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我们于新近在SI-GaAs衬底上采用二次外延技术制成了一种正装(两个电极从一面引出)在普通铜热沉上的室温(300K)连续工作宽接触BH激光器(图1、图2为这种器件的结 相似文献
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差温生长法制备 1.55 μm InP/InGaAsP/InP 激光晶片 总被引：1，自引：0，他引：1
采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光晶片．差温生长法是在高温（约６２６℃）状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层;然后降低温度,在低温（约６００℃）状态下生长Ｐ－ＩｎＰ上限制层．此方法有效地解决了这种结构长波区（λ＞１．４５μｍ）的回熔问题,并克服了其他方法的缺点． 相似文献
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阐述了用于超高密度光存储的集成式扫描近场光学显微术（SNOM）微探尖的液相外延选择生长方案,并给出了实验结果．此种微探尖,可直接生长在微型集成式SNOM传感器的垂直腔表面发射激光器（VCSEL）晶片出光口上,避免了探尖转移带来的探尖损坏、难以对准等技术难题．该制作过程具有重复性较好,设备简单、经济,实用价值较高等优点． 相似文献
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锁模(mode-locking)技术是1964年发展起来的。利用这种技术,尤其是对撞锁模CPM(colliding-pulse mode-locking)可以产生皮秒(10~(-12)s)甚至飞秒(10~(-15)s)量级的超短脉冲,这对于物理化学以及分子弛豫过程的超高速现象的研究具有决定性的意义。随着半导体技术在光纤通讯、电光采样、时钟信号等光电子学领域的飞速发展,迫切需要一种宽度窄、频率高的半导体激光脉冲光源。为此投入了大量的研究。常用的半导体超短光脉冲技术包括Q开关、增益开关、锁模技术等。无论在理论上还是实践上,脉宽最窄和重复频率最高的脉冲,都是由锁模技术得到的。1990年,Chen等人首次报道了利用微波调制的对撞锁模技术,在单片集成InGaAsP量子阱激光器上得到脉宽1.4ps,重复频率32.5GHz的超短脉冲。本文报道了利用对称三段式结构的InGaAsP量子阱激光器,在无调制情况下获得脉宽5.0ps,重复频率38.5GHz的超短光脉冲。 相似文献
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报道一种隐埋条形半导体激光器伴生高阻层电阻率的估算方法,解决了该电阻率不能用常规手段直接测量的问题;在给定的实验条件下,算得电阻率约为４１２Ω·ｃｍ;这种方法也适于其他类似情况下材料电阻率的估算． 相似文献