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51.
为解决恶劣环境下的远距离通信问题,本文设计了由电流环实现的多机通信系统,实践表明,该系统运行可靠,传输距离远,抗干扰能力强。 相似文献
52.
53.
按照0(对照组)、10、20、40μmol·L-1浓度配制盐酸埃克替尼溶液,分别作用于人涎腺腺样囊性癌细胞株(ACC-M)24、48、72h,用流式细胞仪测药物作用后ACC-M细胞凋亡率;同时利用免疫细胞化学方法和间接免疫荧光联合流式细胞技术,检测它在体外对ACC-M细胞Bcl-2、Bax蛋白表达的影响.结果显示,细胞凋亡率随盐酸埃克替尼浓度与作用时间的增加而增加,经统计学分析,细胞凋亡率与盐酸埃克替尼浓度、作用时间成正相关,药物作用于ACC-M细胞后Bcl-2蛋白表达降低,Bax蛋白表达增加.实验表明,盐酸埃克替尼可能通过降低Bcl-2蛋白的表达,增加Bax蛋白的表达,诱导ACC-M细胞凋亡. 相似文献
54.
探究血清肿瘤坏死因子-α(TNF-α)与C反应蛋白(CRP)检测原发性高血压的临床价值。选取秦安县王尹镇卫生院收治的157例经临床诊断确诊为原发性高血压患者作为研究组,将同期于秦安县王尹镇卫生院进行体检的健康人群126例作为对照组,所有研究对象均于清晨空腹抽取采血按标准制备血清,使用ELISA法检测血清中TNF-α及CRP含量。比较两组血清TNF-α水平及CRP水平。两组血清TNF-α、CRP水平比较,研究组均明显高于对照组,差异有统计学意义(P0.05);将研究组157例原发性高血压患者按照血压水平高低进行分级,其中1级62例,2级56例,3级39例。3个级别TNF-α、CRP水平比较,2级、3级明显高于1级,且3级明显高于2级,差异均具有统计学意义(P0.05)。原发性高血压患者血清TNF-α水平及CRP水平均明显高于健康人群,且随着高血压级别上升,血清TNF-α水平及CRP水平明显升高。通过对血清TNF-α水平及CRP水平进行检测,能有效对原发性高血压患病情况及病情分级进行判断,有利于疾病治疗及预防。 相似文献
55.
采用挤压铸造法制备了A12O3f, Cf/ZL109短纤维混杂金属基复合材料,并对该混杂复合材料的常温拉伸强度性能进行了实验及理论分析、在综合考虑纤维长度变化规律、两种纤维在拉伸过程中各自的行为和机理,以及热应力诱发位错强化和纤维弥散硬化等因素对复合材料强度影响的基础上。对复合材料强度预测的混合律模型加以发展和修正,建立了A12O3f, Cf/ZL109短纤维混杂复合材料的常温强度预测模型.利用该模型得到的理论预测值与实验值吻合较好. 相似文献
56.
57.
针对现有群组集结方法关注于专家权重和集结元素之间相似性,缺少对层次分析法(AHP)判断矩阵元素一致性考虑的不足,提出一种基于证据理论的群组AHP判断矩阵集结方法。该方法以群组AHP判断矩阵元素的相似性和一致性为证据源,采用DS证据理论计算上三角元素的合理性指标值;并以该指标值为边权计算最大生成树和相对应的完全一致矩阵;该方法在完全一致矩阵和PG算子集结矩阵的约束下,结合残缺元素的修复策略,计算满足最优相似一致度的群组集结结果。通过算例分析,说明该方法的可行性与有效性。 相似文献
58.
在某点邻域构造初始三维局切面,以黎曼图表示局切面间的邻接关系,用欧几里德最小生成树实现局切面的法矢一致化,再用步进立方体法进行轮廓追踪,最后用能量函数法优化初始网格。该逆向造型方法除点的三维坐标外无需任何附加信息即可确定离散点蕴涵的拓扑信息,适于精确地反求具有任意拓扑结构的原型体。 相似文献
59.
硫酸盐还原菌包埋固定化技术处理含铬废水 总被引:6,自引:0,他引:6
分别以海藻酸钠和聚乙烯醇(PVA)为包埋剂, 采用蠕动泵滴加, 包埋固定经驯化后的硫酸盐还原菌(SRB)占优的活性污泥. 以小球强度、传质性能、成球难易为指标定性确定包埋条件. 评价海藻酸钙(CA)法、 PVA法、 PVA混合载体法包埋小球对含铬废水的处理效果. 结果表明: 以Cr(VI)去除率为考核指标, PVA混合载体为最好的包埋方式, 其最优条件是PVA质量浓度为9%、包泥量为1:1, 添加少量的海藻酸钠, SiO2, CaCO3和粉末活性炭(PAC)有利于颗粒球传质与耐用性能的提高. 在连续化处理含铬废水的工艺中, 进水COD质量浓度为500 mg/L, SO2-4为500 mg/L, Cr(Ⅵ)为100 mg/L, 水力滞留时间为6 h的条件下, Cr(Ⅵ)的去除率为99.68%, 出水总Cr质量浓度为0.45 mg/L, COD质量浓度为187 mg/L, 同时铬以沉淀的形式与颗粒球分离有利于铬的回收. 相似文献
60.
以低纯度Gd为原料制备Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁热效应 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了以低纯度蒸馏Gd为原料制备的Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁性相变性质和磁热效应. 蒸馏Gd的杂质含量为O: 0.0160% (质量百分数); C: 0.0054% (质量百分数); N: 0.0016% (质量百分数), 低于普通商用Gd, 高于高纯Gd. 对Gd5Si1.85Ge2.15合金的X射线衍射和交流磁化率测试表明, Gd5Si1.85Ge2.15合金在253 K存在一级磁性相变; 从磁性相变附近的磁化曲线结果得到的最大磁熵变化为12.5 J/kg·K. 相似文献