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在具有局部B-L规范对称性的最小超对称模型扩展(B-LSSM)中,通过有效位势方法,对Higgs粒子质量进行了单圈辐射修正和数值分析.依据Higgs粒子理论质量和实验数据,对B-LSSM的相关参数进一步地限制,约束参数空间,从而使B-LSSM的参数空间更加完善. 相似文献
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氩环境气压对激光烧蚀沉积纳米硅薄膜形貌的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用脉冲激光烧蚀技术在氩气环境下制备了纳米硅薄膜,研究了环境气体压强对纳米硅薄膜表面形貌的影响. 结果表明,当环境气压小于50 Pa时,薄膜表现为常规的量子点镶嵌结构;当环境气压大于50 Pa时,薄膜中出现类网状的絮结构,继续增大氩气压,絮结构逐渐增大,且其隙度增大. 指出该现象与在激光烧蚀过程中纳米硅团簇的形成过程有关. 相似文献
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激光退火能量对非晶Si薄膜晶化的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用XeCl准分子脉冲激光,在真空环境中烧蚀单晶Si靶,在Si(111)和石英衬底上沉积生成非晶Si薄膜.在同样的环境下,用激光对非晶Si薄膜进行退火,通过扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对退火后的样品进行分析比较.结果表明,激光能量对非晶薄膜的晶化和纳米晶粒尺寸有重要影响. 相似文献
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为激光照射技术在临床牙齿疾病治疗中的应用提供理论依据,采用Crank-Nicolson有限差分法,求解热传导方程,模拟了Nd:YAG脉冲激光照射牙齿温升过程,研究了脉冲波形(矩形波、左三角波、正三角波、右三角波和高斯波等)对温升过程的影响.结果表明:矩形波照射时,牙齿表面温度最高,牙髓温度最低;高斯波照射时,牙齿表面温度最低,牙髓处温度最高.随着激光能量密度增大,不同波形照射引起的牙齿表面温差增大,牙髓温差减小.给出了5种波形照射牙齿表面时能量阈值. 相似文献
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为了改善激光诱导击穿光谱的质量,提高激光诱导击穿光谱(LIBS)技术对土壤样品中痕量元素的检测能力,研究了碳质空腔距离样品表面的高度变化对等离子体辐射强度的影响.结果表明,当有空腔约束等离子体时,其辐射强度比没有空腔约束时明显增强;随着空腔距离样品表面高度的加大,等离子体辐射强度逐渐升高,并在11 mm处达到最强,随后减弱.计算可知,样品中元素Fe,Mn,K和Ti在空腔距离靶面11 mm处的谱线强度和光谱信噪比与无空腔约束时相比,都有较大提高.最后,用Boltzmann图方法和光谱线Stark展宽法测量了等离子体的电子温度和电子密度,对等离子体辐射增强的机理进行了讨论. 相似文献
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通过对实验对二阶非自治混沌电路,三阶蔡氏电路和四阶非自治混沌电路进行了详尽研究,证明这些电路能够产生复杂的非线性动力学行为,以电路实验数据为依据,首次绘制出两个混沌电路的稳定岛图。 相似文献
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采用蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟方法,引入粘连成核模型,模拟了脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒的气相成核与长大过程,并研究了初始烧蚀Si粒子总数对纳米晶粒尺寸和密度分布的影响.研究结果表明:随着初始烧蚀Si粒子总数增大,纳米晶粒数目增多,尺寸分布变宽,Si晶粒尺寸分布近似满足幂函数衰减规律.给出了烧蚀粒子和环境气体密度随时间演化图,所得结论可为进一步研究纳米晶粒生长动力学提供理论依据. 相似文献
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为深入理解纳米硅(Si)晶粒的成核机理,实现纳米Si晶粒的均匀可控,采用蒙特-卡罗(MonteCarlo)模拟方法,对脉冲激光烧蚀单晶Si靶沉积纳米Si晶薄膜过程中烧蚀粒子在环境气体中的输运动力学过程进行了模拟,并研究了环境气体种类对烧蚀粒子时空分布的影响.研究结果表明,当环境气体种类确定时,随着时间的推移,烧蚀粒子强度分布的峰值右移;并且在He环境气体中烧蚀粒子的传播距离最大,在Ar环境气体中烧蚀粒子传播距离最小;随着距靶的距离增加,烧蚀粒子的强度减小,在Ne环境气体中传输的烧蚀粒子出现二次强度峰的时间最早,并且强度峰值最大. 相似文献