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11.
为了研究高压脉冲电场对毛发染色效果的影响,试验以18~28岁年龄段人群的黑色头发和染发剂为试材,以染发后毛发的RGB(red green blue)模型提取值作为响应值,并采用等响应面试验法设计试验,以构建和分析高压脉冲电场的电场强度、脉冲宽度以及脉冲个数对毛发染色效果影响的数学模型和机理。试验结果表明:高压脉冲电场同时处理头发和染发剂后最高可提升RGB参数中的蓝色通道值B为3.7%,对应的最优化工艺化参数为:电场强度1 125V/mm、脉冲宽度175μs、脉冲个数52个。因此,高压脉冲电场对头发和染发剂进行处理后再进行染色可改善着色效果,并为毛发染色工艺优化奠定一定基础。 相似文献
12.
应用紫外-可见光谱、循环伏安法和粘度法研究了3个镓(Ⅲ)—水杨醛氨基酸Schiff碱配合物(GaL2,GaLbipyCl,GaLphenCl,L为水杨醛谷氨酸Schiff碱,bipy为2,2'-联吡啶,phen为1,10-邻菲啰啉)与DNA分子的键合作用.紫外-可见光谱表明配合物与DNA发生插入作用;循环伏安法表明GaLbipyCl与DNA的作用涉及沟槽或静电结合方式,GaL2和GaLphenCl与DNA发生嵌入作用;粘度法表明配合物与DNA以沟槽模式或部分插入的方式结合.综上所述,推测3个配合物以沟槽模式或部分插入的方式与DNA结合. 相似文献
13.
14.
15.
16.
17.
研究了用白光快速烧结法制作的n型高浓度离子注入层欧姆接触的特性.选用硅和硫离子,获10~(18)cm~(-3)以上的高浓度.白光快速烧结温度为400~460℃.实测的比接触电阻的最好值达到10~(-6)·Ω·cm~2.该法已用于全离子注入平面型场效应晶体管和GaAs/GaAlAs异质结HOT晶体管,性能良好. 相似文献
18.
报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350~450℃),长时间(20~30 s)退火和高温(970~1050℃),短时间(1~2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30%,迁移率为2400~2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42~46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。 相似文献
19.
本文证明当p为质数幂时.在型为2p的Frame自正拉丁方中存在2(P-1)个互不相交的截态,且(i)当p大于3且时p≡1(mod4)时这2(p-1)个截态表现为p-1个自对称的截态和(p-1)/2对相互对称的截态;(ii)当p大于5且p≡3(mod4)时这2(p-1)个截态在现为p-1对相互对称的截态. 相似文献
20.
通过“埋块试验”探讨了犁体宽深比和耕深对翻土覆盖性能的影响,证明了窄幅深耕犁的翻土覆盖性能能满足农艺要求。发现犁的宽深比还影响土垡在行驶方向上的位移距离,用窄幅深耕犁时土垡在行驶方向上的位移距离明显小于普通铧式犁,这很可能是窄幅深耕犁比阻降低的主要因素之一。 相似文献