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311.
皖南风尘堆积—古土壤序列磁化率初步研究 总被引:17,自引:0,他引:17
将北方黄土研究中广泛应用的磁化率参数引入江南第四纪风尘堆积区研究,对安徽宣城风尘堆积-古土壤序列向阳剖面进行了系统的磁化率化采样、测试,根据该剖面磁化率及其曲线的变化特征,对其古气候指示意义进行了初步的探讨. 相似文献
312.
研究了平面上保持闭凸曲线熵不变的一类新的曲线流,证明了若初始曲线是闭凸的,则演化曲线保持闭凸,且它的面积和长度随时间都不断减小,但是曲线的熵能量在演化过程中为常数,当时间趋于无穷时,它的最终收敛形状是一个圆.同时应用该流证明了平面曲线的熵不等式. 相似文献
313.
314.
综合系统论及其规范化建模 总被引:4,自引:2,他引:2
对综合系统的涵义作了进一步说明,对综合系统论的基本内容作了简要介绍。为便于建模,将综合系统抽象为混合事件动态系统,并重点论述了其规范化建模问题。同时扼要地论述了综合系统论中主要内容之一,即综合系统的稳定性问题。并以单机作战、群体作战为例,建立和论述了它们的数学模型和应用问题。 相似文献
315.
发表了广西苏铁5个新种.①长球果苏铁CycaslongiconiferaChang,Y.C.ZhongetY.Y.Huang以雄球果狭长,羽叶疏远为特征;②尖尾苏铁CycasacuminatisimaChang,Y.C.ZhongetZ.F.Lu以羽片先端尖长,大孢子叶短小为特征;③掌裂苏铁CycaspalmatifidaChang,Y.Y.HuangetY.C.Zhong以大孢子叶掌状深裂、裂片圆锥状,刺特长为特征;④七籽苏铁CycasseptemspermaChang,Y.Y.HuangetH.X.Zheng以羽片及刺均极短,胚珠7个为特征;⑤短叶苏铁CycasbrevipinnataChang,Y.Y.HuangetY.C.Zhong以羽叶和羽片均短小,刺亦极短为特征 相似文献
316.
通过对相对论性核-核碰撞中单事件阶乘矩的分析,把末态方位角、快度二维相空间阶乘矩剧烈上翘的消失与K/π比上升联系起来讨论,提出了一种从相对论性重离子碰撞实验数据中挑选QGP的事件的方法,将这一方法用到Mout Carlo模拟得到的样本中,证明它能有效地降低非QGP事件背景,提高QGP事件的纯度。 相似文献
317.
318.
319.
针对化学机械抛光中抛光液的环境污染,提出一种基于金属电化学腐蚀的单晶SiC化学机械抛光方法. 通过腐蚀实验和摩擦磨损实验,研究了电化学腐蚀单晶SiC的Si面腐蚀性能和磨损性能. 通过对比Al、Cu、Fe金属在Na2SO4电解质溶液中对Si面的腐蚀性能,发现Al在Si面产生明显的腐蚀层,EDS和XPS检测证实该腐蚀产物为SiO2. 采用摩擦磨损实验研究溶液组分对SiC的Si面磨损影响规律. 结果表明,提高Na2SO4电解质溶液浓度能获得更大的磨损量,当Na2SO4电解质溶液浓度为1.00 mol/L时,得到最大为7.19 μm2的磨损量;在酸性的金属电化学腐蚀溶液中,Si面具有更好的材料去除性能,在pH=3时磨损量达到11.97 μm2. 单晶SiC的金属电化学腐蚀材料去除机制为阴极的Al金属发生电偶腐蚀反应产生腐蚀电流,促使阳极SiC表面氧化生成SiO2氧化层,进而去除材料. 相似文献
320.
VUMOSFET是一种新型功率器件,它一个很重要的优点是它特有的沟槽结构减小了器件的寄生电容,而寄生电容的充放电过程是限制VUMOSFET开关速度的主要因素,本文剖析了VUMOSFET主要寄生电容的结构并给出计算公式,通过公式可以定量的减小寄生电容,从而降低开关时间,减少功率损耗,对设计具有指导作用. 相似文献