番茄青枯病的综防技术

<正> 番茄青枯病是番茄生产上的重要病毒病之一。番茄苗期不表现症状,植株长到33—66厘米高以后才开始发病。首先是顶部叶片失水萎蔫,以后下部叶片萎垂,晚上恢复正常,几天后便不再恢复而萎垂死亡,叶片稍淡,但保持青绿色,故称青枯病。防治此病,应采取综合防治措施。 1、合理轮作。一般发病田块实行三年轮作。有条件的地区,可以与禾本科作物,特别是与水稻轮作,效果最佳。还可以与瓜类作物实行轮作,但避免与茄科作物轮作。 2、选用抗病品种。番茄虽无免疫品种,但品种间抗病性有着明显差异。各地可根据需要进行选育和利用。 3、调节土壤酸度。番茄青枯病毒适宜于在微酸性土壤中生长,可结合整地,撒施适量的石灰,使土     

Riccati方程与Van der Pol方程的摄动解

本文是用摄动理论来研究在常微分方程中两个著名的非线性方程:Riccati方程和Vander Pol方程。关于Riccati方程,众所周知,在一般情况下它是不能用初等积分法来解的;即使简单的如下形式方方程y′ by~2=ax~m(a,b,m是参数),早在1841年Liouville就指出过,只有当m=0,-2,(-4k)/(2k 1)或(-4k)/(2k-1)(k=1,2,…)时,它的解才可用初等积分来表示。     

超氧化物歧化酶模型化合物的合成,表征和活性

本文报导乙二醇二乙醚二胺四乙酸(EGTA)和邻苯二胺共热缩合得到双核配体N,N,N′,N′-四(2′-苯并咪唑甲基)-1,4-二乙氨基乙二醚(EGTB)及合成的一系列含Cu(Ⅱ),Fe(Ⅲ),Mn(Ⅱ)的具或不具咪唑外桥的EGTB配合物,对配体的~1H NMR,IR,UV-Vis谱及配合物的IR,UV-Vis谱、元素分析、电导等性质进行了研究。并用硝基四氮蓝唑(NBT)光还原法和邻苯三酚自氧化法对配合物的超氧化物歧化酶活性进行了测定,结果发现配合物在10~(-6)～10~(-7)mol·L~(-1)的浓度范围内具有很好的歧化超氧离子自由基O_2~-的活性。     

拟南芥雄性不育突变体ms1521的基因定位

ms1521是经EMS诱变筛选得到的一拟南芥雄性不育突变体,通过背景纯化与遗传分析,发现ms1521突变体是受隐性单基因控制,形态学观察表明：突变体的花缺失部分花瓣,雄蕊比较短,花药肥大,部分雄蕊的花药成丝状,利用图位克隆的方法对不育基因MS1521进行了定位,结果表明：MS1521位于第一条染色体分子标记F17F8Alu1和T19E23之间161kb的区间内,数据库预测,其中有11个与花发育有关的基因,试验将有助于对目的基因的克隆,控制花器官研究和雄性不育分子机制的研究。     

大棚辣椒根腐病的防治

大棚辣椒根腐病一般发生于病椒定植后至采果盛期。病害初期症状是一株或一株几个枝发生萎蔫,最后导致全株甚至全棚辣椒死亡。针对根腐病的危害特点,可采取如下措施：一、轮作换茬。在茬口安排上,与大白菜、甘兰、大蒜、大葱等蔬菜实行５年以上轮作。二、杜绝初侵染来源。辣椒苗最好自己培育。不要从老菜区,特别是从发病区购买种苗。三、防止积水。整地时挖好排水沟。垄栽,垄距９０ｃｍ,一垄栽两行。有机肥充分腐熟后施用。中后期追肥,采用配制好的复合肥母液,随水浇施,或顺垄撒施后浇水,以防止辣椒根受伤。四、做好发病田隔离。在…     

口吃并不是学来的

口吃无疑是世界上最奇怪、最复杂的疾病之一。千百年来,这种不痛不痒之症令多少人欲哭无泪。其对患者所造成的心理上的痛苦,绝非常人可以想象。医学界长期以来比较普遍的观点是,口吃是一种精神方面的疾病,其病因主要在于心理因素。然而,最近美国一支由多个领域的专家组成的课题组对于口吃的起因得出了新的突破性的结论。     

身份认证及RBAC技术在MIS中的应用研究

通过对DBSS进行相应的设计扩展,重新构建了DBSS模型。建立了一个基于改进的身份认证模型,提供了客户端应用程序到应用服务器的数据库系统安全解决方案。定义了不同的角色关系和操作权限集,给出了角色控制模块中功能层的权限管理以及数据库访问权限管理的实施方法。     

纳米InAs镶嵌复合薄膜的制备及光吸收

采用射频共溅技术制备了ＩｎＡｓ－ＳｉＯ２镶嵌复合薄膜,透射电子显微镜观察分析了该复合薄膜的微结构和形成规律。结果表明,随着衬底温度的提高,复合薄膜中ＩｎＡｓ的聚集状态经历由完全弥散到分形聚集再到纳米晶颗粒的转变。测量了该复合薄膜室温光吸收谱,观察到了吸收边发生较大蓝移的现象,并用量子取域理论对这种现象进行了解释。     

东太平洋沉积物中自然GaN晶体的首次报道

本文报道了在东太平洋表层沉积物中发现的天然GaN晶体, 这是天然GaN晶体在自然界中首次被发现. 天然GaN晶体的确定是通过透射电子显微镜(TEM), 能量损失谱(EELS)和X射线能谱(EDS)等综合微束分析技术完成的. 该天然GaN晶体属于六方晶系, 晶胞参数为: a=b=0.3186 nm; c=0.5178 nm, P6₃mc, 其结构与高温高压实验合成的人造GaN晶体结构完全吻合. 在TEM下, 该GaN晶体呈现完好的晶体形态, 可以排除它们是异地搬运的人工合成的产物. 由于发现GaN的站位位于东太平洋CC区(克拉里昂断裂带—克利帕顿断裂带之间), 区内发育有断裂构造,受到火山作用和热液活动影响,推测其成因可能与热液活动或深部的高温、高压作用有关, 但其形成的确切温压条件和地质环境尚需进一步深入研究.