胶囊封孔技术在月矿煤层瓦斯压力测定的应用

煤层瓦斯压力是瓦斯涌出和突出的动力，也是煤层瓦斯含量多少的标志。准确测定煤层瓦斯压力对有效而合理制定矿井防治瓦斯的措施，预测预报煤与瓦斯突出的危险性，具有重要意义。     

附加UV—B照射对四种冬小麦幼苗生长的影响

研究UV-B辐射对冬小麦品种9858、NCw4、科遗26和泰山269幼苗生长发育的影响,结果表明,鲜重可以作为评价供试品种苗期对UVB耐性强弱的指标,9858和科遗26为耐UV-B品种,NCW4和泰山269为对UV-B敏感品种.低剂量(15μW/cm2)的UV-B辐射促进冬小麦幼苗生长,高剂量(25μW/cm2)的UV-B处理对敏感品种抑制作用大,对耐性品种抑制作用不明显.UV-B处理下,各品种叶色值变幅较小,丙二醛和类黄酮含量增加,但类黄酮含量的变化与品种对UV-B的耐性间未见必然联系.     

基于零控脱靶量的大气层外拦截中制导方法研究

针对大气层外拦截器在中制导结束后还需要长时间无控飞行的情况,基于零控脱靶量思想采用最优控制理论,对拦截器和目标的相对运动关系进行了理论推导,以脱靶量和中制导加速度为性能指标,设计了一种拦截器发动机固定推进时间的中制导策略,研究了拦截器制导精度与零控脱靶量预测精度的关系,提出了调节拦截器机动过载大小的实现途径。仿真结果表明,设计的中制导律精度高、可靠性好、形式简单,在脱靶量计算得足够精确时,中制导结束后的零控脱靶量可控制在百米量级内,为拦截器以动能碰撞方式拦截目标创造了优良的末制导条件。     

当代中国公众对转基因玉米的技术伦理问题认知

以往社会学中关于转基因的研究主要集中在公众对转基因食品的认知、态度和购买意愿的研究上,缺乏公众对转基因技术伦理问题的认知调查;而关于技术伦理的研究则主要集中在科技哲学层面上的探讨,缺乏针对具体问题的实证性调查研究。为了弥补以上不足,本文使用社会调查方法调查了公众对于转基因玉米的技术伦理问题的认知情况,并给出了政策建议。本文的结论从理论上丰富了社会学和技术伦理学的相关研究内涵;为技术伦理学中的技术伦理问题的概念做了进一步的界定;同时也为社会学和技术伦理学的相关研究提供了基础数据。     

基于三联吡啶配体的发光超分子组装体

发光的金属配位超分子组装体具有丰富多样的光物理特性,被广泛应用于光电材料、生物传感、催化等领域,因此,发展新型发光配位超分子结构并实现其独特发光性质一直是该领域的研究热点。本综述全面总结了基于三联吡啶的配位超分子组装体在发光领域的最新进展,围绕这些已报道的二维和三维超分子结构的构筑策略,实现材料发光性质调控的手段（浓度、压力、温度等）,以及在传感、发光器件、主客体包封等方面的应用进行了总结。     

城市道路沥青混凝土路面的施工技术

城市道路的质量主要涉及道路的平整度、强度和刚度。影响道路质量的因素很多，有设计方面的因素，有建材的品质因素，有施工的因素，而施工质量又与施工人员的责任心、技术素质，以及机械操作、施工工艺等有关。本文从沥青混凝土路面施工出发。对施工中的工序、工艺技术进行了详细阐述，指出施工时质量控制要点，以避免沥青路面早期破损，提高路面使用品质，延长使用年限。     

鸭疫里氏杆菌病的诊治

鸭疫里氏杆菌主要感染1～8周龄的鸭,2～3周龄雏鸭最易感染,1周龄内幼鸭和8周龄以上大鸭少见发病,污染鸭场的感染率可达90%以上,病死率与感染鸭的日龄、环境条件、应激因素等有关.     

以全国大学生化工设计大赛为契机探索“化工原理”课程的实践化教学改革

实践化教学主要是融合化工实验、化工实习、化工设计于理论教学之中,并在此教学过程中进行模块化课程设计.在模块授课过程中,以大赛优秀作品为案例进行"理论—讨论—案例"或者"案例—理论—案例"教学设计,达到提升学生的工程实践能力和创新能力的目的.     

电网系统低压三相不平衡负载问题与对策探析

低压电网系统长期处于三相不平衡状态会使变压器损耗过大,并且导致电网电压下降、功率因素低、线路损耗增加等一系列问题。本文从电能质量方面分析配电变压器三相不平衡造成的配变与线路损耗,并且提出相应对策。     

一种12-bit 50-MS/s 4-mW带比较器失调校正的逐次逼近型模数转换器

本文设计了一款低功耗12-bit 50-MS/s逐次逼近型模数转换器,提出了一种动态比较器失调电压校正技术,取代了采用预放大器降低比较器失调电压的传统方法,解决了比较器低功耗和高精度之间的矛盾;基于时分复用的方法,改进了转换器核心数字逻辑,只需传统结构1/2的硬件电路便能实现相同的功能.此外,本文针对桥接电容和寄生电容引入的非线性问题做了详细的分析和公式推导.本设计采用SMIC 65nm标准CMOS工艺,核心芯片供电电压为1.2V,采样速率为50MS/s,版图后仿真结果表明,该ADC可达到71.5dB的信噪比和84.5dB的无杂散动态范围,功耗为4mW,芯片核心面积为0.3×0.2mm2.