类金属对(Fe_(80)Ni_(20))_(78)Si_xB_(22-x)系非晶磁性合金居里温度和晶化温度的影响

研究了类金属 Si 和 B对(Fe_(80)Ni_(20))_(78)Si_2B_(22-x) 系非晶磁性合金居里温度T_c 和晶化温度T_x 的影啊。实验发现,随Si 含量的增加(或随 B 含量的减少),T_c 降低,T_x 增加。T_c 的这一变化规律可用本文提出的有效 Fe 原子数的变化来解释;T_x 的变化规律可用类金属价电子密度 e/a 的变化来解释。     

子网络级故障的交叉撕裂搜索法

本文提出的交叉撕裂搜索法，突破了撕裂端点（子网络间关联接点）全部可及的限制，根据间接可测端点可信性的拓扑条件选择可及点的一种子网络级故障诊断方法。它具有普遍意义．     

青年颈椎病初探

长期以来,人们普遍认为颈椎病为中老年人的多发病,但在我院自1984年7月至1987年12月止的355份颈椎病病例中,年龄在30周岁以下者竟有43例,比率高达12.11%.由于医师、患者均对青年罹患颈椎病之可能缺乏认识,其中13例(30.23%)曾被误诊,29例(67.44%)患者自恃年青,拖延到症状出现,1—9年以后才来就医.本文所强调的是对颈椎病的注意力不应仅限于中老年人,无论是临床或基础研究,都应将视野扩展到青年领域中去.并对青年颈椎病的临床表现、病因、发病机理及治疗等问题进行了初步探讨.     

涡流室式柴油机放热模型的应用研究

柴油机放热率的计算是分析和提高柴油机性能的重要手段之一。作者对涡流室式柴油机放热计算的理论模型和经验公式作了进一步的分析探讨,并计算和分析了S195型涡流室式柴油机的燃烧放热率,为这一计算工具在这种柴油机上的有效应用提供了一些经验。     

a—Si:H太阳电池的RBS技术分析

用背散射技术分析了辉光放电法制备的非晶硅太阳电池。测出了a—Si:H、Al、ITO各层膜的厚度,H和C在非晶硅氢合金中的浓度。分析出了a—Si:H表面含有的某些金属杂质的浓度。消除这些杂质后,a—Si:H大阳电池的性能和稳定性得到改善。     

硫酚自组装单分子层修饰金电极的电化学特异性及其应用

近年来,采用“LB”膜和分子自组装技术在电极表面形成的高度有序的单分子层化学修饰电极,由于能在电极表面建立特定的化学微结构而引起人们的关注.用饱和烷烃巯基化合物通过Au-S键在电极表面形成稳定、高度有序的自组装单分子层已有不少报道.本文研究了不饱和巯基化合物硫酚(TP)在金电极表面自组装形成的单分子层修饰电极(Au/TP)的电化学特性;循环伏安和交流阻抗的研究表明Au/TP表现出和阵列微电极相似的电化学特性;探讨了Au/TP电极在复杂电极反应机理的研究及快速电极反应速率常数的测定等方面的应用.     

用表面裂纹法研究表面强化层的疲劳裂纹扩展抗力

本文采用表面裂纹法研究了碳氮共渗、氮化及滚压强化层的疲劳裂纹扩展抗力。与常规的紧凑拉伸试验法相比，前者能灵敏地反映出表面强化层组织及性能的影响，后者却难于实现。试验证实碳氮共渗层中由于残留奥氏体应变诱发马氏体，导致疲劳裂纹扩展抗力提高；滚压强化及渗氮均能提高表面压应力，也使疲劳裂纹扩展抗力明显提高。     

ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量，计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子，计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。     

一类新遗传算法

针对标准遗传算法(SGA)收敛速度慢和早熟的缺陷,从生物学和人类社会学得到启示,在每一代完成遗传操作后引入一个学习过程;从模式的角度出发提出学习概率的确定原则并确定了其计算方法.实现了进化过程中同代个体之间相互竞争与学习的结合.采用惯用的测试函数进行比较研究,仿真结果表明此算法提高了SGA的全局收敛速度,克服了早熟的缺陷,且在群体规模较小的情况下仍然能够达到全局最优,具有较好的寻优能力和一定的现实意义.     

基于网络流量自相似的DDoS攻击检测方法

分布式拒绝服务攻击(DDoS)是目前黑客经常采用并极为有效的网站攻击手段。本文在验证局域网流量具有严格自相似性的同时,介绍了常用的Hurst参数计算方法。通过大量实验研究了DDoS攻击对Hurst系数产生的定量影响,并在实验数据分析的基础上,提出了攻击发生和结束的准确判据。实验结果显示,该方法性能良好。