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991.
在火电厂烟气湿法脱硫系统中用于吸收烟气中SO2气体的石灰石浆液具有腐蚀性和磨蚀性,系统中所配备的管道、设备的材料都需一种与马氏体型、奥氏体型和铁素体型不锈钢并列的新型双相不锈钢.这类钢是在18-8奥氏体型不锈钢的基础上提高Cr含量或加入其他铁素体元素而形成的,使钢材具有奥氏体加铁索体双相组织. 相似文献
992.
浅谈如何做好医院消防工作 总被引:1,自引:0,他引:1
医院属公共场所,具有人员相对集中、易燃易爆物品、电气设备和明火使用较多的特点。在场所规模上,现代化综合医院建筑密集其建筑亦向大型化、高层化、综合化发展。一旦发生火灾,可能造成重大财产损失和人员伤亡。 相似文献
993.
本文基于笔者多年从事土地调查及地籍测量的相关工作经验,以3S技术在二调中地类调绘中的应用为研究对象,分析了3S技术在地类调绘中的优势,在分析了综合调绘法和全野外调绘法的特点基础上,总结出了两种调绘方法的适用范围。相信对从事相关工作的同行有着重要的参考价值和借鉴意义。 相似文献
994.
基于可持续发展能力评价指标体系, 利用快速评估方法, 对全国2339个县(市)1990?2005年间可持续发展能力的动态变化进行研究。结果表明, 1990?2005年中国平均可持续发展指数由0.38增为0.50, 可持续发展能力呈上升趋势。不同区域可持续发展能力等级结构比较结果表明, 1990?2005年中国东、中、西部可持续发展能力均呈上升趋势, 可持续发展等级由低向高转变。东部地区可持续发展能力高于中、西部地区。通过城乡可持续发展能力等级结构比较分析, 表明52个主要城市可持续发展能力远高于县域地区, 以点状和带状为特征的城市圈和城市群对可持续发展能力的促进作用明显。 相似文献
995.
诱导有序加权平均的组合预测模型及其应用 总被引:5,自引:0,他引:5
有序加权平均算子是近年来发展的在许多领域有着广泛应用的信息融合方法.本文引进诱导有序加权平均算子的概念,并探讨了它的一些性质,然后建立诱导有序加权平均新的组合预测模型,最后给出其在股票价格预测中的应用研究,实例分析结果表明了该方法的有效性. 相似文献
996.
建立了以沉淀聚合方式合成氧氟沙星分子印迹微球的方法,并对其进行了性能表征。优化的合成条件是:模板分子氧氟沙星、功能单体4-乙烯基吡啶和交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯用量分别为1、4和60 mmol(摩尔比为1∶4∶60),引发剂偶氮二异丁腈为0.2 mmol,溶剂乙腈为220 mL,反应温度为60℃,反应时间为20 h。Scatchard分析表明,在最优条件下合成的印迹微球存在两类不同性质的结合位点,高亲和性吸附位点平衡常数和最大表观吸附量分别为3.423 mmol·L-1和133.16μmol·g-1,低亲和性吸附位点平衡常数和最大表观吸附量分别为19.26 mmol·L-1和568.65μmol·g-1。印迹微球重复使用次数不少于9次,具有直接用作固相萃取柱填料的潜力。 相似文献
997.
建立了微球形氯嘧磺隆分子印迹聚合物的合成方法.优化了影响聚合物吸附性能的参数,对聚合物微球进行了性能表征.在氯嘧磺隆印迹微球的合成方法中,功能单体为甲基丙烯酸,交联剂为乙二醇二甲基丙烯酸酯,溶剂为乙腈,引发剂为偶氮二异丁腈,当其用量分别为0.25,1.5,5 mmol(物质的量比1:6:20)、30 mL和0.30 mmol时合成的分子印迹聚合物对氯嘧磺隆有最好的特异性吸附能力.运用Scatchard 方程测定了该聚合物的结合能力.结果表明,聚合物中具有两类亲和性吸附位点,高亲和性吸附位点的最大表现吸附量Qmax1为63.46 μmol/g,平衡常数Kd1为0.655 7 mmol/L;低亲和力吸附位点的最大表观吸附量Qmax2为437.085 μmol/g,平衡常数Kd2为11.00 mmol/L.聚合物微球在重复使用9次后吸附性能基本无下降.本制备方法具有无需研磨筛分即可得到分子印迹微球的特点,便于作为固相萃取柱和色谱柱的填料使用. 相似文献
998.
999.
针对带状责任探测区多架预警机协同探测问题,根据是否进行更高层级的多情报源信息融合处理,定义了两种协同模式。构建了多预警机实时探测覆盖区估算模型;提出了稳定覆盖度概念和定量公式;讨论了带状责任探测区中多预警机部署问题,给出了具体的协同部署优化决策模型。对两种协同模式下多预警机部署问题进行仿真分析,结果表明Model2明显优于Model1,所构建的各种估算与决策模型考虑了各种主要的内、外因素,具有实用价值。 相似文献
1000.
建立水平式GaAs的金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)数学模型, 采用求解压力耦合方程的半隐式(SIMPLE)算法对反应气体流动进行二维数值模拟, 并基于边界层动量、热量与扩散传质的相关理论分析了薄膜制备过程中化学组分的输运, 以及反应前驱物与气相之间的传热过程. 计算所得的GaAs生长速率与实验结果吻合较好. 同时, 数值讨论了反应器进气流量、操作压力以及基底温度对GaAs生长速率的影响. 薄膜生长的速率峰值随入口气体速度的升高而有所增大, 但薄膜生长逐渐趋于不均匀性. 因此, 选取气流速度为0.104 m/s. 薄膜生长速率随着操作压力的增大而增大, 当压力为6 kPa时, GaAs生长速率较压力为2 kPa时提高了223%, 薄膜具有较好的生长速率和均匀性.基底温度对薄膜生长速率影响显著, 在1 050 K时薄膜有良好的生长速率和均匀性, GaAs生长速率比温度为950 K时提高了123%. 研究结果为优化MOCVD反应条件及其反应器的结构设计提供了理论依据. 相似文献