天津市地基土标准土层的建立

本文以天津市平原地区为例,在深入分析研究区域地基土发育分布规律的基础上,探索了地基土标准层位划分的技术可行性和工作方法,研究确定出地基土标准层位划分的基本原则,提出地基土标准土层的编码规则,并对天津地区200米深度范围内的地基土进行了系统性的划分,用以指导和规范建设工程各类岩土工程工作,经实际工程验证,效果良好。     

4,5-二苄硫基-1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮的制备和晶体结构

合成了新型二硫杂环戊烯类化合物 4,5 二苄硫基 1,3 二硫杂环戊烯 2 硫酮 ,并用IR ,NMR和X射线衍射进行了结构表征 .结果表明 ,标题化合物晶体属正交晶系 ,空间群为Pna2 1 ,晶胞参数a =1.34 15 (4 )nm ,b =2 .2 432 (5 )nm ,c=0 .5 5 94(2 )nm ,α =β =γ =90° ,V =1.6 834 (9)nm3 ,Z =4,Dc=1.494g/cm3 ,最终偏离因子R =0 .0 35 5 .     

改进的局部扩展拟合图像分割方法

局部扩展拟合(RSF)模型可以有效解决灰度不均匀的图像分割问题,但传统的局部拓展拟合模型只考虑了图像上一点在其局部拓展区域内与零水平集相交的情况,易导致过分割现象.为此, 提出了一种改进的局部拓展拟合方法,即在RSF模型的基础上考虑图像上每一点在其扩展邻域内与零水平集不相交的情况,并重新定义了此情况下灰度能量的取值,使该点的内部灰度能量与外部灰度能量严格相等.实验结果表明所提方法有效解决了由初始化问题导致的过分割现象.     

加入WTO高校图书馆面临的挑战及对策

分析了加入WTO后高校图书馆所面临的新挑战，并提出了相应的对策，包括树立全球硬．念，把握图书馆事业发展的新趋势；树立正确的竞争观念，积极参与国际市场竞争；搞好网络化建设，构建高校图书馆的共享资源数据库；注重人才培养，适应国内外环境的新变化等。     

天津市乡镇工业企业环境行为研究中的公众参佑

简要概括了公众参与在乡镇企业应用的必要性,随后以天津市问卷调查为例,详细介绍了调查问卷的设计,并用统计的方法分析了调查问卷所得到的结果.通过实例证明,公众的环境意识及其对政府和乡镇工业企业环境行为的态度都有了新的特点,但也存在一些尚未解决的问题.     

γ-氨基丁酸经由细胞微丝骨架对拟南芥气孔开闭的负调控

为研究γ-氨基丁酸(GABA)信号在气孔开闭中的作用,将标记微丝的质粒35S-talin-GFP导入LBA4404农杆菌中,用浸花法转化哥伦比生态型(Columbia phenotype)拟南芥.通过卡那霉素抗性筛选,分别筛选到5个抗性株系.对T2代转基因幼苗根的荧光观察,证实了抗性株系均为转基因植株,在根的分生组织、伸长区、成熟区和气孔保卫细胞处都有较强的荧光表达.将GFP标记细胞骨架的转基因植株的叶片下表皮放在气孔张开液中充分反应2h,98%的气孔已经完全张开;将完全张开的气孔转移到含有1 mM GABA的溶液反应30 min,80%左右的气孔逐渐关闭,说明GABA信号是引起拟南芥气孔关闭的诱导因素,GABA能显著降低气孔开度,该信号促进气孔关闭是一个快速反应的过程.     

与（2^r,（2^r—1）!）—拉丁阵有关的矩阵的分类

利用（２＾ｒ，（２＾ｒ－１）！）－拉丁阵（ｒ≤３）中任一列排列与行号序列可以确定一个ｒ×２＾ｒ矩阵Ａ，对Ａ划分等价类并对等价类进行计数。     

骨牵引针道感染的相关因素研究

目的探讨分析骨牵引针道感染的相关因素。方法对120例应用骨牵引治疗的患者的针道分泌物或渗出物进行细菌培养，同时拟对11个感染的相关因素进行临床分析和单因素、多因素非条件logistic回归分析。结果发生针道感染11例，感染率90％。针道感染主要危险因素是固定时间，伤情，合用激素与否，和有无伴有糖尿病。结论针道感染的高危因素为固定时间，伤情，合用激素与否，和有无伴有糖尿病。因而，对有高危因素存在的骨牵引治疗者牵引针的针道要临测各项感染指标，避免针道感染的发生。     

热轧低碳DC04钢表面色差产生机理及控制

针对钢铁企业生产中热轧低碳DC04钢出现的色差问题,通过对现场取样分析,明确了造成热轧带钢表面色差缺陷的主要原因是中部和边部的氧化铁皮的厚度和结构存在差异.为解决这一问题,利用高温差热分析仪(TGA)和场发射电子探针(EPMA),模拟研究了在连续冷却过程中氧化铁皮微观结构的转变规律.结果表明,先共析Fe3O4优先在原始的Fe3O4层处形核生长,随着温度的降低,开始生成片层状的共析组织Fe3O4+α-Fe,但当冷却速率达到25℃/min时,共析反应被阻止.依据实验结果在生产现场进行工业试制,通过合理的设定卷取温度和冷却速率有效地控制氧化铁皮微观组织结构和厚度,基本消除了表面色差缺陷.     

硅单晶上类金刚石薄膜织构和外延取向与界面价电子结构的关系

金刚石和立方氮化硼薄膜由于其优异的性能已经获得了实际应用. 该类薄膜的特定取向对其在光学和微电子学领域的应用有特殊意义. 用固体与分子经验电子理论(EET)计算了衬底硅不同晶面与金刚石和立方氮化硼薄膜不同晶面的相对电子密度差, 从计算结果分析认为, 对所研究的薄膜, 薄膜与基底界面的电子密度差越小, 薄膜在热力学上越稳定, 界面的电子密度差是决定薄膜织构或外延取向的本质原因. 这些推断与实验事实符合得很好. 该计算方法和理论不仅为探讨金刚石和立方氮化硼在硅单晶表面上的薄膜生长机制提供了一个新视角, 还可能为其他薄膜取向的预测提供指导.