毛细压差影响下的未饱和多孔介质的相对渗透率

以未饱和多孔介质微观结构的分形特性为基础,建立了毛细压差影响下的相对渗透率的分形模型.结果表明:相对渗透率是一个关于饱和度、分形维度、流体特性和毛细压差的函数,并且该函数中无经验常数.并将以该模型为基础计算出的相对渗透率与现有的实验数据进行比较,结果吻合得比较好.     

分子磁体{NBu4[MnFe(ox)3]}n的磁分裂穆斯堡尔谱

用穆斯堡尔谱学方法研究了{NBu4[MnFe(ox)3]}n配合物中磁性离子之间的磁相互作用,当温度低于30 K时,观察到磁分裂谱,磁分裂谱的出现说明配合物中有磁有序发生,谱线的超精细参数说明铁的电子态为高自旋Fe3 ,穆谱结果也说明样品中有自旋倾斜现象发生。     

热养护对高性能混凝土强度的影响

研究了热养护制度对由普通硅酸盐水泥、硅灰、粉煤灰或(和)石英粉等磨细掺合料配制的高性能混凝土抗压强度、抗折强度的影响。试验表明,高温养护更有利于混凝土的抗压强度发展,热水养护更有利于混凝土的抗折强度发展。     

基于单片机的多点定时温度采集与图形显示

本系统是基于STC单片机和单总线温度传感器DS18B20组成的多点定时温度采集系统,并将采集的温度数据以图形和表格相结合的方式显示在液晶屏上。该系统结构简单、性能可靠、操作简便,是主要针对需要定时采集温度数据与观察温度变化曲线的热学实验而设计的。     

有机肥对蕨麻生长及块根产量的影响

以蕨麻为研究对象,观测了不同有机肥水平对其生长和块根产量的影响．试验结果表明：施入有机肥对蕨麻基株的复叶数、复叶长度,匍匐茎数量无显著影响,但可以显著提高匍匐茎的长度、粗度和分株数．有机肥能明显提高蕨麻块根的产量,其中c处理的产量最高,比对照增产55．61％;B、D、E处理分别比对照增产14．09％、21．56％和27．10％．     

基于MapReduce的封闭立方体并行计算方法

封闭立方体是一种非常有效而重要的数据立方体压缩技术,目前还缺乏对其并行算法的研究.为此,文中提出一种采用C-Cubing方法并通过MapReduce并行模型进行并行化的新方法.该方法首先在Map过程中对各个数据分块计算出数据单元的代表元组和封闭掩码,然后在Reduce过程中进行聚合以获得封闭单元.实验结果表明,文中方法能有效地提高在大数据集上计算封闭立方体的速度.     

六钛酸钾晶须掺杂改性气凝胶的结构和性能

以六钛酸钾晶须（PTW）为遮光剂,掺入SiO₂气凝胶中降低气凝胶的热导率。研究偶联剂的种类和添加量、PTW掺入量对气凝胶热导率、密度和比表面积等性能的影响。采用X线衍射仪（XRD）、傅立叶红外光谱仪（FT-IR）、扫描电子显微镜（SEM）对气凝胶进行表征。结果表明:0.5 mL KH550对10 g PTW进行表面改性后,将PTW按照质量分数28.57%掺入SiO₂气凝胶中可使其热导率降至0.023 55 W/（m·K）。PTW在气凝胶中保持原有的晶体结构,SiO₂仍保持无定形网络结构。     

一类关联时滞广义大系统的稳定性与分散镇定

该文研究了一类关联时滞广义大系统的稳定性和分散镇定问题,目的是设计一状态反馈分散控制器,使得闭环系统正则、脉冲自由且稳定。应用线性矩阵不等式方法,给出了该类关联时滞广义大系统的稳定性与分散镇定的充分条件。它们是一组严格的线性矩阵不等式。当这组条件可解时,给出了分散状态反馈控制器的严格线性矩阵不等式设计方法和控制律的表达式。最后给出算例仿真说明所给方法的应用。     

漂浮基空间机器人固定时间收敛主动容错控制

针对载体位置不控、姿态受控的空间机器人存在执行机构存在失效及偏置故障的轨迹跟踪问题,设计了基于固定时间收敛的主动容错滑模控制算法。首先结合拉格朗日法推导出了包含力矩偏置及力矩失效故障的空间机器人系统动力学方程;其次,为消除故障对系统稳定性的影响,引入扩张状态观测器,以实现对故障的动态观测,并在此基础上设计基于固定时间收敛滑模控制器以实现主动容错控制。所提方法具备收敛时间与系统初始状态无关,仅需调节控制参数即可保证系统轨迹在固定时间内收敛的优点。最后通过仿真验算,仿真结果表明所提算法能对故障进行精确观测并在失效故障和偏置故障发生条件下保证系统轨迹精确跟踪及稳定控制,同时相较于其他算法所提算法收敛时间更短,稳态误差更小以及拥有出色的故障观测能力和更强的容错控制能力。     

激基缔合物器件中三重态-三重态湮灭的反常温度依赖关系

激子型器件的电致发光磁效应(magneto-electroluminescence, MEL)已经被研究得比较透彻,而关于激基缔合物型器件的MEL还鲜有报道.本文制备了激基缔合物型有机发光二极管(organic light-emitting diodes, OLEDs),并测量了其在不同温度和注入电流下的MEL曲线.实验发现,激基缔合物型器件的MEL曲线由两部分组成:系间窜越过程决定的低场部分(|B|≤50 mT)和三重态-三重态湮灭(triplet-triplet annihilation, TTA)过程决定的高场部分(50mT|B|≤300 mT),表明在不同温度和注入电流下,激基缔合物型器件中始终存在可以产生延迟荧光的TTA过程.然而在某一固定注入电流下,激基缔合物型器件的TTA过程具有与激子型器件相反的温度依赖关系,即激子型器件的TTA过程在低温下发生并随温度降低而增强,但激基缔合物型器件的TTA过程在室温下发生并随温度降低而减弱.激基缔合物型器件中TTA过程的这种反常温度依赖关系很好地弥补了以往只有在低温下才能利用TTA过程来提高器件发光效率的这一不足.通过分析器件的能级结构、电流-电压-发光特性曲线和光谱可知,激基缔合物型器件中TTA过程的反常温度依赖关系与三重态激基缔合物较长的寿命和低温对激基缔合物形成的抑制有关.本文的研究结果对提高OLEDs的发光效率具有一定的指导意义.