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高压IGBT暂态机理模型分析 总被引:4,自引:0,他引:4
在已有的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)机理模型的基础上将IGBT分为金属-氧化层-半导体-场效晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)和双极结型晶体管(bipolar junction transistor,BJT)2部分,分别对其进行建模,同时给出了模型参数的提取方法。模型在Matlab中实现。以FZ600R65KF1型IGBT为例给出了模型参数值,并完成了该型号IGBT的单管测试实验。通过对高压IGBT开通暂态、关断暂态和开关损耗的仿真结果和实验结果进行比较,验证了机理模型对于高压IGBT的适用性。 相似文献
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为了寻找更好的实现光伏发电系统最大功率点跟踪控制方法,基于仿真模型,研究了太阳能光伏电池阵列的特性。采用Matlab/Simulink模块,基于单个光伏电池的物理特性建立了太阳能光伏电池阵列的仿真模型。模型不但能分析太阳能光伏电池阵列所具有的随着光照强度和温度不同而变化的P-V和I-V非线性特性,而且可仿真太阳能光伏电池阵列工作在最大功率点以及稳定工作区域内时具有线性关系,并进行了理论推导。该模型简单明了,计算速度快。仿真结果表明:仿真与实验结果相符合,当光伏阵列工作在稳定区域内的情况下,dP/dV与I存在线性关系,模型具有通用性与实用性。 相似文献