半导体放电管多元胞结构模型研究

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图,对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证,结果表明合理设计多元胞版图尺寸和ｐ基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性,从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据。     

PECVD多晶硅膜的计算机模拟

在ＬＰＣＶＤ理论模型基础上，通过引进“电子温度”，对ＰＥＣＶＤ多晶硅膜进行了计算机模拟分析。结果表明，频功率和反应室气压是影响ＰＥＣＶＤ淀积速率分布的两个因素，且两者受ｐ＝ｋＷ线性关系的制约，即对于一定的射频功率，总可选择一何适的反应室气压，使淀积速率分布最佳，实验结果与理论分析相吻合。     

多元胞结构的半导体放电管浪涌能力研究

鉴于半导体放电管工作时的最高温升决定其浪涌能力,通过对器件进行温度场模拟,可以明显地看出基片厚度、载流子浓度以及元胞数对器件温升的影响。因此对不同厚度、杂质浓度的16元胞放电管进行了浪涌实验。模拟和实验结果均表明,增加元胞数、选择均匀性好和较薄的衬底材料以及采用低扩散浓度方法可以减少放电管工作时的温升,改善放电管浪涌能力。     

脉冲功率开关RSD的高dⅠ／dt特性研究

基于等离子体双极漂移模型，得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管（RSD）的dⅠ／dt耐量解析表达式，分析了RSD的主放电回路模型，在此基础上讨论了影响RSD的dⅠ／dt特性的因素，dⅠ／dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大，随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大．RSD的dⅠ／dt耐量可达1×10^5A·μs^-1，远高于普通晶闸管，可应用于短脉冲大电流领域．     

一类新的网络游戏场景3D障碍信息表达方案

针对传统网络游戏的2D场景向3D场景演化过程中游戏服务器所面临的障碍信息存储和访问的技术难题,提出伪3D和真3D 2种解决方案。伪3D方案通过对原2D方案的数据结构和寻路算法进行扩展,在2D数据逻辑基础上实现3D游戏场景。真3D方案将原2D场景的数据存储方案在纵向维度上完全扩展,再应用RLE压缩算法,解决纵向扩展带来的数据膨胀问题,同时兼顾访问效率。研究结果表明:伪3D方案适用于非完全自由、有限层可表达的3D场景,完全兼容原2D数据存储格式、寻路算法及功能模块接口,具有开发周期短、实施成本低的优势;真3D方案适用于完全自由、无限层可表达的3D场景,能够满足复杂的3D场景需求,并在空间效率和时间效率方面取得了较好平衡,可实现大型3D网络游戏场景障碍信息高效表达及访问的需要。     

成年小鼠成纤维细胞体外培养

成年小鼠皮肤成纤维细胞可从尾部取材用组织块培养法进行原代培养,添加血清的M 199(E arle′s)和低糖的DM EM均能较好的满足原代细胞的生长.两种培养液中细胞增殖的速度无明显差异.用0.25%胰蛋白酶消化小鼠尾尖原代培养物,上皮细胞与成纤维细胞有明显的敏感度差别.经控温控时消化传代,可将上皮细胞与成纤维细胞分离纯化.