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991.
永磁同步电动机中永磁体的三维涡流分析 总被引:1,自引:0,他引:1
有效准确地分析在正弦电压驱动下永磁同步电动机中永磁体的涡流损耗是研究实际电机发热及温升的关键。该文利用有限元方法,建立了场路紧密耦合的三维模型,对一台500 kW/60 H z内嵌式永磁同步电动机进行仿真研究,分析了在三相正弦电压源驱动下的气隙旋转磁场、转矩及考虑时间谐波作用下永磁体的涡流损耗,并阐明了电流的不同谐波分量对永磁体涡流损耗的影响。分析结果表明,轴向分割永磁块能将永磁体中涡流损耗降低至50%,并且减小齿槽谐波电流也能有效地降低永磁体中涡流损耗。 相似文献
992.
993.
淋湘金矿地球化学特征 总被引:2,自引:1,他引:1
陕西旬阳淋湘金矿床产于南秦岭古生界泥盆系地层中,容矿围岩主要为碳酸盐岩和细碎屑岩,金矿体主要受近东西向断裂控制.第Ⅱ、第Ⅲ矿化阶段为金的主要矿化阶段,第Ⅱ~Ⅲ阶段石英包体中N2含量大于21μg/g,而第Ⅳ阶段矿物中的N2含量均小于1μg/g,说明成矿流体中的N2含量减少对金矿化不利;成矿流体的氢氧同位素组成与变质水相当;矿石的硫同位素早期为18.21‰,中晚期为17.83‰~14.01‰;铅具有正常铅同位素特征;不同矿化程度的矿石的稀土元素组成的球粒陨石标准化分配曲线,呈富轻稀土的右倾型,曲线形态基本一致,随着矿化增强其稀土元素含量明显增高.这些矿床地球化学特征表明,成矿金属元素和硫主要来源于造山带围岩地层,属容矿岩石为沉积岩中的浅层渗滤同生热盐水型金矿床,成矿时代为燕山期. 相似文献
994.
羊柴根瘤中ATP酶活性的超微结构定位 总被引:2,自引:0,他引:2
作者用透射电镜,观察了羊柴根瘤中宿主的细胞和细菌在发育中ATP水解酶的分布及变化。结果表明,ATP水解酶活性反应的磷酸铅沉淀粒,分布于宿主细胞壁外表面,质膜,胞间隙,细胞质,细菌周膜和拟菌体等部位,尤其在胞间隙中有大量的ATP水解酶并有泡状分泌物。 相似文献
995.
杨兰珍 《甘肃联合大学学报(自然科学版)》1999,(Z1)
21世纪是一个全新的信息时代,高等教育能否培养出时代所需求的新型人才将面临着严峻挑战.传统的、过时的各种陈旧教学模式和方法,不可能也无法适应现代教育和飞速发展且急剧膨胀的信息时代.这是现实的,也是无情的.旧的封闭型的应试教育必须向开放型的综合素质教育转变,这是今后教育事业发展的必然规律.一场新的教育技术革命将随着这场大浪潮迎面扑来,然而,中学教学如何面对这场革命,这是摆在每个教育工作者面前的一个大课题.面对现实,我们不能等待,只有认真学习、刻苦研究,探讨新的教育规律和新的教育教学方法,树立起新的教学观念,改变过去的线性思维模式和传统的教学方式,去创造新的教学方法,推动学科体系和教学内容向前发展,使教师和学生建立新型“教”与“学”关系,让学生紧迫学术前 相似文献
996.
我国当前失业的原因既有制度性因素也有结构性因素, 要使失业者再就业, 除了政府的各种政策优惠外,对失业人员进行就业培训有其重要的作用。为保证职业教育培训的顺利进行, 必须要建立起法律、资金和机构三个保障机制 相似文献
997.
998.
目的 热性惊厥是儿童痫性发作最常见的形式.炎性细胞因子可能导致热性惊厥的发展.本研究探讨白介素-6(IL-6)、白介素-10(IL-100和金属蛋白酶-9(MMP-9)等炎性细胞因子在小儿热性惊厥中是否被激活以及其表达与原发性癫痫中的不同.方法 回顾性研究自2010年12月到2012年11月入院的相关病人资料.分热性惊厥组(N=43)、高热对照组(N=40)、原发性癫痫组(N=32)及正常儿童组(N=15).在惊厥发生的24h内收集病人血液.酶联免疫吸附试验(ELISA)进行IL-6、IL-10和MMP-9等细胞因子水平测定.结果 IL-6、IL-10和MMP-9在热性惊厥组的表达均高于原发性癫痫组(p<0.05)和正常组(p<0.05).IL-6与MMP-9在热性惊厥组的表达高于高热对照组,IL-10的表达在热性惊厥组与高热对照组之间无明显差异(P>0.05).结论 IL-6、IL-10和MMP-9在热性惊厥儿童表达明显升高;炎性因子可能参与热性惊厥的病理过程,且其参与机制可能不同于其在原发性癫痫病理过程中的作用. 相似文献
999.
1000.
本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测量超薄HfO2/SiO2堆栈栅MOS电容中制备工艺和测量设备引入的寄生效应,给出了改进的等效电路模型,消除了频率色散.研究发现,高k介质中存在的缺陷和SiO2/Si处的界面态,使高频C-V特性发生漂移.对禁带中界面态的分布进行归纳,得到C-V曲线形变的规律.研究了形变的C-V曲线与理想C-V特性的偏离,给出了界面态电荷密度的分布,得到了相对于实测C-V曲线的矫正线.通过比较理想C-V曲线和矫正线,提取了平带电压、栅氧化层电荷、SiO2/Si界面的界面态密度等典型的电学参数. 相似文献