硫化锑太阳电池的数值模拟分析

利用Afors-het一维器件模拟仿真软件，研究传统CdS/Sb₂S₃异质结太阳电池器件中Sb₂S₃吸收层和CdS缓冲层厚度、带隙、吸收层受主浓度以及缺陷对电池性能的影响。结果表明，一定厚度的吸收层可以提高器件的短路电流密度，但过厚的吸收层会减小填充因子。研究CdS薄膜发现，过厚的CdS对电池的开路电压，短路电流密度以及填充因子损害较大。Sb₂S₃最优的带隙宽度在1.5～1.6 eV之间。提高Sb₂S₃受主浓度可以有效改善开路电压，但施主缺陷态密度与缺陷态在能级中能量的增加将会使电池效率降低。同时模拟结果表明，当吸收层中载流子寿命达到10^-7 s时，电池的短路电流密度可以得到明显改善。     

双向FDI溢出对中国区域技术创新的影响 ——兼论吸收能力的调节效应和门槛效应

运用2003—2018年中国省级面板数据，创新构建了吸收能力的量化方法，优化了知识生产模型的分析框架，使用空间误差模型对双向FDI溢出对区域技术创新的影响进行研究，并检验了吸收能力在其中的调节效应和门槛效应。研究发现：双向FDI溢出均促进了我国区域创新水平的提升，但该作用存在区域异质性；OFDI吸收能力起到正向调节效应，吸收能力能够增强OFDI溢出对技术创新的正向影响；FDI吸收能力存在门槛效应，当吸收能力超过门槛值时,FDI溢出对技术创新的影响将降低。