致密储层水敏感性伤害垂向差异因素分析及保护措施优选

库车北部构造带吐格尔明段明南1井水敏感性损害在垂直方向存在明显差异特征,研究表明以克孜勒努尔组(J1 kz2)、阳霞组(J1 y2)和阿合组(J1 a1、J1 a2)为主的小层位表现出较高的水敏感性损害.结合X衍射分析、CT扫描和铸体薄片等方法进行验证,结果显示储层组中黏土矿物整体体积分数处于8.77％ ～17.52％,较高的黏土含量且含有大量溶蚀颗粒等因素是造成水敏感性损害的主要原因;从物性因素分析,退汞率和孔喉半径随井深深度呈现逐渐降低的趋势,部分小层位孔喉连通性较差;上述控制因素在垂向上表现出明显的差异性,是明南1井水敏感性损害垂向差异的主要原因.此外,通过黏土稳定剂损失率实验,优选出降低明南1井水敏感性损害的两种最佳选择,3％YLN-07可最有效防止黏土损失,黏土损失率降低14.97％;若综合考虑经济效益等方面,0.5％HES黏土稳定剂是最为理想的选择,黏土损失率降低12.5％.     

以科技创新支撑农村水利健康发展

<正>随着科技的发展,我国对农村的各方面发展的研究进一步加强,寻求良好的战略方式,以应对农村、农业和农民3方面的问题。尤其是在农村水利这方面,如何让农村水利健康发展,更有利于农村的经济发展,成为开展相关研究的关键,为农村水利建设作出了很大的贡献。一、把握目标,开展研究当今,我国在农村水利上面的成就还没有达到应有的水平,与发达国家还是有一定差距,农村水利问题亟待解决。实现农     

一类二阶半线性时滞微分方程的振动准则

建立一类二阶半线性时滞微分方程的几个振动准则.利用一个新的方法,得到所有解振动的一些充分条件,新的结论改善和推广了一些相关文献的振动准则,给出的例子用来阐明新的结论.     

2050年前中国压水堆核燃料循环几种假定情景分析

 根据中国核电中长期发展战略目标,以中国的两种主流堆型——大亚湾M310和三代AP1000为研究对象,假定2050年前中国压水堆核燃料循环的几种情景并利用DESAE软件计算了假定情景的铀钚需求,由中国拟建快堆的性质分析了假定情景的可行性。计算结果可为中国核能发展策略提供数据参考。计算结果的比较与分析表明,天然铀的节省程度主要取决于装载MOX燃料的在运营压水堆规模。     

史上首位黑客曾令“无线电之父”出丑

据英国《新科学家》杂志披露,虽然“黑客”在互联网时代已是一个家喻户晓的名词,然而鲜为人知的是,在互联网远未出现的100年前。世界上就已经出现了黑客!史上“首位”黑客竟是一名叫做尼维尔·马斯克林的英国魔术师,早在100年前,他就利用摩尔斯电码“黑”了意大利“无线电之父”古列尔默·马可尼向英国公众首次展出的无线电通讯演示系统,     

含参数四阶奇异微分方程边值问题正解存在性

考察一类含有2个参数的非线性奇异四阶微分方程边值问题正解的存在性,其中允许非线性项f(t,x,y)在x=0,y=0处奇异.它运用的主要工具是锥拉伸压缩不动点定理.通过限制λ的范围,得到边值问题正解的存在性.     

以科创竞赛为载体的大学生创新能力培养探索与实践

结合现阶段学校对采矿工程专业的定位（聚焦智能矿山建设、对焦应急管理事业）,充分考虑矿山领域智能化水平提升、矿山灾害防控与应急等实际需求,开展了采矿专业学生创新能力培养与实践研究。结合学校教学资源,研究了采矿创新人才培养面临的主要难题、行业领域所需解决的关键科学问题,提出了改革的总体思路和实施的具体途径;提出了新形势下采矿创新人才培养思路和改革实践路径。通过营造良好的大学生科创环境,持续开展大学生科创活动,初步探索了大学生科技创新基地建设的长效机制与发展模式。经过多年的改革实践取得了初步成效：以科创活动为引领,推动了“课堂-科创基地-企业”常态化协同育人,形成了实践育人协同新模式;切实增强大学生参与科技创新赛事的水平和能力,提高学生的动手能力、独立思考能力、科研能力和创新能力。     

离心式压气机的叶轮结构与气流特性

分析讨论了离心式压气机叶轮叶片结构形状,对叶轮气道内和压气机壳中气流特性的影响,并提出改进叶片形状结构,使气道向流线型靠近,以提高离心式压气机的性能。     

具有连续分布滞量的非线性中立型双曲偏微分方程系统的振动性

研究具有连续分布滞量的非线性中立型双曲偏微分方程系统, 给出了系统所有解振动的若干充分条件.     

基于BiCMOS工艺的Bipolar VCO和CMOS VCO性能对比

阐述了基于BiCMOS工艺的全集成LC调谐压控振荡器的基本原理.为了比较Bipolar VCO和CMOS VCO的性能,他们很好地设计在同一块芯片上.在560 M的中心频率上,CMOS VCO无论在功耗,还是在相位噪声方面都要优于Bipolar VCO,他们的电流消耗分别为3.9 mA和5.9 mA,两种VCO都是基于0.6μm BiCMOS工艺而仿真和测量的.