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31.
32.
Pd/Fe纳米材料对卤代有机污染物有较强的降解能力,但四溴双酚A的强疏水性会阻碍污染物与Pd/Fe的有效接触.为促进四溴双酚A的降解,考察了不同表面活性剂对PAC-Pd/Fe纳米颗粒降解四溴双酚A的影响,结果表明:少量阴离子表面活性剂SDS对四溴双酚A的降解有明显的促进作用,反应速率可提高1.7~2.5倍;非离子表面活性剂TX-100对四溴双酚A降解的促进效果不明显,当其质量浓度超过临界胶束浓度时,甚至表现出抑制作用;阳离子表面活性剂CTAB对四溴双酚A的降解起抑制作用,且质量浓度越大,其抑制效果越明显;PAC-Pd/Fe纳米颗粒对四溴双酚A的降解是连续脱溴反应,四溴双酚A和其中间产物三溴双酚A、二溴双酚A和一溴双酚A的表观降解速率常数分别为0.466 2、0.435 6、0.338 0和0.271 1 min-1,与苯环上溴原子的数目成正比.  相似文献   
33.
采用脉冲激光沉积技术在不同衬底材料上沉积了NiCo_2O_4(111)外延薄膜,分别利用反射式高能电子衍射、X线衍射及原子力显微镜表征了NiCo_2O_4外延薄膜的晶体结构和表面特征,测试了2种不同衬底材料上NiCo_2O_4外延薄膜的电输运性质,分析了薄膜的电输运有效激活能与温度的关系.研究发现,2种不同衬底上NiCo_2O_4外延薄膜的电输运性质具有完全不同的特征,且均表现出好的导电性.所得研究结果可以为NiCo_2O_4薄膜在自旋电子器件中的应用提供重要的实验指导和现实参考.  相似文献   
34.
通过Ca~(2+)取代A位的Sr~(2+),研究SrRuO_3的结构与磁性的变化.结果表明,随Ca~(2+)取代量的增加,晶格常数减小,正交畸变更加明显,饱和磁化强度和居里温度均随之减小,最终铁磁性的SrRuO_3变化到顺磁性的CaRuO_3.临界指数β拟合结果表明,SrRuO_3的磁性可由平均场模型解释.β值随Ca~(2+)取代量的增加而增加.实验证实了SrRuO_3中既有巡游磁性又有局域磁性,且与相关理论研究结果一致.  相似文献   
35.
水溶性碳纳米管增敏方波溶出伏安法测定痕量铅   总被引:1,自引:0,他引:1  
对以羧基化水溶性碳纳米管(CNT)作增敏剂,用方波溶出伏安法测定水样中痕量铅进行了研究.结果表明:在1 mol/L的盐酸底液中,Pb2 在-0.46 V左右出现灵敏溶出锋,峰电流在Pb2 浓度为2.0×10-9~1.0×10-8 mol/L 时呈现良好的线性关系,回归方程A(μA)=9.6656 0.6407 c(10-9 mol/L),相关系数为0.9985.检出限为1.0×10-10 mol/L,回收率为96%~104%.该方法适用于痕量铅的测定,灵敏度高,效果良好.  相似文献   
36.
制导兵器气动布局发展趋势及有关气动力技术   总被引:8,自引:5,他引:8  
论述了反坦克导弹、制导航弹、末制导炮弹、制导火箭等制导兵器常用的气动布局和特点;分析了制导兵器的新型气动布局及特点;论述了制导兵器的发展趋势是远射程、高机动、高精度、大威力和高隐身;指出了制导兵器发展中必须研究解决的关键气动力技术问题。  相似文献   
37.
改变沉积温度,在Si(100)衬底上制备了NiCo_2O_4外延薄膜,探究其结构和电学性质的变化.研究发现,衬底对薄膜有压应力作用,晶体结构产生压缩效果,使样品导电性增强;变程和近程跃迁在整个测试温区同时作用,低温以变程跃迁为主,高温以近程跃迁为主.  相似文献   
38.
采用直流对靶磁控溅射方法生长了FePt/Ta多层膜.X射线衍射(XRD)分析表明[FePt(2.5.nm)/Ta(2.5 nm)]5样品经过650℃退火实现了从无序到有序的转变.磁测量表明当Ta层厚度为2.5 nm时,FePt的磁特性达到最好,矫顽力为543.4 kA·m-1,矩形比也达到最大(0.805 59).原子力显微图观察发现,650℃退火后的样品纳米晶粒分布比较均匀,粒径大约为10~20 nm.磁力显微图观察说明大量粒子取向一致.计算得到激活体积远大于晶粒体积的事实说明薄膜的磁化反转过程主要是由磁矩转动控制的.  相似文献   
39.
以含有亚硝酸盐的自来水为研究对象,稳压泵为动力对水样进行水循环处理,考察循环水和静置水中亚硝酸盐的变化.实验结果表明,循环自来水与静置自来水中亚硝酸盐的质量浓度差值随着时间延长而增加,循环360 h后循环水中亚硝酸盐质量浓度为静置水质量浓度的112%.循环水的亚硝酸盐和硝酸盐之间存在着显著负线性相关性.另外,净水器出水后的循环水和静置水中亚硝酸盐的质量浓度均会增加,但循环水中亚硝酸盐增加量小于静置水中亚硝酸盐增加量,且质量浓度控制在002 mg/L以下.因此,将水循环应用到净水器中可解决出水中存在的亚硝酸盐含量超标的问题,提高水质安全,具有广阔的应用前景.  相似文献   
40.
采用直流电化学腐蚀的方法在不同电流密度下制备了多孔硅样品.用SEM,FTIR,PL谱研究了制备样品的结构和发光特性.结果表明,多孔硅样品的发光强度和峰位与电流密度存在密切关系,制备的多孔硅存在378,470,714nm的光致发光,对这几个发光峰的发光机理进行了讨论.  相似文献   
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