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41.
为了解北京张家湾出土龙泉古瓷的来源,用能量色散X射线荧光(EDXRF)测试了10个张家湾出土龙泉古瓷的化学组成,并和浙江南宋时期龙泉大窑青瓷、寺龙口越窑仿官瓷数据一起进行模糊聚类分析,结果表明多数张家湾出土龙泉古瓷可能来自于南宋龙泉大窑区,少数张家湾出土龙泉古瓷可能来自于浙江龙泉其他窑区.张家湾出土龙泉古瓷的胎、釉料来源和南宋寺龙口越窑仿官瓷有所不同. 相似文献
42.
2009年6月在山东寿光调查了778例(城市男性156例,城市女性150例,农村男性272例,农村女性200例)山东汉族成人的6项皮褶(面颊、二头肌、三头肌、肩胛下、髂前上棘、腓肠肌)厚度.分析了山东汉族成人皮褶厚度随年龄变化的特征,研究结果显示:(1)男女同年龄组比较,总体来说,女性皮褶厚度高于男性皮褶厚度.(2)6项皮褶指标中,男性以肩胛下皮褶最大,而女性则以三头肌皮褶最大.(3)城乡对比显示,总体来说,城市组皮褶发育优于农村组.(4)与其他4个族群比较,总体来说,山东汉族皮褶发育优于布依族、俄罗斯族、乌孜别克族,逊于北京汉族. 相似文献
43.
给出一种利用莫尔条纹测量面形分布的方法,在该方法中,利用偏振手段进行了莫尔条纹的相移,以提高条纹判读的精度和速度。与其它类似方法比较,这种方法在相移过程中未引入任何附加误差,并且相移量可任意选择。该方法不仅精度高,而且可自动判读和自动相移。 相似文献
44.
以吉林省某百乐克(Biolak)工艺城市污水处理厂为例,通过对进、出水水质、水量和生化池水温进行1年的考察,以及在典型运行时段内,对生化池进行全程水质检测,研究了同步脱氮的过程、效果和影响因素。结果表明,该厂百乐克工艺对COD和NH+4—N的处理效果较好,平均去除率分别达到88%和86%,出水COD、NH+4—N全部达标,但TN处理效果不稳定,TN去除率在34%~73%之间,平均去除率56%,反硝化不完全是影响同步脱氮效果的主要原因。 相似文献
45.
福建德化是中国古代重要的瓷业生产区和外销瓷的重要产地之一.为了解德化地区不同窑口青花瓷的原料来源、成分和分类关系,用质子激发Χ射线荧光分析(PIXE)技术,测量了20个后所窑和十排格窑青花瓷样品的胎、釉化学组成,将这些数据进行模糊聚类分析,结果表明:两窑青花瓷的胎、釉原料来源接近,并且都经历了从发展到成熟的过程;两窑不同时期青花瓷透明釉样品的釉料来源或配方曾有过明显的变动. 相似文献
46.
特低渗油藏储层物性差、层间非均质性强,注水开发过程中普遍存在含水率上升快,产量递减严重等问题,为进一步改善特低渗透油藏水驱开发效果,开展了低界面张力黏弹流体驱油研究。采用岩心驱油实验评价低界面张力黏弹流体驱油效果,并利用微观可视模拟技术研究低界面张力黏弹流体微观驱油机理。结果表明,岩心单管和双管驱油实验水驱结束,转注低界面张力黏弹流体后,采收率分别提高了7.47%、23.14%;低界面张力黏弹流体的注入可对驱油剖面进行有效调整,增加原油动用程度;水驱后剩余油主要以簇状、孤岛状、膜状、盲端状以及柱状5种形式存在,簇状剩余油所在比例最大;低界面张力黏弹流体可通过增黏、屏蔽暂堵、乳化以及岩石表面润湿性改变等多种作用机制协同,将水驱后剩余油以“塞流式”或乳化分散形成小油滴被夹带渗流运移产出,具有较好的流度控制和洗油能力,在特低渗油藏开发中具有优异的潜在应用前景。 相似文献
47.
阿尔茨海默症的一个关键致病原因是大脑中淀粉样蛋白(A13)的过度产生或堆积.Aβ是由其前体蛋白APP经β-和γ-分泌酶依次水解而生成的,但对于这些分泌酶基因表达的转录调控的了解还很少.由于大脑发生缺氧/缺血会造成Aβ的产量增加,而缺氧时所激活的转录因子HIF-1(Hypoxia-Inducible Factor 1)会调控下游多种基因的表达,我们对HIF-1是否参与调控β-分泌酶的表达进行了研究.对小鼠β-分泌酶基因bace1的调控序列进行分析,发现其中含有一个缺氧应答元件(Hypoxia-Responsive Element,HRE).我们的数据显示,HRE突变片段启动报告基因荧光素酶表达的活性比正常序列片段的启动活性明显降低.电泳迁移率的变动分析(EMSA)实验进一步证实,HIF-1可以与小鼠bace1中HRE元件相互作用.当在哺乳动物细胞中过度表达HIF-1时,BACE1的mRNA水平和蛋白质水平均有明显的增高.这些结果表明小鼠bace1基因的表达受转录因子HIF-1的调控.鉴于目前阿尔茨海默症研究领域都把抑制BACE1作为首选治疗靶位,HIF-1因而有可能成为治疗AD的一种药物靶点. 相似文献
48.
在HF-HNO3水溶液中化学浸蚀单晶硅,得到了具有可见光致发光的多孔硅层(PSL)。金相显微镜和扫描电镜(SEM)观察表明,化学浸蚀后的表面呈绒面状,说明浸蚀具有各向异性。浸蚀过程中出现显色循环,当显色处于临界时间时,样品光致发光最强,与阳极氧化样品相比,化学浸蚀形成多孔硅的光致发光强度要弱近一个数量级,其峰值能量为1.94-2.04eV,半峰宽(FWHM)为0.35-0.41eV。还对比讨论了阳 相似文献
49.
50.