基于单刃单磨粒正交切削的微铣磨温度仿真

建立单刃单磨粒正交切削模型,采用任意拉格朗日-欧拉(ALE)法,对微尺度铣磨复合加工进行有限元仿真,分析切削过程中的温度场分布与变化情况,以及后刀面磨粒磨削对加工温度的影响.按照热源分布位置划分温度区,分析加工过程中各温度区温度变化规律.通过仿真结果发现,工件加工时温度场中的最高温度出现在磨粒磨削区和毗邻刃口处两个位置;除磨粒磨削区外,微铣磨复合加工工件各温度区温度变化规律与微铣削相同;后刀面磨粒磨削作用使切削过程中工件各温度区温度升高,离磨削区越近,温升越大.     

基于实测电力噪声分布的窄带电力噪声建模

基于实际测量电力噪声特性参数的统计分布,推导非高斯分布的窄带电力噪声模型,主要包括背景噪声和脉冲噪声.前者应用升余弦滚降滤波法建模,其功率服从正态分布;后者利用随机分布的特性参数:脉冲的宽度、间隔和包络所构建的脉冲函数来建模.宽度、间隔和包络随机量均服从分隔马氏链.然后应用实际测量数据和马尔克夫链蒙特卡罗(Markov Chain Monte Carlo,MCMC)分析法比较评估了此模型,数值分析结果显示,模型能够很好地逼近实际的电力噪声.     

聚酯类热致性液晶的合成与其反应性共混的热性能改性

以联苯二氯苄制备的对联苯二甲酰氯和1．6～已二醇为单体合成了热致型主链液晶高分子,并以此液晶高分子与对苯二甲酸乙二醇酯(PET)在少量扩链剂双2-恶唑啉(BOZ)存在下进行反应性共混．探讨了单体摩尔比、反应温度、催化剂等因素对液晶合成的影响．利用红外光谱对对联苯二甲酸和聚酯液晶进行了表征,用DSC对聚酯液晶进行了热分析．研究了对反应性共混条件对共混物热性能的影响．结果表明,BOZ对酯交换的促进作用使玻璃化温度(Tg)升高,延长共混时间和提高共混温度使冷结晶温度(Tcr)升高,溶体结晶温度(Tmc)和熔点(Tm)下降。     

热致性液晶的合成表征

以端羟基的热致性液晶共聚酯PHHT和端酰氯基的聚对苯二甲酸1,6-已二醇酯(PHMT)齐聚物为原料,通过熔融缩聚制备含PHHT和PHMT的嵌段共聚物.并用IR、DSC、POM等方法对聚合物的表征,研究了液晶热行为和结晶行为.结果证明了这些嵌段共聚物为嵌段热致液晶.共聚物Tg<240℃不出现分离现象;Tg>280℃时出现分离.随共聚物PHHT的含量增加,而PHMT结晶现象更为明显.     

基于小波脊的超声信号处理

根据超声信号通常是单频载波脉冲信号,具有渐近信号的特性,提出了一种基于小波脊的超声信号处理算法．首先利用渐近小波变换提取超声信号的小波脊,计算小波脊的移动熵,然后通过移动熵实现缺陷信号与噪声的分离和缺陷定位,最后利用小波反变换重构出缺陷信号．该算法充分利用了超声信号的时域、频域和相位信息,不仅消噪性能好,而且缺陷定位准确     

分区介质样条边界元位移反分析法

通过改造均质体边界积分方程,对分区粘弹性介质的全定义域建立位移反分析边界积分方程及数值求解格式。其具体做法是：在满足分区介质的边界条件和区界联接条件下,均质体边界积分方程中引入虚拟力影响项;用样条函数把分区介质的边界积分方程离散化。由此简化了分区问题反分析计算程序,使之与求解均质问题的计算方法趋于一致     

小RNA合成技术与小RNA药物研究进展

小RNA是一类长度20～24 nt、通过RNA-RNA相互作用调控目标基因的非编码RNA,其作用靶点广泛,能够多途径调节致病基因表达,已经成为新药研发热点。小RNA药物的研发依赖于RNA原料的获取,为此总结了化学合成、体外转录合成及体内生物合成3种小RNA合成方式,重点介绍了使用si-RNA结合蛋白表达siRNA、rRNA支架、tRNA支架及改良tRNA支架4种小RNA生物合成技术;提出利用杂合tRNA支架以生物发酵的方式能够大规模生产重组小RNA,该方法具有活性高、成本低、带有天然修饰、安全性高等优点,为临床RNA药物原料来源提供了备选方案。此外,归纳了美国食品药品监督管理局批准上市的14种小RNA药物以及当前在研小RNA药物的最新研究进展,分析了小RNA药物所面临的挑战及未来发展方向,以期加深对小RNA合成技术和小RNA药物研究进展的理解。     

0.12μm至1.2μm振动测量技术研究

采用电子散斑时间平均法振动测量原理,通过Ｂｅｓｓｅｌ函数的余弦近似和对参考振动的劝相位和振幅的控制,并实施三步相移,从而实现了振幅的定量计算,使得振幅在０．１２μｍ至１．２μｍ辱劝精确定量测量成为可能,其测量精度较云纹估算法有很大提高,该系统具有全场、非接触、测量速度快、测量精度高等优点。     

外场导致的分形体的结构及偶分布函数

用计算机模拟,研究了电场下的团簇－团簇凝聚（ＣＣＡ）和扩散限制凝聚（ＤＬＡ）的结构转变。结果显示,当电场由弱到强时,凝集体从典型的无序向有序结构转变,即从ＤＬＡ和扩散ＣＣＡ分形体内沿电场方向的链状结构转变。凝聚体的偶分布函数显示,随着外场的增强,体系逐渐从局域有序向长程有序过渡。这些结果有利于加深人们对电场下ＣＣＡ和ＤＬＡ的认识和电场下胶体聚集现象的理解。     

n阶全阵环的零因子

n阶全阵环存在零因子 ,本文给出了零因子存在的充要条件 ,并借助于广义逆矩阵 ,得出了零因子的计算公式 ,进而找出零因子。