型,即高稳定型、低稳定型、上升型、下降型和不稳定型,其中低稳定型和下降型的发展趋势成为流域的主要类型。今后的黄土高原小流域综合治理应采取新思路、新策略。图3,参13。     

无板大跨度预应力次梁楼盖边梁协调扭转试验

介绍2个6 m×8 m无整浇板大跨度预应力次梁楼盖试件的边主梁协调扭转试验,探讨无整浇板大跨度预应力次梁楼盖中边主梁与次梁之间弯扭分配的变化过程.对试验现象和实测结果的分析表明,大跨度预应力次梁楼盖的边主梁始终处于弯剪扭复合受力状态下,其协调扭矩不可忽略,不应采用零刚度法;开裂以后,协调扭矩继续随荷载的增加而增长,这与AC I规范塑性设计法的基本假定有显著区别.该结果对规范修订有一定参考价值.     

钢渣-钒钛矿渣基坑回填料的制备及机理

为了推动钢铁冶金废弃物的综合利用,以钢渣、钒钛矿渣为原料替代水泥制备了全固废预拌固化剂,再与黏土制成基坑回填料,采用力学性能测试法、X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)、扫描电镜(scanning electronic microscopy, SEM)和能谱分析(energy dispersive spectrometry, EDS)等测试手段,研究了钢渣细度、钢渣掺量及固化剂掺入比对基坑回填料性能的影响,并测试预拌固化剂的稳定性及水化机理。结果表明：当钢渣比表面积为457 m²/kg,料浆浓度(质量分数)为80%,固化剂掺入比(质量分数)为20%,固化剂配比(质量比)为钢渣∶脱硫石膏∶钒钛矿渣=44∶10∶46时,用其制备的基坑回填料力学性能较好,此时固化剂净浆流动度为136 mm且安定性合格,稳定性优于P·O 42.5普通硅酸盐水泥;在固化剂掺入比为7%～25%,掺入占胶结剂总量0.4%PC型聚羧酸型高效减水剂(polycarboxylic acid, PC),基坑回填料28 d抗压强度均大于0.4MPa,最大为4.7 MPa,回填料坍落...     

缓蚀剂技术结构内涵及应用新领域

正确使用缓蚀剂是防止金属及其合金在腐蚀环境中产生腐蚀的有效方法。由于它不需改变原有设备和工艺过程,只是向腐蚀环境添加某些化学物质就可阻止或减缓金属材料的腐独,因此在国民经济许多部门得到广泛的应用。本文简叙了缓蚀剂的作用机理,类型及缓蚀剂技术结构内涵。讨论了应用新领域若干情况。     

一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源设计

通过将具有高阶温度项的MOS管亚阈值区漏电流转换为电压,并与一阶温度补偿电压进行加权叠加,实现二阶温度补偿.采用高增益的运放和负反馈回路提高电源抑制能力,设计一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源.基于0.18μm CMOS工艺,完成电路设计与仿真、版图设计与后仿真.结果表明,在1.8 V的电源电压下,电路输出电压为1.22 V;在温度变化为-40～110℃时,温度系数为3.3 ppm/℃;低频电源电压抑制比为-96 dB@100 Hz;静态电流仅为33μA.