新型稀土功能材料

本文对稀土光、电、磁等功能材料的发展作了评述,并就我国开展稀土功能材料及有关基础问题的研究提出了建议。     

正交晶系DyF_3，HCF_3和YbF_3的电学性质

正交晶系ＤｙＦ＿３，ＨｏＦ＿３和ＹｂＦ＿３的电学性质吴明　，罗裕基，任玉芳，苏锵（中山大学化学系，广州５１０２７５）（中国科学院长春应用化学研究所）关键词α—ＹＦ３结构的氟化物，电导性能分类号（）４７２．４，《）６１４．３３氟调澜矿型结构的典型化合物...     

碲酸合铜（Ⅱ）和高碘酸合铜（Ⅱ）配合物的性质和电化学氧化

测试了碲酸合铜（Ⅱ）和高碘酸合铜（Ⅱ）配合物的电子光谱、电子顺磁共振谱、Ｃｕ２ｐＸＰＳ，并给出了配合物溶液中“Ｃｕ（Ⅲ）／Ｃｕ（Ⅱ）”对的循环伏安图．由电子光谱求得其八面体场强参数Ｄｑ值分别为１３５０ｃｍ－１和１４５０ｃｍ－１，结合电子顺磁共振谱、Ｃｕ２ｐＸＰＳ，探讨了配合物中铜与氧之间的化学键性质，确证了Ｃｕ－ＯＩ键的共价性强于Ｃｕ－ＯＴｅ键，高碘酸根对铜（Ⅱ）具有更强的配位能力．基于“Ｃｕ（Ⅲ）／Ｃｕ（Ⅱ）”对的循环伏安图，在碱性溶液中，用电化学法成功地将二价铜氧化成三价铜．     

离子取代对La_2CuO_4结构的影响

详细研究了各种离子取代Ｌａ２ＣｕＯ４中的Ｃｕ２＋、Ｌａ３＋和Ｏ２－后对Ｌａ２ＣｕＯ４结构的影响．Ｌａ２ＣｕＯ４在常温下具有正交结构．当Ｌａ３＋被Ｓｒ２＋或Ｃｕ２＋被Ｎｉ２＋取代后，正交结构便转变为四方结构．Ｍｇ２＋取代Ｃｕ２＋使Ｌａ２ＣｕＯ４存在着向四方结构转变的趋势；其它离子取代Ｌａ３＋或Ｃｕ２＋都使Ｌａ２ＣｕＯ４保持正交结构．利用ＸＲＤ（Ｘ－射线粉末衍射）和ＩＲ（红外光谱）对取代样品的结构进行了表征     

微波热法煅烧高岭土的机理研究

对微波法煅烧高岭土进行了初步研究.实验结果表明,微波场作用下高岭土的相变过程和常规加热法相同: 即从晶相(高岭土)变成非晶相(偏高岭土)最后转变成晶相(莫来石). 但微波法与常规煅烧法相比,其相变速度加快了4～12倍,相转变温度也相应降低了200 ℃左右,产物的平均粒径也更小.SEM结果表明微波和常规法煅烧所得产物的晶形均以片状为主,但微波煅烧所得产物的晶形更为圆滑.此外,微波煅烧高岭土所得产物的白度和常规法相近.     

长余辉发光材料SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的稳定性研究

Eu^2 和Dy^3 激活的铝酸盐是典型的长余辉发光材料，吸引了广大科研工作进行研究，且已广泛用于人们的日常生活中。但是，这类长余辉发光材料在水溶液中极易水解、抗湿性差，严重制约了其应用，为此采用了在其表面包覆抗湿性能较好的无机膜来提高其耐水性，采用XRD、SEM等方法来表征其膜的存在，且对荧光粉包膜前后的发光性能及耐水性进行了详尽的研究。结果表明包膜并没有对荧光粉的发光性能有太大的影响，却使其耐水性有了较大的改善。     

关于磷光体NaMVO4：Eu^3＋的光谱性质研究

该文研究了Ｅｕ＾３＋在基质ＮａＭＶＯ４中的掺杂方式，测定了Ｅｕ＾３＋在此基质中的光谱性质，并研究了基质的ｓｔｏｋｅｓ位移、Ｅｕ＾３＋的电荷迁移带和电荷补偿剂Ｌｉ＾＋对Ｅｕ＾３＋发光性质的影响。结果表明，Ｅｕ＾３＋在此基质中占据偏离反演中心格位，以２个Ｅｕ＾３＋中的两个格位，余下的一个Ｍ＾２＋格位由一个空位取代，而且随Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ的变化，Ｅｕ＾３＋的电荷移带发生红移。     

白光LED用新型低温玻璃荧光体SiO2YAG:Ce3+的制备及性能研究

 采用溶胶凝胶法制备并研究了白光LED用新型低温玻璃荧光体SiO₂YAG:Ce³⁺的发光性能。X-射线衍射(XRD)图谱分析表明所得荧光体主相为Y₃Al₅O₁₂;扫描电镜照片(SEM)显示其粒径在10 μm左右;双指数拟合后的荧光寿命是10.29和58.89 ns;该玻璃荧光体与蓝光芯片组合成的白光LED器件具有良好的色坐标(0.303,0.319),研究表明SiO₂YAG:Ce³⁺是一种潜在的无环氧树脂的新型白光LED用荧光体。     

一种新型发红光材料SrGdGa3O7:Eu 3+及其性质研究

 采用高温固相法合成了发红光的荧光粉SrGdGa₃O₇:Eu³⁺。漫反射光谱和激发光谱中Eu^₃₊的电荷迁移带、Eu³⁺离子f→f跃迁以及Gd³⁺离子^8S_7/2→⁶I_7/2的跃迁相互吻合;监测Eu³⁺离子的特征发射,激发谱中有Gd^3+离子的激发线表明存在Gd³⁺→Eu³⁺的能量传递。发射光谱中以⁵D₀→⁷F₂ 跃迁为主,表明Eu³⁺离子所占据的晶体学格位没有对称中心的Cs格位。根据低温下的发射光谱计算了⁷F₁ 和^7F₂ 能级完全解除简并后的每个分裂能级的位置。Eu³⁺的发射发生明显的温度猝灭现象,同时发射谱线的分辨率也逐渐降低。Eu³⁺离子的⁵D₀→ ⁷F₂ 跃迁在不同温度下的荧光衰减曲线相似;随着温度的升高,荧光发射强度衰减越快,但是仍然处于毫秒数量级;⁵D₀ → ⁷F₂ 跃迁是宇称和自旋禁阻的跃迁,所以荧光衰减时间比较长。