排序方式: 共有43条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
用场效应法研究a-Si_xC_(1-x):H薄膜的隙态密度 总被引:1,自引:0,他引:1
考虑n阶常系数线性方程组其中y∈R~m,z∈R~p,m+p=n,T、A、B、C、D是常数矩阵。方程组(1)对变元y的渐近稳定性除可从直接求解进行判别外,目前已有苏联学者发表的线性变换方法。我们从分析矩阵T与D的关系得到以下结 相似文献
32.
本文研究了用射频反溅射法制备的非晶硅基系列薄膜(a-Si:H,a-SiCx:H,a-SiNx:H和a-SiCxNy:H)的红外吸收谱,对其中的主要吸收区进行了分析和讨论。 相似文献
33.
通过直流暗电导率温度依赖关糸σ(T)和光吸收谱的测量,研究了退火降温速率对掺杂a—Si∶H薄膜中热缺陷的影响. 相似文献
34.
报道维生素K3缩氨基硫脲与ⅡB族金属配合物的合成.用元素分析、摩尔电导、红外光谱、紫外光谱、热分析和核磁共振氢谱表征T配合物的组成和结构;测试了锌配合物的抗菌活性.配合物对金黄色葡萄球菌,枯草杆菌和大肠杆菌具有强的抑制作用;配合物的抗菌活性较对应的配体强. 相似文献
35.
In掺杂ZnO薄膜的制备及结构特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对ZnO薄膜的结构特性的影响.掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜,θ-2θ X射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和C轴择优取向;原子力显微镜测试结果表明样品的颗粒大小和应力同其(002)衍射峰强度有关.薄膜具有较低的电阻率(10-1~100Ω穋m).当In掺杂量为3%时,样品的(002)衍射峰强度最高、压应力较小(7.3×108 N/m2). 相似文献
36.
用光吸收谱和电导率测量较全面地研究了射频反应溅射淀积的a-Ge:H薄膜的电学性质;研究了射频功率和退火温度对a-Ge:H膜电学性质的影响。所得结果为a-GeH的应用提供了一定的依据。 相似文献
37.
RF反应溅射法制备高度取向生长的透明多晶ZnO薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
采用 RF反应溅射法在普通玻璃衬底上制备了具有良好 c轴取向性的透明多晶 Zn O薄膜 .由 X射线衍射技术 (XRD)分析了样品结构与沉积条件的关系 .溅射气体中 O2 分压比 R(PO2 /PAr)和衬底温度 Ts 对 Zn O薄膜的结构有显著和相似的影响 ,达到最佳点之前 ,这两个参数与Zn O薄膜质量是正相关的 ,随后薄膜质量随 R和 Ts 的增大而急剧下降 .在最佳沉积条件下得到的样品 XRD谱中只有 (0 0 2 )一个衍射峰 ,此衍射峰半高宽 (FWHM)仅为 0 .2 0°,由此计算得到晶粒大小为 4 2 .8nm.同时还发现所有薄膜中都有垂直于 c轴的压应变存在 ,并且随着衬底温度的升高而减小 .由薄膜折射率数据计算得到的薄膜堆积密度达到 97% ,在 30 0~ 10 0 0 nm波长范围内样品的平均透过率达到 92 % ,表明样品具有良好的致密度和透明性 相似文献
38.
采用射频共溅射复合靶(Si Ge 石墨C)技术制备Si1-x-yGexCy三元合金薄膜.Si,Ge和C的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在N2气保护下恒温30min后自然降温到室温.通过IR,Raman和XPS的测量结果表明,所制备的薄膜中含有Si,Ge,C3种元素,有较明显的Si-C,Si-Ge,Ge-C键合.通过电阻率—温度谱ρ-T的测量研究薄膜的电学性能,测量了不同C含量和不同温度退火后薄膜ρ-T关系的变化,发现随C含量的增加电阻率增大,激活能也增大;450℃退火后电阻率普遍变小,激活能也变小,对这一规律性的结果作了解释 相似文献
39.
本文主要报导我们对掺Mn的As_(35)Te_(55)Si_(10)玻璃半导体稳态电流——电压特性,包括在≤6.5×10~3v/cm的弱场下所观察到的欧姆行为,以及在强场下log I~V~(1/2)曲线的直线关系,并用类受主中心的场发射空穴原理,对强场特性作了说明。 相似文献
40.
本文比较全面地研究了退火冷却(即热淬火)对反应溅射a—si_1_rGe_x:H薄膜电导的影响,测量了热淬火态引起的热诱导电导.结果表明:电导的改变强烈地依赖于热历史:热诱导电导向平衡态的弛豫过程遵从指数衰减规律;弛豫时间是热激活式的. 相似文献