高校产学合作教育的重点、原则和途径

产学合作教育既是实现经济、科技、教育与社会协调发展的手段，又是高校提高教学质量和办学效益的一条重要途径。在新的历史时期，准确地把握产学合作教育的重点和原则，确立适应高校自身发展的办学模式和途径，对于进一步提高学校的综合实力具有十分重要的作用。一、高校产学合作教育的重点高校产学合作教育的对象主要是国内一些大中型企事业单位和科研院所。这些单位在市场经济条件下，无论是管理体制，还是运行模式都已经或正在发生重大变化。因此，高校在选择产学合作伙伴及内容上要有所侧重。要充分体现产学合作教育所应具有的高校特色…     

间隙对单搭接胶接接头强度和应力的影响

研究了搭接长度为12．5mm的单搭接接头搭接区域预留间隙对搭接强度和应力的影响。结果表明，间隙的位置对搭接强度有较大的影响，与连续胶层相比，胶层中部一定宽度的间隙虽然使名义强度降低，但对于提高单搭接接头的实际强度有明显的作用，剪切强度最大值可比连续胶层接头增大约60％，而胶层端部预留间隙却使名义强度和实际强度均显著降低，对两种接头进行了有限元的数值分析，指出最大应力仍然处于胶瘤端部附近，间隙位置对应力的峰值有较大的影响。     

基于层次分析法的胶接质量评价模型

胶接工艺中构件质量受多种因素的影响，内容比较复杂．通过建立层次分析模型对胶接工艺质量进行评估，为质量控制过程提供理论参考，并结合实例，说明了该模型的有效性．     

单搭接接头胶层中的温度应变研究

通过应变仪测定了由钢制单搭接胶接接头上的胶层于室温下固化时产生的收缩应变和固化结束后因环境温度波动所引起的纵横向应变．结果表明，在试验条件下，最初12h时间内测得搭接部胶层内的纵横向应变为收缩应变，随后在大约3℃的环境温差作用下呈以24h为周期的变化，纵向应变高于横向应变．对结构钢一胶层界面上的内应力形成过程作了初步分析，指出胶层中存在的交变应力可能是导致老化和金属一胶层界面结合的早期破坏的主要原因之一．     

单搭接接头断续胶层中应力分布的数值分析

在分析现有的单搭接接头胶层中有集中间隙的有限元模型的基础上，提出了用平面应力随厚度变化的模型取代平面应变模型思路，对比了连续胶层与胶层中有3个断续间隙时搭接部位上剪切应力分布情况。结果表明：与连续胶层的单搭接接头相比，有3个断续间隙的接头剪切应力分布模型大致相同，应力的峰值增加约10％，断续胶层仍承受了部分工作载荷。     

氡气测试技术在边坡稳定性研究中的应用

采用氡气测试技术方法对四川峨眉观音岩滑坡分布区进行了测试,结果显示,原定的滑坡边界处氡气值总体偏高,在滑坡区内,两级滑坡平台的边缘处氡气值也显著偏高,据此确定了滑坡前缘剪出口位置.同样也采用了氡气测试方法对雅砻江锦屏坝址区边坡平硐进行了测试,根据测试结果并结合声波测试结果对边坡岩体结构进行了分带,将边坡岩体分为:卸荷拉裂变形带、紧密挤压带、拉裂破裂密集带与完整板梁交替出现带.氡气测试可以作为一种辅助手段为边坡研究提供更多分析资料,只是在应用中要注意排除地下水、干燥剂、潮湿等的干扰.     

铝合金胶接对接接头应力分布的数值分析

铝合金在采用对接接头胶接时能保证连接强度,但其应力分布不容易分析.通过数值分析方法,在ANSYS软件平台中通过搭建两种不同形式的铝合金对接接头,研究模型弯曲时其应力分布情况.胶层应力在两端部分波动较大,在中间应力分布比较有规则,X、Y与第一主应力与胶结长度几乎成线性分布,而胶层的平均应力关于胶层的中点位置几乎呈现对称的抛物线分布.基于以上规律可以为铝合金在受到载荷时对接头的设计提供一定的方法和建议.     

湿法磷酸生产装置腐蚀磨损的防护措施探讨

分析了湿法磷酸生产装置的一般腐蚀、磨损特点．从搅拌装置的工作特点、腐蚀介质等因素出发，对几种可用于不锈钢材料防腐蚀、磨损的主要措施作了评述．指出抑制和调控界面层残余应力以提高其与基体金属间结合强度是关键环节．     

轿车信息集中控制系统仿真研究

采用CAN总线构建的轿车信息集中控制系统是集中控制轿车上各种电子控制单元的一种控制模式,是目前轿车电子技术发展的主要方向之一.对轿车信息集中控制系统的实时性、可靠性和安全性等关键技术进行了研究;针对轿车行驶过程中所产生的一些关键信息,对系统进行了仿真实验,实验结果表明该系统具有良好的实时性、可靠性和安全性.     

电流对金属超塑性变形中晶内位错形态的影响

在7475铝合金超塑性变形过程中沿拉伸方向对试样通以脉冲电镜，对变形后试样的透射电镜观察发现晶内位错呈顺电子流动方向排列的形态，而且位错密度有增加的迹象，分析认为这种位错形态的产生源于由脉冲电流而引起的电子风对位错段产生的一个类似于外加应力的电子风力，此力促进了位错的运动。由于大部分位错被合金中的沉淀相粒子钉扎住，因此位错的自由端在电子风力的推动下绕沉淀相粒子转动，直至位错线与电流方向平行，另外电子风力也会促进被阻塞在沉淀相粒子处的位错团的移动，从而促进了晶内位错的增殖，提高了位错密度。