准同型相界钛酸铋钠基无铅铁电薄膜的制备及其性能研究

发展环境友好的传感器、存贮器及换能器用铁电与压电薄膜是当前的研究热点之一．采用脉冲激光沉积（PLD）的方法,通过优化制备工艺,引入La0.6Sr0．4CoO3（LSCO）作为缓冲层,在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了准同型相界组分掺杂微量Mn元素的Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3 34薄膜,并对其相结构、微观形貌、铁电、介电等性能进行了研究．结果表明：该薄膜具有纯钙钛矿结构,结构致密,显示出良好的电性能,其中剩余极化可达到1．15×10-1C·m^-2,1kHz下薄膜的相对介电常数约1000．     

回归反射玻璃微珠折射率的测量和分析

文章分析了回归反射高折射率玻璃微珠的光学特点以及玻璃微珠回归反射特性与折射率的关系 .用微光学测量系统 ,根据几何光学近轴光线成像原理 ,给出玻璃微珠折射率的测量方法 ,分析和讨论了测量方法的误差 .     

驱动器用环境友好压电材料的疲劳性能及物理机制研究

压电材料的疲劳性能是其在驱动器应用中的一个重要指标,开发兼有优良电致应变响应及抗疲劳性能的环境友好压电材料近来吸引了国内外广泛关注.在对具有大应变的无铅压电体系(0.935-x)Bi0.5Na0.5Ti O3-0.065Ba Ti O3-x Sr Ti O3(BNBSTx)前期研究基础上,进一步表征和分析了其单、双向电场下的疲劳性能.结果表明:该体系在疲劳106次前后,表现出优异的电学稳定性,实验中分析和讨论了有关疲劳的物理机制,认为该体系电学稳定性能优异的原因主要是其相对较低的缺陷密度,在单、双向电场下极化偏转过程中,电畴钉扎现象及局部电荷聚集现象较弱.     

溅射法制备纳米Ti和Zr结构的X射线衍射研究

金属Ti和Zr因其优异的气体吸附特性而被广泛地用作超高真空获得的气体吸附剂.常温常压下,它们均为密排六方(h.c.p.)结构;当温度或压力增高时便发生相应的结构相变:Ti在温度高于882℃时,由h.c. p.结构变为体心立方(b.c.c.)结构,即高温相结构;而Zr则在 3.9 ×10~8 Pa以上的高压下,变为ω相结构,即高压相结构. 纳米材料的重要特征之一是具有较大的比表面积,比表面积增大必将增强其气体的吸附能力.因此,纳米Ti和Zr的制备及其气体吸附特性的研究对真空获得技术具有重要意义.就其结构而言,比表面积的增加导致能量升高将可能诱发其原结构的不稳定性,即可能发生因颗粒细化诱导的相变.这便为获得一些具有反常结构的新材料开辟新的途径.本文报道Ti和Zr这方面探索的结果,以及采用X射线衍射技术分析溅射法制备的纳米Ti和Zr的晶格结构特征.其结果表明:用溅射法制备的金属Ti和Zr纳米材料在常温常压下,Ti具有b.c.c.高温相结构;而Zr则具有只有在高压下才能形成的ω相结构.     

过渡金属掺杂BaTiO_3的磁性研究进展

钙钛矿结构氧化物BaTiO3因其优良的铁电、介电性质而显示出广泛的应用前景．介绍了过渡金属掺杂对BaTiO3晶体结构的影响,综述BaTiO3基材料磁性能的研究现状．     

650 GHz蝴蝶结型波导探针设计

设计了一种面向超导混频器的650 GHz蝴蝶结型波导探针.结合现有成熟的Si/SiO₂衬底工艺,采用全高波导并结合背向短路腔体优化其特性.对波导探针进行了仿真与优化.结果表明,在620～680 GHz频段内,该波导探针的回波损耗低于8 dB,插入损耗低于8 dB;在650 GHz时低于14 dB,嵌入阻抗约为16Ω,且平坦度良好,能满足实际应用需求.     

光刻图形转移技术

通过对预烘、光刻胶旋涂、软烘焙、对准曝光、后烘、显影、坚膜的光刻工艺过程分析,主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法,并通过实验和分析得出了可靠的技术方案.     

磁控反应溅射法低温制备氮化硅薄膜

采用射频 (RF)磁控反应溅射法制备出氮化硅薄膜 .从红外吸收光谱可见 ,氮气参加了反应并生成 Si- N键 ,薄膜中含有少量的 Si- O键和 Si- H键 ;薄膜的成分与制备过程中基片温度、射频功率等工艺参数密切相关 ,当基片温度升高到 40 0℃时 ,薄膜中基本不再含 Si- H键 ,氮化硅薄膜的纯度得到提高 .     

氧化层对硅片上生长Au膜微结构的影响

采用 X-射线衍射与扫描电镜观察相结合研究了中间氧化层对硅片上沉积 Au- As合金薄膜的微结构的影响 .结果表明 :氧化层一方面影响 Au- As合金膜的成核生长 ,使其晶粒细化和生长速率下降 ;另一方面 ,氧化层降低了 Au- Si界面扩散反应的程度 ,阻止新的 Si-Au合金相的生成 .     

1.03 μm波长激发电光晶体的太赫兹响应

理论研究了掺镱飞秒激光激发110晶向的电光晶体太赫兹(THz)的产生与探测,根据相位匹配条件,在声子共振频率以下分别计算了厚度为0.1 mm的CdTe,GaP,GaAs三种晶体的光学色散与THz波段色散关系、THz波段的吸收频谱、相干长度以及THz发射与探测频谱.结果表明,CdTe的THz最佳发射频率为2.65 THz,而对于GaAs和GaP,THz最佳发射频率分别达到6.56和4.77 THz.通过计算晶体的THz响应函数,发现对于0.1 mm厚的CdTe晶体,其截止频率仅为3.45THz,而同样厚度GaP和GaAs截止频率则拓展到6.37和7.15 THz.通过引入THz吸收系数计算上述材料在THz电光采样中的灵敏度,发现当晶体厚度小于1.58 mm时,CdTe的THz采样灵敏度高于GaP和GaAs.当晶体厚度进一步增大时,GaAs的THz采样灵敏度超过CdTe和GaP.