甾类化合物的直接GC-MS痕量分析

本文采用GC-MS分析方法,直接对甾体激素17α-甲基睾酮(17α-Methyltesterone)β-雌二醇(β-Estradiol)的混合物进行分析。未经衍生中间环节。其检出灵敏度小于1ng。     

HYNC-50D场效应管电火花脉冲电源

场效应管电火花脉冲电源,利用电流前沿斜率控制,实现了高效率低损耗放电加工模具,从而提高了模具的仿真度。电压控制型功率器件,利用场效应管实现了窄脉宽高峰值电流放电加工模具,取得了模具最佳加工表面粗糙度和提高去除率的统一。采用单片机和主振级两套脉冲发生器,进一步提高了电火花脉冲电源的可靠性和电火花机床的利用率。     

网络环境下的设备管理系统

介绍了在DEC net网络环境下实现设备管理系统的总体设计思想和关键技术.该系统具有使用方便、通用性强的特点.同时,该系统的实现,为在网络环境下实现其它信息管理提供了可行的途径.     

内射余模的Baer准则

本文借助余循环余模，研究了内射余模的Ｂａｅｒ差别准则，统一了右余理想和余循环余模，并给出了余半单余代数的一个同调刻划。     

格雷码加速遗传算法及其理论研究

在分析基于二进制编码的加速遗传算法的基础上 ,对格雷码编码及加速遗传算法作了深入地探讨 .提出了格雷码加速遗传算法 ( GAGA) ,研制了 GAGA实施的详细步骤 ,并推导出了相应的模式定理和收敛定理 .对 GAGA的有效性和可行性进行了理论分析和实例分析 .结果表明 ,GAGA具有直观、简便、准确、快速和适用性强等特点 ,是一种既可以较大概率搜索全局最优解 ,又能进行局部细致搜索的优秀非线性优化方法 .     

长生不老的公式

艾伯特从欧洲旅游归来,乘出租车来到父亲的郊外别墅。一个浅黄头发的陌生姑娘在花园里玩耍。父亲在书房里,看上去很疲惫。父亲说他已决定离开研究所了,只做顾问。他希望艾伯特能接替他的工作。艾伯特对此大为惊讶。父亲的研究小组一直从事核酸的结构分析和遗传密码的破译工作,成绩不俗。父亲总是拼命工作,尤其是在母亲     

硅单晶上类金刚石薄膜织构和外延取向与界面价电子结构的关系

金刚石和立方氮化硼薄膜由于其优异的性能已经获得了实际应用. 该类薄膜的特定取向对其在光学和微电子学领域的应用有特殊意义. 用固体与分子经验电子理论(EET)计算了衬底硅不同晶面与金刚石和立方氮化硼薄膜不同晶面的相对电子密度差, 从计算结果分析认为, 对所研究的薄膜, 薄膜与基底界面的电子密度差越小, 薄膜在热力学上越稳定, 界面的电子密度差是决定薄膜织构或外延取向的本质原因. 这些推断与实验事实符合得很好. 该计算方法和理论不仅为探讨金刚石和立方氮化硼在硅单晶表面上的薄膜生长机制提供了一个新视角, 还可能为其他薄膜取向的预测提供指导.     

固相合金中的C-Me偏聚理论在陶瓷中的应用

氧化锆陶瓷由于性能优异, 已得到了广泛的应用. 氧化锆陶瓷的相变影响其性能, 为控制相变进而控制性能, 相变机理的研究至关重要. 用固体与分子经验电子理论计算了c-ZrO₂、t-ZrO₂和m-ZrO₂的价电子结构, 得到形成它们强键骨架的共价键上的总共价电子对数分别为3.19184、3.45528和3.79625. 按固相合金中的C-Me偏聚理论的思想推测ZrO₂从高温到低温的相变顺序应为液相→c相→t相→m相. 从价电子结构进行的推断与实验结果完全一致, 说明合金相变的电子理论可以扩展到陶瓷材料中.     

不同的氧氩比对ZnO薄膜性能的影响

利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动.随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小.     

逐级加合均分法计算基团电负性公式的改进

在电负性均衡原理基础上,对逐级加合均分法计算基团电负性公式进行改进,将常用基团的电负性进行重新计算,结果表明新方法不仅能有效区分对称型基团(-XY和-YX)的电负性,而且由此得到的基团电负性与目前被广泛接受的几套基团电负性颇为一致,且呈明显的规律性变化.