GaAs／GaAlAs双异质结脊型波导无间距方向耦合器

本文对具有金肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导无间距方向耦合器进行了研究。通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度，适当控制脊高和包层中Ａｌ含量以及采用剥离掩膜，反应离子蚀刻等技术使器件总损耗降为１２．２ｄＢ，串音达－２５．９ｄＢ。     

P型In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)欧姆接触的制备和特性研究

本文对p型In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)上依次蒸发Au、Zn、Au所形成的多层金属结构进行了研究。得到了较低的比接触电阻和较好的附着性,找到了比接触电阻与In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)波长(组份)的变化关系。用带溅射剥离的俄歇电子能谱仪测量了合金前后样品组份的深度分布;用“Shockley”方法测量了带隙近1.1 eV的p型In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)层的比接触电阻。     

域间路由策略冲突的收敛性分析

边界网关协议(BGP)是一种基于策略的、事件驱动的路径向量协议。以前一般采用静态模型研究BGP收敛问题,不符合BGP事件驱动的特点。针对这个问题,该文基于BGP的简化版本的简单路径向量协议(SPVP),提出稳定路径问题(SPP)的随机高级Petri网模型。模型中使用延时变迁的参数描述BGP消息传播和处理延时的随机性,更加准确地揭示了策略冲突导致路由不收敛的实质。基于该模型提出了冲突定位算法,并证明其正确性。该算法还可以作为SPP的求解算法。     

联合收获机惯性分离室内气固两相流数值模拟

利用Fluent软件中K-ε湍流模型和离散相模型对4ZTL-1800气吸式联合收获机惯性分离室气固两相流特征进行数值模拟计算分析．从流体动力学和湍流理论出发建立了气相湍流模型，根据牛顿第二定律建立了固相数学模型．通过建立的模型和边界条件模拟气体流动，利用双向耦合拉格朗日法追踪颗粒运动轨迹．通过数值计算，得到气流场压力分布规律以及颗粒相运动轨迹及其沉降和分离过程．研究结果为进一步改善惯性分离室内流场的分布规律，提高籽粒的沉降效率，减少气流的携带损失提供了依据．     

全光纤掺Yb3+光纤光栅激光器及其输出特性

采用光纤光栅作为光纤激光器的谐振腔, 利用中心波长为970 nm的半导体激光器（LD）作为抽运源. 对准圆形内包层的掺Yb³⁺双包层光纤进行泵浦, 其抽运功率为11.8 W, 实现了7.5 W的单模激光输出, 输出波长为1 080 nm, 斜效率63.5%.     

低碳钢形变诱导相变组织在冷却过程中的晶粒长大

通过热模拟实验考察了低碳钢在略高于Ar3温度变形时发生形变诱导铁素体相变(DIFT)的组织演变规律;探讨了变形后连续冷却以及在不同温度下保温对DIFT组织的影响·结果表明,DIFT组织含量随变形量的增大而增多,但在较大的变形量下仍然有部分奥氏体没有发生DIFT;在随后的冷却过程中,未转变奥氏体通过静态相变形成粗大的铁素体,与形变诱导铁素体组织一起形成混晶组织·DIFT铁素体晶粒在形变后冷却过程中发生长大现象·实验测定和理论计算结果都表明,在连续冷却条件下,形变诱导组织存在晶粒长大终止温度,当温度低于该温度时DIFT晶粒停止长大;在不同温度等温时,也存在DIFT晶粒稳定的温度上限,在低于该温度保...     

一种测量金属原子束密度通量及空间分布的新方法

为测量激光原子法同位素分离中密度通量 ,采用两端镀有铜电极的玻璃基片作测量探头 ,通过检测蒸镀在玻璃基片上两电极间金属薄膜电阻的变化来测量密度通量。探头输出信号经由多路 A/ D数据采集卡处理后送入微型电子计算机 ,经计算处理可实时给出密度通量的空间分布。实验结果表明 ,该方法费用低、精度高     

寻找癌症基因

癌症,一直高居人类死亡原因的前几位。传统对癌症的着法,是将导致癌症发生的原因归因于饮食习惯、生活方式以及环境和辐射污染等。但医学界慢慢发现,癌症与基因,恐怕有很深的联系。从70年代初,科学家对某些癌症发生的原因开始流传一种说法:有某种基因本身虽然不会致癌,但     

Pr~(3+)∶ZBLAN光纤中4f5d能级上转换激发

利用粒子数速率方程和有关的辐射跃迁理论,计算模拟了Pr3+∶ZBLAN光纤中Pr3+离子4f5d能级频率上转换激发的动力学过程.在不同Pr3+浓度下,研究了抽运功率的纵向分布和有效光纤长度随抽运功率的变化关系,给出抽运效率与抽运功率的变化关系.通过计算各能级的粒子数密度,给出可能与4f5d组态形成布居数反转的4f2能级.     

GaAs／GaAlAs双异质结脊型波导无间距方向耦合器

本文对具有金肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导无间距方向耦合器进行了研究。通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度，适当控制脊高和包层中Ａｌ含量以及采用剥离掩膜，反应离子蚀刻等技术使器件总损耗降为１２．２ｄＢ，串音达一２５．９ｄＢ．