Si1-x-yGexCy合金薄膜电学性能的研究

采用射频共溅射复合靶（Ｓｉ＋Ｇｅ＋石墨Ｃ）技术制备Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ三元合金薄膜,Ｓｉ,Ｇｅ和Ｃ的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在Ｎ２气保护下恒温３０ｍｉｎ后自然降温到室温。通过ＩＲ,Ｒａｍａｎ的ＸＰＳ的测量结果表明,所制备的薄膜中含有Ｓｉ,Ｇｅ,Ｃ３种元素,有较明显的Ｓｉ－Ｃ,Ｓｉ－Ｇｅ,Ｇｅ－Ｃ键合。通过电阻率－温度谱ρ－Ｔ的测量研究薄膜的电学性能,测量了不同Ｃ含量和不     

埋入SiO2膜中的微晶Ge的室温可见光致发光

埋入ＳｉＯ２膜中的微晶Ｇｅ的室温可见光致发光①王印月杨映虎郭永平②陈光华（兰州大学物理系，兰州７３００００）甘润今（北京机械工业学院基础部，北京１０００８５）可见发光器件在大屏幕显示和光电子学中是十分重要的，这些发光器件主要是用工艺复杂、价格较贵的...     

新加坡先进材料与先进技术两会简况

2005年7月，笔者参加了由新加坡国家材料研究协会发起，由新加坡国立大学、南洋理工大学、新加坡材料研究与工程学会联合承办的2005年第3届材料和先进技术国际会议（ICMAT2005）及2005年第9届先进材料国际会议（ICAM2005），ICMAT2005及ICAM2005于7月3～8日在新加坡新达城国际会议与展览中心联合举行，会议主席是新加坡国立大学物理系的B．V．R．Chowdari教授。     

对硫族玻璃Te_(81)Ge_(15)S_2Sb_2中掺Mn特性的研究

硫族玻璃掺Mn之后,电导率会有明显地增加,同时由于掺Mn而引起了电子自旋共振(ESR),因此可用Mn作为“探针”,应用ESR方法来研究非晶半导体的键结构.我们对掺Mn的Te_(81)Ge_(15)S_2Sb_2进行了X射线衍射、ESR和电导率与温度关系的测量,并对测量结果作     

a─Ge：H薄膜电学性质的研究

用光吸收谱和电导率测量较全面地研究了射频反应溅射淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜的电学性质：研究了射频功率和退火温度对ａ－Ｇｅ：Ｈ膜电学性质的影响．所得结果为ａ－Ｇｅ：Ｈ的应用提供了一定的依据。     

对GD-a-SiC∶H膜等离子刻蚀的研究

本文研究了通入(CF_4+O_2)混合气体对 GD—a—SiC∶H 膜的等离子刻蚀.通过测量混合气体中 O_2的比例对刻蚀速率的影响,得到 O_2气比例为76%时最大刻蚀速率大约是1500(?)/分.     

GD-a-SiC∶H场效应管特性的研究

本文对 GD—a—SiC∶H SiO_2绝缘栅场效应管进行了研制,并对 GD—a—Si(0.8)C_(0.2)∶HMOSFET 特性进行了测量研究.     

一种新的非晶钝化膜a—Si_xC_(1-x)∶H膜

本文介绍了一种新的钝化膜——a-Si_xC_(1-x)∶H薄膜在硅器件表面上的应用,实验结果表明:这种膜的钝化效果和a—Si∶H类似,在某些方面更好些,文中还对这种膜的钝化机理作了初步探讨。     

用场效应法研究a-Si_xC_(1-x):H薄膜的隙态密度

考虑n阶常系数线性方程组其中y∈R~m,z∈R~p,m+p=n,T、A、B、C、D是常数矩阵。方程组(1)对变元y的渐近稳定性除可从直接求解进行判别外,目前已有苏联学者发表的线性变换方法。我们从分析矩阵T与D的关系得到以下结