双螺杆反应器法制备高相对分子质量聚乳酸共聚物的研究

采用熔融缩聚法合成一定相对分子质量的聚乳酸（PLA），然后通过双螺杆反应挤出机与聚已内酯多元醇（PCL）的聚氨酯预聚体进行熔体扩链，制备聚乳酸共聚物。研究了熔体扩链产物的相对分子质量、形态结构、热性能和力学性能。结果表明，双螺杆反应挤出制备聚乳酸共聚物是可行的，熔体扩链后产物的相对分子质量有大幅度提高，产物是热塑性的，并且比釜式反应混合效果好。     

关于玉林师院学生参加课外体育活动的调查研究

采用问卷调查与数理统计相结合的方法，对玉林师院学生参加课外体育活动的情况进行调查研究。结果显示，大部份的学生喜欢参加课外体育活动，动机是好的，时间为每周2小时左右居多。另外，调查中反映，学校场地不足、器材少是影响学生参加课外体育活动主要的因素。     

基于IBM Q平台的量子图像算法研究

为使量子图像处理算法在量子计算机上得到验证与发展,结合IBM量子实验平台(IBM Q)上量子计算操作与量子图像处理理论的研究,设计了一种基于IBM Q平台的量子图像分割方法.提出了一种基于新型强化量子图像表达式(NEQR)的改进型强化量子图像表达式(IEQR),并根据IEQR表达式初始化量子图像分割电路.该电路由量子比较器(QBSC)和受控旋转门(Cswap)构成.最终在IBM Q和本地经典计算机仿真两种平台下实现了2×2和4×4大小的量子图像分割,实验结果表明了该算法的可行性和有效性,并验证了量子计算机的优越性.     

基于颜色特征的图像检索算法及实现

HSI颜色模型人眼的视觉效果比RGB颜色模型更能反映图像之间主要颜色的差异性,对HSI量化后再取其直方图,可以减少计算量,提高检索效率.全局直方图由于不包含颜色的空间分布信息,不同的图像可能具有相同的颜色直方图.为弥补这些缺点,作者提出一种新的重叠分块,获得每个分块的局部直方图后,再对每个分块赋以不同的权值的检索算法,试验证明该算法能有效的提高检索准确度.     

人CtBP2与CCNH相互作用的初步研究

CtBP2(E1AC-terminal binding protein 2)作为辅阻遏物与多种转录因子联系而参与到很多生物过程中,如细胞分化、凋亡、发育和肿瘤发生等,然而其中许多作用机制尚不明了.为了对CtBP2进行深入研究,利用高通量酵母双杂交技术,以人CtBP2为诱饵,与含有1000个人肝基因克隆的酵母双杂交文库进行接合筛选获得了一个与它相互作用的猎物蛋白CCNH(Cyclin H).通过GST-pull down、免疫共沉淀和亚细胞共定位等实验进一步证明了这两个蛋白在体外和体内的相互作用.     

压力诱导流动成型聚丙烯的微观结构研究

本文采用同步辐射光源的小角散射(Small-angle X-ray scattering,SAXS)方法研究了经过不同条件下压力诱导流动成型(Pressure-Induced-Flow Processing,PIFP)聚丙烯的长周期变化,揭示了不同条件聚丙烯微观结构变化的不同机制:不同PIF压力下,由于自由体积变化不大,片晶滑移受阻,片晶运动以偏转为主;随着PIF温度的升高(均在熔融温度以下),自由体积增加,致使片晶滑移较为容易,片晶运动以沿流动方向的滑移为主。     

抗日战争时期广西难民救济工作试析

抗日战争给中国人民带来了深重的民族灾难,广西也遭受了日军的两次入侵 ,导致大量难民的产生 。在严重的难民潮面前,新桂系当局采取了许多救济措施 ,这些措施收到了很大的成效 ,较好地解决了当时严重的难民问题 。     

两种Mg-Zn-Nd合金的微观组织和性能

利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、万能力学试验机、电化学法等手段,研究Mg97Zn1Nd2(Ⅰ)和Mg94Zn2Nd4(Ⅱ)2种镁合金的微观组织、力学性能及电化学腐蚀性能。结果表明:2种合金均由α-Mg基体相和第2相Mg12Nd组成,第2相在Ⅰ合金中呈不连续断网状分布,在Ⅱ合金中呈近似连续网状分布。Ⅱ合金较Ⅰ合金的晶粒更加细化,抗拉强度、硬度及延伸率分别由201.73 MPa、82.2 MPa及3.07%提高到220.61 MPa、87.2 MPa及5.31%。Ⅰ合金为脆性断裂,Ⅱ合金为混合型断裂。Ⅱ合金较Ⅰ合金腐蚀电流密度由-3.342 m A/mm2增大到-2.834 m A/mm2,耐腐蚀性能减弱。     

浅析多媒体技术在现代教学应用中的三种模式

随着现代计算机技术的飞速发展，计算机多媒体技术已经在人类生活的各个领域有了广泛的应用，尤其是在教学领域，许多教师不同程度地利用计算机多媒体技术进行课件教学，来提高教学质量，激发学生学习兴趣，可以说取得了很大的教学效果。     

不同氛围溅射HfO_2栅介质薄膜的电学性能和界面微结构

本文研究了不同沉积氛围(纯Ar,Ar+O2和Ar+N2)中射频磁控溅射制备HfO2薄膜的介电性能和界面微结构.实验结果表明在纯Ar氛围室温制备的HfO2薄膜具有较好的电学性能(有效介电常数ε-r～17.7;平带电压～0.36 V;1 V栅电压下的漏电流密度～4.15×10-3 A cm-2).高分辨透射电子显微镜观测和X射线光电子能谱深度剖析表明,在非晶HfO2薄膜和Si衬底之间生成了非化学配比的HfSixOy和HfSix混合界面层.该界面层的出现降低了薄膜的有效介电常数,而界面层中的电荷捕获陷阱则导致薄膜电容-电压曲线出现顺时针的回线.