重金属免疫掣检测研究进展

重金属免疫学检测技术和传统检测方法相比不但检测速度快、费用低廉、操作简便而且具有灵敏度高和选择性强等优点.进行重金属免疫学检测首先选择或合成双功能鳌合剂鳌合重金属离子并与载体蛋白偶联制备出完全抗原,进一步制备出金属特异性单抗.重金属免疫学检测方法主要有竞争性ELISA检测、KinExA免疫检测、荧光偏振重金属免疫检测法和免疫胶体金快速层析法等.     

论述索道式跨越送电线路的架线施工方法

在高压送电线路施工中,经常要跨越带电电力线路及其它障碍物进行架线,对运行中的带电线路采用停电跨越架线施工会造成极大的经济损失。为此,我们一直在探讨带电跨越施工的有效方法。     

基于递推最小二乘法的变压器参数辨识

提出一种变压器漏电抗的识别方法.该方法无需改变变压器低压侧的电流互感器配置,无需测量绕组电流,直接利用低压侧线电流,在分相列写回路方程的基础上,消去低压侧绕组环流的影响,利用递推最小二乘法识别漏电抗,解决了Y/△接线方式下三相变压器的漏电抗计算问题.讨论T型等效电路模型中漏电抗参数的可辩识性和算法的误差,给出一种提高识别算法准确性的改进方案,并对方案进行了验证.EMTP仿真结果表明,该算法能够正确识别各相的漏电抗,具有良好的应用前景.     

归化和异化策略下的术语翻译

国际贸易往来和文化、技术的交流与合作日益频繁,术语连同它标记的新事物、新概念传播开来,术语语际翻译显得尤为重要,引起了人们对术语翻译理论中对策方法的探讨。因此必然要厘定归化与异化、直译与意译这两对翻译术语,分析研究现有术语翻译方法,从而构建术语翻译的方法论体系,促进各种术语翻译方法、手段与技巧的正确运用。     

基于土壤团聚体组分的14C分析及其在不同林龄土壤有机碳周转研究中的应用

目前关于人工造林后土壤有机碳库变化的趋势、幅度及其碳汇功能仍存在很大的不确定性.应用放射性碳(14C)方法,研究河北塞罕坝草甸草原与人工林土壤有机碳周转时间,以加深对人工造林后土壤有机碳库变化的认识.实验结果显示,14C示踪方法所估算出的人工造林后土壤有机碳周转时间可长达几十年至几百年.在草甸草原营造樟子松林后表层土壤全样以及团聚体有机碳的周转时间均明显变短,并随着林龄的增大而改变,这将导致土壤CO2通量的增加,因此,草地造林有可能削弱了表层土壤储存有机碳的能力.对不同林龄的土壤团聚体组分进行稳定同位素与14C分析,发现草甸草原营造樟子松林后土壤中年轻碳库与较老碳库对草地造林的响应存在差异:在幼龄和中龄阶段,土壤中较老碳库CO2排放量的比例呈现出增加趋势,而进入成龄阶段,其比例开始下降,表明林龄对人工林土壤固碳机制有所影响.用14C方法所得到的土壤CO2通量相对较低,这可能与未能有效地从土壤团聚体中分离出较年轻碳库的组分有关.今后的研究应在发展多种组分分离方法的基础上进行碳同位素分析,以提高土壤CO2通量估算的准确性.     

基于小波域维纳滤波器的信号稀疏表示

经典小波分解对信号稀疏化效果不佳,为此设计了基于小波域经验维纳滤波器的稀疏表示算法. 该算法可自适应地衰减每个小波系数,增大系数的稀疏度及可压缩性,从而提高压缩感知算法对信号的恢复质量. 仿真结果表明,与传统的基于小波变换的信号稀疏表示及恢复算法相比,该算法较大地提升了对信号及图像的恢复质量.     

客滚船住舱气流组织的数值模拟研究

基于长江航线的工况对客滚船提出了人员住舱的空调系统方案。在此基础上,基于Airpak软件研究了客滚船住舱气流特性。其次,基于气流组织分布的评价指标,对夏季和冬季工况下客滚船舱室舒适性进行评价分析。最后,通过能量利用系数值,给出经济性好的空调系统方案。研究结果表明:①辐射空调系统能够在全工况下营造舒适性更高的室内热环境,相比于常规空调系统,其表征热舒适性的PMV-PPD(predicted mean vote-predicted percentage of dissatisfied)值完全满足ISO7730规范的要求,且热环境舒适度均匀性更高;②辐射空调系统送风得到了充分的利用,经济性好。     

环氧丙烷合成技术现状与绿色合成研究进展

环氧丙烷(PO)是一种重要的有机化工中间体。本文对PO生产的主要方法(氯醇法、共氧化法、过氧乙酸法)的优缺点进行了分析;结合绿色化学的原理,对电化学催化氧化、光催化氧化、胶束催化氧化、生物酶催化氧化合成PO等生产技术进行了评述;对TS-1/H2O2催化烯烃环氧化反应机理及PO合成工艺进行了详细的介绍。结果表明,TS-1/H2O2催化环氧化工艺具有低污染、高选择性、反应条件温和等优点,代表了PO绿色合成的发展方向。     

含立方项非线性振子系统运动研究

对含立方项振子运动微分方程进行数值积分,在不同的参数情况下,给出了振子运动的相图,直观地显示了系统的运动情况.     

高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究

对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究, 并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较, 分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示, PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势, 但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例, 这会对器件的寿命预测带来影响。 最后给出在PBTI应力条件下, 界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。