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通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备粒径大小可以控制的硅纳米晶体,并对制备的纳米晶硅进行了在线表面改性.实验结果表明:成功获得了表面经烃基改性的不同粒径的纳米晶硅.相较于没有改性的纳米晶硅,它具有良好的抗氧化性和抗团簇能力,在有机溶剂中有着很好的分散性. 相似文献
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采用射频磁控溅射技术制备了CdTe薄膜,使用探针式台阶仪、X射线衍射分析仪、紫外可见分光光度计、扫描电镜等表征了薄膜的厚度、结构、透过率、表面形貌等随溅射工艺的变化.结果表明:沉积速率随着功率的增加而增加,随气压的增加而呈线性减小;薄膜的结晶程度随气压增大而降低;功率从100 W增大到180 W,出现了CdTe薄膜晶相从立方相向六方相的转变;当沉积条件为纯氩气氛、气压0.3 Pa、功率100 W、室温时,沉积的CdTe薄膜结晶性能最好. 相似文献
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CdTe薄膜的制备和后处理研究 总被引:5,自引:0,他引:5
用近空间升华法制备CdTe薄膜,研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构、衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整。结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大,尺寸均匀。对CdTe薄膜进行了加热后处理研究。结果表明,加用CdCl2有助于热处理过程中薄膜晶粒的生长。 相似文献
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针对一维定常对流扩散反应方程,提出了一种四阶精度的有理型紧致差分格式,其局部截断误差为O(h4);然后通过Richardson外推技术和算子插值法将本文格式的精度提高到六阶.因为格式仅涉及到3个网格基架点,所以对于Dirichlet边值问题,由差分格式可得三对角线性方程组,可采用追赶法进行求解.最后通过数值算例验证了本文方法的精确性和可靠性. 相似文献
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