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81.
南黄海悬浮体和沉积物的物质来源和运移:来自碳稳定同位素组成的证据 总被引:17,自引:0,他引:17
利用1998年5月航次中所采集的南黄海海域7个断面、67个站位、5个层次的284个悬浮体样品和64个底质沉积物样品, 分析测定了样品的悬浮体浓度和悬浮体与底质沉积物中的有机碳稳定同位素组成, 以研究悬浮体和沉积物的物质来源和运移过程. 由悬浮体浓度和颗粒有机碳δ 13C值的分布特征分析得出了南黄海沉积物搬运的主要格局. 由此格局可以认定, 在陆源物质向南黄海中部深水区的输送过程中底层起着比表层更为重要的作用. 黄海环流是决定南黄海沉积物搬运格局的一个重要控制因素. 由沉积有机质的碳同位素信号证实, 山东水下三角洲高沉积速率沉积物的主要物质来源是现代黄河物质. 在南黄海深水区的陆源沉积物主要来自废黄河物质和现代黄河物质, 现代长江物质所占比例相对较少. 来自朝鲜半岛的陆源物质其数量和影响范围都是有限的. 由悬浮体和碳稳定同位素得出的结论得到了另一个独立的物源指示剂——多环芳烃的进一步证明. 相似文献
82.
对南黄海的B10岩芯进行了高密度的孢粉分析, 划分出8个孢粉带, 并结合14C测年和浅地层剖面资料, 对该孔所记录的自晚更新世末期以来的气候和环境变化进行探讨, 得出如下结论: (1) 植被演替过程为含阔叶树的针叶林-草原→针、阔叶混交林→以针叶树为主的针、阔叶混交林-草原→含常绿阔叶树的针、阔叶混交林→阔叶为主的针、阔叶混交林-草原→含常绿阔叶树的落叶阔叶林-草地→阔叶为主的针、阔叶混交林-草原→含常绿阔叶树的针、阔叶混交林; (2) 气候变化历史为冷干→温湿→冷干→暖干→温湿→热干→温干→暖干; (3) 沉积环境由陆相→滨海相→陆相→滨岸-浅海相; (4) 黄海暖流在早全新世便已形成, 而非形成于大暖期. 相似文献
83.
84.
对湘西地区凤凰、永顺、龙山3个不同居群的箭叶淫羊藿叶片的超氧阴离子自由基(·O2)的产生速率和丙二醛(MDA)的含量进行测定.结果表明:永顺的箭叶淫羊藿的超氧阴离子自由基的产生速率最大,为(0.059 1±0.003 3) μmol·min-1·g-1,而龙山的箭叶淫羊藿的超氧阴离子自由基的产生速率最小,为(0.053 0±0.000 9) μmol·min-1·g-1;在3个不同居群的箭叶淫羊藿叶片的MDA的含量中,永顺的箭叶淫羊藿的含量最高,为(0.014 9±0.001 4) nmol·g-1,而龙山的箭叶淫羊藿的含量最低,为(0.007 5±0.001 4) nmol·g-1. 相似文献
85.
采用聚乙烯醇(PVA)与四乙氧基硅烷(TEOS)通过原位溶胶-凝胶法制备了PVA/SiO2有机/无机杂化溶胶,并将显色剂和植物酯酶分散于溶胶中,干燥成膜,得到一类透明度高、亲水-亲丙酮性可调、贮存性好的传感膜.该传感膜在乙酸-α-萘酯溶液中,会于可见光520 nm处出现一个新的吸收峰.传感膜在制备后的12天内活性明显下降,之后基本保持稳定,并且冷藏活性下降率要比室温保存的小很多.但不论是冷藏还是在室温下保存,被固定在杂化膜中的酶活稳定性都比在溶液状态下的明显提高. 相似文献
86.
通过原位复合法合成沸石咪唑酯骨架结构材料(ZIF-67),经高温碳化生成含钴的氮掺杂碳多面体(Co-NC),然后通过热熔融渗硫方法制得钴基沸石咪唑酯骨架结构衍生物(S@CoS2-NC)复合材料,以此复合材料作为锂硫电池的正极材料.采用X 线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱仪(EDS)、N2 吸... 相似文献
87.
透平动叶通常采用垂直横向内冷通道与气膜冷却结合的冷却结构,因此,需要考虑垂直横向冷气流动对气膜冷却流动和冷却特性的影响.以垂直横流进气条件下的简化平板气膜冷却为研究对象,采用流体计算动力学方法,对不同吹风比下常用圆柱形气膜孔的冷却和流动特性进行分析.相比于冷气腔进气条件,垂直横流进气条件下的面积平均效率在低吹风比下较小... 相似文献
88.
针对存在部分连通断层的线性复合油藏研究较少,用现有的试井解释模型对具有部分连通断层边界的油藏试井资料进行解释所得到的结果不理想的现状,本文引入界面表皮概念,将部分连通断层视为一个无限薄的表皮边界,建立了两区无限大线性复合油藏中存在部分连通断层的试井解释模型,并利用Fourier指数变换和Laplace变换等方法进行求解,绘制了井底压力响应特征曲线,并用实例对模型进行验证。分析表明,界面表皮越大,曲线上翘越多,当它足够大时,表现为封闭断层的特征;厚度比、流度比越大,曲线表现出定压边界的特征;导压系数比越小,Ⅱ区的储集能力越大,相应的压力及压力导数曲线位置越靠下。 相似文献
89.
本文报道了在东太平洋表层沉积物中发现的天然GaN晶体, 这是天然GaN晶体在自然界中首次被发现. 天然GaN晶体的确定是通过透射电子显微镜(TEM), 能量损失谱(EELS)和X射线能谱(EDS)等综合微束分析技术完成的. 该天然GaN晶体属于六方晶系, 晶胞参数为: a=b=0.3186 nm; c=0.5178 nm, P63mc, 其结构与高温高压实验合成的人造GaN晶体结构完全吻合. 在TEM下, 该GaN晶体呈现完好的晶体形态, 可以排除它们是异地搬运的人工合成的产物. 由于发现GaN的站位位于东太平洋CC区(克拉里昂断裂带—克利帕顿断裂带之间), 区内发育有断裂构造,受到火山作用和热液活动影响,推测其成因可能与热液活动或深部的高温、高压作用有关, 但其形成的确切温压条件和地质环境尚需进一步深入研究. 相似文献
90.