基于多尺度模糊逻辑的小波边缘检测方法

针对非极大抑制法中由于单一选定阈值所带来的确定性对边缘提取效果的影响,提出了一种新的基于模糊逻辑的图像边缘检测方法,即在不同尺度下实现图像的模糊增强,从而提高边缘检测精度.该方法对图像分别在不同尺度下低通滤波后实施广义模糊增强算法,增强灰度的区域对比度,更好地实现了在大尺度下抑制噪声、在小尺度下精确定位的效果.实验证明了该方法对影子(phantom)边缘的检测有较好的效果.     

体教融合背景下篮球后备人才培养的现实困境与推进策略

“体教融合”的提出对青少年全面发展和竞技体育后备人才的培养有重要意义。运用文献资料法、历史研究法、逻辑分析法等方法对“体教融合”政策下篮球后备人才培养的现实困境和推进策略进行分析。研究发现,我国篮球后备人才培养存在以下问题：体育与教育部门协同工作力度不足;青少年篮球后备人才培养与篮球竞赛体系不匹配;篮球后备人才基数小,人才梯队不完善;“学训矛盾”导致篮球后备人才成才率低;基层教练员训练教学手段不科学。为此,推进如下策略：完善顶层设计,整合教、体、社三方资源;完善各级篮球竞赛体系,帮扶俱乐部稳步发展;推进篮球特色学校建设,增加篮球后备人才基数;缓解“学训矛盾”所带来的割裂之痛;全方位提升教练员水平,保障运动员学习、训练、康复。     

升温及淹水条件下土著与外来盐沼植物的生长和光合特征比较

针对我国海岸带典型土著植物芦苇(Phragmites australis)和外来物种互花米草(Spartina alterniflora),研究了其在升温(约升高3℃)和淹水(浅淹水和深淹水)条件下的生长和光合特性.结果显示,升温处理增加了不淹水和浅淹水条件下的芦苇株高、叶面积、最大光合速率与表观量子效率,而对深淹水条件下的芦苇影响较小.深淹水处理下芦苇株高最高,但叶面积最小,体现了其形态适应性.深淹水处理显著降低了生长季中期与后期的芦苇光合和叶绿素荧光参数.升温和淹水处理均提高了互花米草的生长、光合和叶绿素荧光参数,且升温条件下的增加程度较芦苇高,各生长阶段不同淹水处理之间没有显著差异.方差分析表明,升温和淹水处理对芦苇生理生态参数的影响显著程度具有季节差异性,淹水处理的影响更为显著,并存在因子交互作用.升温处理对互花米草光合参数有显著影响,而淹水处理的影响不显著.因此,外来物种可能比土著物种更能适应未来气温升高和海平面上升的环境条件.     

银杏果熟了

<正>门前的银杏树叶子黄了,银杏果随之熟了,秋天便充满了诗情画意。清晨,门口静静地躺着一片杂乱无章的银杏叶和银杏果。我抬头一看,一根银杏树枝被沉甸甸的果实压断了。一辆车驶过,一些银杏果被轧得粉碎,妻子见状,心疼地说：“这么好的果子,太可惜了！”于是,我们拿来竹篮,一个个地捡银杏果。一阵秋风吹过,树枝摇摇晃晃,又有一些银杏果哗啦啦地坠落到地上,     

基于原型自动编码机的GPS空时自适应抗干扰方法

针对GPS接收系统的空时自适应抗干扰技术,提出了一种基于原型自动编码机的空时自适应算法.通过对空时自适应和算法的建模,研究了该算法的性能.系统仿真表明,该算法不仅能抑制大于阵元个数的多个宽、窄带干扰,而且有很好的收敛性,对工程实践具有一定的指导意义.     

图的独立数与分数一致性

设G是一个顶点集为V（G）,最小度为δ（G）,独立数为α（G）的图, k≥2是整数。图G的支撑子图F称作是图G的分数k-因子,如果对于每一个x∈V（F）都有dhG（x）＝k。如果对于图G的每条边e,图G都有一个分数k-因子包含它而且同时有一个分数k-因子不包含它,则称图G为分数k一致图。证明了如果δ（ G）≥k＋2,且α（ G）≤4k（δ-k-1）（k＋1）2,则图G是一个分数k一致图。     

园林苗木移植应注意的问题

文章分析了园林苗木移植成活的基本原理和技术措施,同时指出在园林苗木移植过程中应注意的问题。     

找部首组字

图中的8个图形代表8个汉字,它们能与同一个部首组成新字。你能在2分钟内说出这个部首来吗？     

土壤模型复杂化对输电线路杆塔接地及耐雷性能的影响

传统输电线路杆塔接地工程设计均基于无限大均匀土壤电性模型,该土壤电性模型与实际土壤不符,可能造成接地设计的不准确。基于拉普拉斯方程,推导了水平双层和垂直双层土壤电性模型下的杆塔接地装置的电位函数表达式,从而提出了相应条件下接地电阻的计算方法。以三门峡地区110kV中横线典型铁塔接地为例,分别采用规程法和分层土壤精确计算法,对无限大均匀土壤、水平双层和垂直双层等土壤电性模型下的典型线路杆塔反击跳闸率进行了计算。结果表明,若以无限大均匀土壤设计接地装置,其反击跳闸率较土壤二分层情况低。     

锡掺杂的氧化铟透明导电膜的霍尔系数测量

采用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法在玻璃基片上沉积了锡掺杂的氧化铟锡（ＩＴＯ）透明导电膜。在沉积过程中保持了辉光放电电流、氧分压、氧流量、蒸发速率等工艺参数不变，而基片温度由室温变化到达３００℃。用四探针法测量了膜的方阻和用直流法测量了膜的霍尔系数，计算出膜的电阻率ρ、霍尔迁移率μ、载流子浓度ｎ，从而研究了基片温度对膜的导电性能的影响。